據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚杰科技、東科半導(dǎo)體、國基南方、能華半導(dǎo)體、愛仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導(dǎo)體

本屆展會，三安半導(dǎo)體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。

三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲能、車載充電機、充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點。

英飛凌

在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動汽車展區(qū)，英飛凌進行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達驅(qū)動解決方案。

德州儀器

本屆展會，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機器人和伺服驅(qū)動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機系統(tǒng)設(shè)計的先進650V三相GaN IPM。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過程中安全可靠的運行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運行時依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。

目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計經(jīng)受了88萬小時的電動汽車充電實戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場景，累計為新能源汽車進行了800多萬度電的超快充電。

泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設(shè)計、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計等特點。

英諾賽科

本屆展會，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費與家電的240W LED驅(qū)動方案，500W電機驅(qū)動方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚杰科技

本屆展會，揚杰科技帶來了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應(yīng)用解決方案。

東科半導(dǎo)體

本屆展會，東科半導(dǎo)體重點展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動+半橋GAN器件，實現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關(guān)頻率，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路。

國基南方

本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風(fēng)光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導(dǎo)體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達百微米，屬于國內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達到6N。

其中，半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實現(xiàn)百微米到毫米級精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對導(dǎo)電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體重點展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。

在光伏逆變器主拓撲應(yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

鎵未來

本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實現(xiàn)高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應(yīng)用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅(qū)動SiC功率器件的隔離驅(qū)動產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、消費電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費電子場景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體

本屆展會，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一同時量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。

公開資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球為數(shù)不多同時掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛仕特

本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開關(guān)損耗支持更高開關(guān)頻率運行，高耐用性的封裝實現(xiàn)更高可靠性及更長的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負壓驅(qū)動或短路保護功能的SiC專用驅(qū)動芯片IVCO141x。

瑞能半導(dǎo)體

本屆展會，瑞能半導(dǎo)體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導(dǎo)體

本屆展會，萃錦半導(dǎo)體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。

目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動等場景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。

翠展微電子

本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計的，該方案具有高功率密度、可擴展性好、可靠性高、抗震動性能強等優(yōu)點，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過采用銅Clip工藝實現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會，Vishay在現(xiàn)場展示了各類無源和分立半導(dǎo)體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達四個分立式SiC FET，從而簡化熱機械設(shè)計和裝配。并且這些模塊搭載獨特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動汽車設(shè)計中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計帶來更高的設(shè)計效率。

小結(jié)

從本屆展會三代半相關(guān)廠商重點展品來看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產(chǎn)品邁進，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢。

以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛思強、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測股份、宇晶機器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>

天科合達

本屆展會，天科合達帶來了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。

目前，天科合達已形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。

比亞迪半導(dǎo)體

本屆展會，比亞迪半導(dǎo)體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目一期竣工。該項目總投資100億元，項目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

目前，泰科天潤的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領(lǐng)域。

世紀(jì)金芯

本屆展會，世紀(jì)金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。

其中，世紀(jì)金芯帶來的SiC高純粉料純度可達99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。

今年4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元。

晶格領(lǐng)域

本屆展會，晶格領(lǐng)域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。

其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。

眾力為

本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產(chǎn)品。

其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實現(xiàn)測試前自動VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動檢測DUT是否失效。

GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調(diào)節(jié)實現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅(qū)動信號通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強；設(shè)備帶有自動高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機驅(qū)動等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。

高測股份

本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線切片機。

據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

source：高測股份

設(shè)備型號GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線切片機，使用金剛線切割半導(dǎo)體單晶硅片的專用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。

source：高測股份

優(yōu)界科技

優(yōu)界科技首次在國內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機SiC-8Kpro。

該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。

萬年芯

本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機的變頻器和各種逆變電源。

萬年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

愛仕特

本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)測試，能夠滿足車規(guī)級要求。

森國科

本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。

森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。

森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設(shè)計。

合盛新材

本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。

合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。

愛思強

本屆展會，愛思強展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。

G10-SiC（source：愛思強）

據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強業(yè)績發(fā)展的一大強勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷量增長，愛思強實現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設(shè)備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。

科友半導(dǎo)體

本屆展會，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。

今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

黃河旋風(fēng)

本屆展會，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產(chǎn)品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設(shè)備。

黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點，工作結(jié)溫達175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航怠⒌头聪蚵╇娏?、零反向恢?fù)電流等特點。

蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

九域半導(dǎo)體

本屆展會，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產(chǎn)品。

該設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復(fù)性佳、測試敏感性高、可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點。

同光股份

本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。

同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。

同光股份旗下設(shè)有三個工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。

納設(shè)智能

本屆展會，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨立可控、工藝指標(biāo)優(yōu)異、機臺量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點。

今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨。

鎵仁半導(dǎo)體

本屆展會，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產(chǎn)品。

氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達到4.85eV，可見光波段透過率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測、輻射探測等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。

乾晶半導(dǎo)體

本屆展會，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。

目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測試。

晶鎵半導(dǎo)體

本屆展會，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。

晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

芯三代

本屆展會，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶外延片產(chǎn)品。

芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時。

該設(shè)備擁有完全獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨創(chuàng)的進氣方式、垂直氣流和溫場控制技術(shù)，輔以全自動上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

爍科晶體

本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類產(chǎn)品。

爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產(chǎn)品。

今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

天域半導(dǎo)體

本屆展會，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅(qū)模塊等。

天域半導(dǎo)體主要向下游客戶提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

鎵未來

本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動電源、逆變器等應(yīng)用場景。

據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應(yīng)用要求，滿足市場對無風(fēng)扇戶外電源設(shè)計需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺。

致能科技

本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應(yīng)用方案。

致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。

去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

天成半導(dǎo)體

本屆展會，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。

天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達99.9999%。

恒普技術(shù)

本屆展會，恒普技術(shù)展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。

其中，SiC長晶爐可實現(xiàn)多區(qū)域獨立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”核心技術(shù)方向之一。

中宜創(chuàng)芯

本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。

其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產(chǎn)品純度最高達到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長。

頂立科技

本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。

其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補了國內(nèi)空白。

季華恒一

本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機等設(shè)備。

季華恒一專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。

創(chuàng)銳光譜

本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)等設(shè)備。

其中，SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯缺陷專用檢測設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準(zhǔn)識別BPD、TSD、TED，準(zhǔn)確率＞90%。

中機新材

本屆展會，中機新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。而中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。

飛仕得

本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。

該設(shè)備實現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時可兼容HTGB、HTRB功能；每個抽屜獨立，匹配獨立電源，不同抽屜可實現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個柜體內(nèi)置5個抽屜，最多可配4個柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應(yīng)抽屜即可，無需再次購買整個設(shè)備。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先

本屆展會，中環(huán)領(lǐng)先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。

據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

先導(dǎo)集團

本屆展會，先導(dǎo)集團旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。

其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設(shè)計,具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。

BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計,可同時加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。

南砂晶圓

本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。

南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達到0，BPD≤200cm﹣2。

邁為股份

本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設(shè)備。

邁為股份于2010年9月成立，是一家集機械設(shè)計、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲充、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會，三安半導(dǎo)體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會現(xiàn)場，三安半導(dǎo)體重點展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達到國際先進水平，并同時研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲能逆變器應(yīng)用場景。

華潤微

本次展會，華潤微重點展示了SiC MOS模塊。

source：華潤微

華潤微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機和牽引驅(qū)動器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點。

鍇威特

本次展會，鍇威特帶來了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級滿足各種應(yīng)用需求。

同時，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動電壓，最高結(jié)溫高達175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會，杰平方半導(dǎo)體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實力。

芯聯(lián)集成

本次展會，芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；高可靠性，通過車規(guī)級驗證；參數(shù)一致性好，良率高等特點。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲能、充電樁、輸配電等場景；在汽車電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會，飛锃半導(dǎo)體帶來了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車規(guī)級1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲能系統(tǒng)等場景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電源等場景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中，對于215KW儲能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達99%。

派恩杰

本次展會，派恩杰半導(dǎo)體帶來了SiC功率器件、芯片設(shè)計路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會，蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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國內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點匯總?cè)缦拢?/p>

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上，三安以“推動低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source：PCIM

三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個規(guī)格型號的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來的進步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性價比更高”。

source：英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車規(guī)級功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應(yīng)用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source：PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source：PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會上，派恩杰半導(dǎo)體帶來了最新車規(guī)級封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source：派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓撲，SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體自主開發(fā)了車規(guī)級塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車能耗等級。

