9月30日，據(jù)科友半導體官微消息，科友半導體在今年9月成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備，通過優(yōu)化電阻爐溫場、引入緩沖層優(yōu)化長晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布，發(fā)揮了電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢。
source：科友半導體
檢測表明，科友半導體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品總腐蝕坑密度控制在2000個cm-2左右，TSD與BPD位錯缺陷密度得到有效降低，占同期產(chǎn)出襯底的比例在八成以上。
官微資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計、科研成果轉(zhuǎn)化的廠商，研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，已累計授權(quán)專利80余項，實現(xiàn)先進技術(shù)自主可控。
今年以來，科友半導體在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化等方面都取得了新進展。
技術(shù)研發(fā)方面，科友半導體在今年3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”項目合作。
據(jù)介紹，通過與俄羅斯N公司的合作，科友半導體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，會進一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動碳化硅長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。
隨后在5月29日，科友半導體自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，據(jù)稱這是國內(nèi)首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%。此批次晶體呈現(xiàn)出微凸的形貌，表面光滑無明顯缺陷。
市場拓展方面，今年3月，科友半導體在成功拿下超2億元的出口歐洲長訂單之后，順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”（IATF16949）認證，獲得進軍國內(nèi)新能源汽車芯片襯底百億級規(guī)模市場“通行證”。截至2023年12月底，科友半導體實現(xiàn)銷售定單逾6億元人民幣。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。