文章分類： 企業(yè)

封頂/投產，國內兩個化合物半導體項目新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:18 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧茫衔锇雽w正加速重構半導體產業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網、工業(yè)電機驅動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，...  [詳內文]

羅姆首款高耐壓GaN驅動器IC量產

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內文]

頭部大廠碳化硅設備再獲訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 27 日 15:50 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中導光電 披露，公司NanoPro-150納米級晶圓檢測設備再次獲得全球碳化硅（SiC）行業(yè)頭部客戶的復購訂單，將用于該客戶8英寸SiC晶圓前道制程的缺陷檢測。 圖片來源：中導光電 相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢，是未...  [詳內文]

新加坡迎來一條8英寸碳化硅相關產線，亞洲第三代半導體競賽再升級

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 27 日 15:48 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級開放研發(fā)生產線。 圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik? 該生產線由ASTAR微電子研究所（IME）運營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制...  [詳內文]

Wolfspeed高層大調整與財務重組

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 27 日 15:47 |
| 分類: 企業(yè)
近期，全球碳化硅（SiC）技術領導者Wolfspeed正經歷一場全面的領導層重塑與財務結構優(yōu)化，以應對當前的挑戰(zhàn)并為未來的發(fā)展奠定基礎。 5月23日，Wolfspeed宣布了一項最新人事任命，公司正式任命行業(yè)資深人士David Emerson博士為新設立的執(zhí)行副總裁兼首席運營官（...  [詳內文]

第三代半導體融資項目+2，金額超6億

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 26 日 15:29 | | 分類: 企業(yè) , 半導體產業(yè)
近日，第三代半導體領域的臻驅科技與Finwave Semiconductor兩家企業(yè)相繼獲得重要融資，為行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與突破注入了強勁動力。   01、臻驅科技獲6億元銀團貸款 根據(jù)臻驅科技官微消息，5月20日，臻驅科技在上海完成6億元人民幣銀團貸款簽約，由上?？苿?chuàng)銀行...  [詳內文]

株洲中車8英寸SiC產線披露最新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 26 日 15:24 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月21日，株洲中車董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產業(yè)的最新進展。 株洲中車正加快8英寸碳化硅產線建設，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC...  [詳內文]

武漢一批集成電路重大項目迎來重大進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 26 日 15:21 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)中國光谷消息，近兩月，杉數(shù)科技、此芯科技、君原電子等多家集成電路產業(yè)鏈企業(yè)陸續(xù)簽約落戶光谷，設立研發(fā)機構及產線。近一年，圍繞存儲半導體產業(yè)鏈，光谷新簽約億元以上項目約30個，涵蓋核心設備、零部件、關鍵原材料、EDA軟件、晶圓制造、封測、模組等各個領域。 經過20年的積累，從20...  [詳內文]

英偉達攜手納微升級電源架構，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當?shù)貢r間5月21日，納微半導體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構，該技術將率先應用于英偉達下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。 圖片來源：納微半導體 當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內文]

11億功率半導體項目，簽約啟東

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:29 |
| 分類: 企業(yè) , 半導體產業(yè)
5月20日，啟明芯半導體科技項目簽約儀式在啟東市行政中心舉行。 圖片來源：啟東發(fā)布 啟明芯半導體科技項目專注于硅基和第三代半導體功率產品的一站式服務，涵蓋從研發(fā)設計到封裝測試、銷售的全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)。其主要產品包括各類功率器件，如MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGB...  [詳內文]