對于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè)，汽車，消費電子等領(lǐng)域的功率器件。

source：PCIM

SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓撲的 SiC 功率模塊，主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設(shè)計。

07、中車時代半導(dǎo)體

中車時代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。
據(jù)介紹，采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點，可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運行的需求，批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source：PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場效應(yīng)晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對E型GaN FET開關(guān)性能進行基準(zhǔn)測試的半橋評估板。

source：PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車規(guī)級模塊為800V新能源汽車平臺進一步釋放了SiC高溫高速特性，實現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機械結(jié)構(gòu)強度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source：PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動態(tài)測試系統(tǒng)以及動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場的測試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測試的晶圓級動態(tài)可靠性(WLR)測試系統(tǒng)及裸芯片KGD測試系統(tǒng)。

source：PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。

source：利普思

12、安建科技

此次展會上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動汽車、消費電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source：PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性。

source：賽晶科技

14、富樂華半導(dǎo)體

富樂華攜手富樂華歐洲團隊、日本團隊對功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動汽車、消費電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source：PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設(shè)備，主營芯片分選機、塑封自動化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source：PCIM

16、飛仕得科技

本次展會飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動解決方案、功率模組及測試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動解決方案、新一代SiC器件動態(tài)測試設(shè)備等多款新品。

source：PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關(guān)注。

source：悉智科技

國外企業(yè)

海外市場方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相，看點頗多，部分企業(yè)的亮點匯總?cè)缦拢?/p>

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動汽車電氣化、電動汽車實現(xiàn)、可再生能源賦能到電機驅(qū)動以及公司最新的SiC技術(shù)。

source：PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動汽車和電源應(yīng)用，旨在滿足各個行業(yè)的需求。

source：PCIM

SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平，最大限度地降低了開關(guān)損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面，ROHM展示了EcoGaN系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN 系列的10多塊電路板，并介紹它們在工業(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source：PCIM

寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案，以滿足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source：PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。

source：PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe、Gen-4 GaNSense半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source：PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動器、電機驅(qū)動器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source：PCIM

25、IV Works

在此次展會上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source：PCIM

結(jié)語

本次PCIM上，能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場轉(zhuǎn)移至全球市場。對于國內(nèi)三代半廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實力后，拓展海外市場也更加從容。

隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動作開展，競爭更加激烈的同時，行業(yè)會更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快，有助于推動行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進步。（來源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機電、中微公司、北方華創(chuàng)、迪思科（DISCO）、日本真空技術(shù)株式會社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤視覺等，覆蓋了MOCVD、離子注入、襯底片、外延片、功率器件等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕表示，本次SEMICON China 2024展會以設(shè)備、材料為主，重點包括半導(dǎo)體設(shè)備零部件、設(shè)備整機、電子化學(xué)品、高純氣體、晶圓原材料等，其中可以發(fā)現(xiàn)許多國產(chǎn)廠商的身影，特別是在真空閥門、流體控制系統(tǒng)、電源系統(tǒng)等設(shè)備零部件領(lǐng)域，以及光刻膠等電子化學(xué)品等領(lǐng)域。另外，化合物半導(dǎo)體是本次展會的一大重點，包括碳化硅襯底片、外延片及設(shè)備材料等領(lǐng)域，這也與近年來電動汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展緊密相關(guān)。

總體來看，第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備壁壘較高，國際廠商依舊占據(jù)較大市場。材料上國產(chǎn)廠商則取得了長足進展，如天岳先進、天科合達成功打入全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場前十榜單。

一、材料：8英寸產(chǎn)品不斷開出，國產(chǎn)替代卓有成效

展會現(xiàn)場展出了許多半導(dǎo)體材料，如美科瑞先進材料帶來了多款拋光液，容大感光、科華、寧波南大光電均展出了光刻膠等材料，第三代半導(dǎo)體材料廠商也非常多，天岳先進攜其高品質(zhì)6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相展會；天科合達則公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品；天域半導(dǎo)體重點展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品；同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底；中電科半導(dǎo)體材料則攜山西爍科、河北普興、南京國盛電子的硅基氮化鎵外延、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延、硅外延等多款產(chǎn)品參展；中環(huán)領(lǐng)先也在現(xiàn)場展示了其外延片產(chǎn)品；賀利氏則現(xiàn)場展示了碳化硅封裝材料；南京百識電子則帶來了碳化硅外延片；中機新材則展示了SiC襯底輔助材料。

