9月27日，中國證監(jiān)會網(wǎng)站披露關(guān)于蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司（下文簡稱“華太電子”）首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。
報告顯示，2024年9月13日，華太電子與華泰聯(lián)合證券簽署了上市輔導協(xié)議。
資料顯示，華太電子成立于2010年3月，是一家擁有半導體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺型半導體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測業(yè)務，產(chǎn)品可廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。
產(chǎn)品方面，在射頻領(lǐng)域，華太電子推出了LDMOS MMIC、大功率分立器件、對講機芯片、ISM以及GaAs產(chǎn)品。其中，大功率分立器件基于公司自主知識產(chǎn)權(quán)的28V、50V LDMOS和GaN工藝平臺開發(fā)，峰值功率覆蓋20W至1000W，工作頻率范圍從10MHz至6GHz。GaAs產(chǎn)品則基于全國產(chǎn)GaAs工藝，自主設(shè)計，適合預驅(qū)動或驅(qū)動放大器應用。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
在功率器件領(lǐng)域，華太電子擁有IGBT單管/模塊系列和SiC模塊系列。SiC模塊系列采用了公司自主研發(fā)和生產(chǎn)的SiC芯片，并通過全自動化模塊封測線生產(chǎn)，具備壓銀燒結(jié)技術(shù)，確保了良好的散熱性能和可靠性。
融資方面，華太電子目前已完成4輪融資，但具體金額尚未對外公布。
值得注意的是，這并非華太電子首次進行IPO輔導備案。
早在2022年12月19日，中國證監(jiān)會網(wǎng)站就曾披露過華泰聯(lián)合證券關(guān)于華太電子的首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。然而，此后公司并未更新輔導備案情況。
本次輔導備案標志著華太電子在時隔近一年半后，再次啟動上市輔導備案流程。（集邦化合物半導體Morty整理）
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