近期，媒體報(bào)道#北京順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）目前正全力推進(jìn)中，整體項(xiàng)目進(jìn)度已完成86%，預(yù)計(jì)今年7月底完工。 該項(xiàng)目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動(dòng)力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬(wàn)平方米，總建筑面積6.47萬(wàn)平方米，由順義科創(chuàng)集團(tuán)投資建設(shè)。...  [詳內(nèi)文]

寬禁帶半導(dǎo)體（如碳化硅SiC、氮化鎵GaN）及超寬禁帶半導(dǎo)體（如氧化鎵Ga?O?、金剛石）因具備高擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率及高熱導(dǎo)率等特性，成為支撐高壓、高頻、高功率應(yīng)用的核心材料，可廣泛應(yīng)用于5G/6G通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天、數(shù)據(jù)中心以及高端消費(fèi)電子等關(guān)鍵...  [詳內(nèi)文]