Resonac

Resonac前身是昭和電工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收購了規(guī)模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式組建了Resonac化學(xué)品集團。本次其主要是帶來了半導(dǎo)體材料的解決方案。2023年2月消息，英飛凌與Resonac Corporation簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在碳化硅材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在準(zhǔn)備對日本分散的芯片材料行業(yè)進行新一輪整合，并表示這家化學(xué)品制造商可能會出手收購關(guān)鍵公司JSR的股份。

山東天岳先進

天岳先進長期專注碳化硅襯底研發(fā)，目前該公司已實現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)。目前該公司在8英寸產(chǎn)品上也已經(jīng)在加速布局，用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底更是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。2023年，天岳先進在導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)模化供應(yīng)能力上持續(xù)展現(xiàn)超預(yù)期成果。其碳化硅半導(dǎo)體材料項目計劃于2026年實現(xiàn)全面達產(chǎn)，屆時6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達到30萬片。天岳先進品牌負責(zé)人表示，在全球前十大功率半導(dǎo)體廠商中，有一半已經(jīng)建立合作關(guān)系。

天科合達

天科合達公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品，其中8英寸產(chǎn)品包括N形SiC襯底、SiC外延片等，并現(xiàn)場披露了直徑、晶型、厚度等相關(guān)參數(shù)。2023年5月，天科合達與英飛凌簽訂了一份長期協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的6英寸碳化硅襯底和晶錠，其供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng)，但天科合達也將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸晶圓過渡。

2023年8月，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅襯底二期擴產(chǎn)項目開工。據(jù)悉，江蘇天科合達二期項目將新增16萬片碳化硅襯底產(chǎn)能，并計劃今年6月建設(shè)完成，8月竣工投產(chǎn)，屆時江蘇天科合達總產(chǎn)能將達到23萬片。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場，天域半導(dǎo)體重點展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示，公司于2021年開始了8英寸的技術(shù)儲備，于2023年7月進行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣；超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當(dāng)。

天成半導(dǎo)體

天成半導(dǎo)體已完成6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，在本次展會展出了8寸導(dǎo)電型SiC襯底。據(jù)悉，新開發(fā)的6英寸導(dǎo)電型SiC襯底部分TSD缺陷密度低至0個/cm2，部分致命性缺陷BPD則低至32個/cm2；而在量產(chǎn)過程中，可以做到65%的襯底產(chǎn)品TSD＜100個/cm2、BPD＜100個/cm2。

中電科材料

山西爍科、河北普興、南京國盛電子均為中電科半導(dǎo)體材料的子公司。展會中，山西爍科展示6/8英寸N型及高純半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，重點展示了350微米厚8英寸碳化硅襯底。其主營產(chǎn)品包含高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅單晶襯底、碳化硅晶體等。據(jù)悉，其4英寸高純半絕緣碳化硅襯底國內(nèi)市場占有率超50%，6英寸N型碳化硅襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，公司還是國內(nèi)第一家生產(chǎn)出8英寸N型碳化硅襯底和8英寸高純半絕緣碳化硅襯底的公司，產(chǎn)業(yè)規(guī)模及工藝技術(shù)達國際先進水平。

本次展會上，國盛電子則展示了其8英寸Si和氮化鎵外延片，去年12月22日，國盛電子南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。據(jù)悉，該公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。

普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。作為國內(nèi)外延材科領(lǐng)先企業(yè)，普興電子主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、碳化硅外延片，據(jù)悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)。

中環(huán)領(lǐng)先

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列亮相展會，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

賀利氏

賀利氏（Zadient）現(xiàn)場展示了包括燒結(jié)膏、銅線、大面積燒結(jié)技術(shù)乃至Die Top System(DTS)材料系統(tǒng)在內(nèi)的完整解決方案，可覆蓋新一代碳化硅功率模塊封裝的各類工程需求。2023年11月，賀利氏宣布收購了一家初創(chuàng)企業(yè)Zadient Technologies，宣告進入碳化硅粉料和碳化硅晶錠生長領(lǐng)域。據(jù)悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合資的碳化硅源粉廠商，不同于國內(nèi)主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通過化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料。

河北同光股份

同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底。據(jù)悉，該公司主要產(chǎn)品包括導(dǎo)電型、半絕緣型碳化硅襯底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶體規(guī)?；慨a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，引進了國內(nèi)外先進襯底加工及檢測設(shè)備，全面導(dǎo)入和推行ISO9001、IATF16949質(zhì)量管理體系，形成了專業(yè)、先進、完整、穩(wěn)定的碳化硅襯底生產(chǎn)線。

南京百識電子

展會上，百識電子展示了其6-8英寸第三代半導(dǎo)體外延產(chǎn)品。百識電子成立于2019年8月，主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應(yīng)用。

深圳中機新材

深圳中機新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品來到展會，中機新材是一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。尤其在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域，公司取得多項關(guān)鍵性技術(shù)突破。

二、設(shè)備：龍頭企業(yè)頗多，國產(chǎn)設(shè)備廠商加速追趕

展會現(xiàn)場許多全球知名設(shè)備廠商現(xiàn)場展出了其代表性產(chǎn)品，如晶盛機電、中微公司、愛發(fā)科等等。

3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半導(dǎo)體設(shè)備報告，報告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達創(chuàng)紀(jì)錄的 1370 億美元（約 9864 億元人民幣）。據(jù)悉，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長 12% 和 5%。SEMI 表示，半導(dǎo)體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲領(lǐng)域市場的復(fù)蘇和對高性能計算（HPC）和汽車應(yīng)用的強勁需求。

晶盛機電

本次展會中，晶盛機電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備、12英寸全自動減薄拋光設(shè)備三款新品。據(jù)悉，該公司圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在集成電路用大硅片領(lǐng)域，為行業(yè)提供整體設(shè)備解決方案；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國產(chǎn)替代；在先進制程領(lǐng)域，圍繞CVD等核心設(shè)備進行研發(fā)，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局，堅持“強鏈補鏈”推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是我國設(shè)備龍頭企業(yè)，也是目前唯一的平臺級半導(dǎo)體設(shè)備廠商（設(shè)備類型覆蓋ICP刻蝕（ICP+CCP）、沉積設(shè)備（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（氣體流量質(zhì)量控制器）等）。此次展會，北方華創(chuàng)亮相了SiC系列設(shè)備產(chǎn)品，覆蓋長晶、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

從近五年財報數(shù)據(jù)看，北方華創(chuàng)從2019年的40.58億元營收成長為2023年的220億元（2023年預(yù)計營收在210~230億元間，取中位），CAGR（年復(fù)增長率）為52.6％。凈利潤從3.09億元成為至38.80億元（2023年預(yù)計營收在210~230億元間，取中位），CAGR為88.2％。毛利率穩(wěn)定在35％~45％間，并呈現(xiàn)上升趨勢。

中微公司

中微公司重點發(fā)展刻蝕（CCP與ICP）、物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積三大類設(shè)備。此外，公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。

大族半導(dǎo)體

大族半導(dǎo)體在本次展會中展示了最新研發(fā)的全自動激光全切機，并首次公開展出工業(yè)級多波段脈沖激光器、100W飛秒激光器等。碳化硅領(lǐng)域，大族半導(dǎo)體主要帶來SiC 晶錠激光切片設(shè)備、SiC激光退火設(shè)備等產(chǎn)品。據(jù)悉，大族半導(dǎo)體主研應(yīng)用于硅、SiC、砷化鎵、GaN等材料的加工工藝，并一直致力開發(fā)性能優(yōu)異的碳化硅切割解決方案。

昂坤視覺

本次展會，昂坤視覺帶來了旗下最新的化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測方案。公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，是一家光學(xué)測量及檢測設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品國際聞名。其致力于為化合物半導(dǎo)體光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)測量和光學(xué)檢測設(shè)備及解決方案，現(xiàn)有產(chǎn)品包括MOCVD在線監(jiān)測設(shè)備、LED照明缺陷檢測設(shè)備、化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測設(shè)備及集成電路缺陷檢測設(shè)備等。

特思迪

北京特思迪本次展示了最新的減薄、拋光、CMP設(shè)備產(chǎn)品。去年10月末消息，特思迪完成B輪融資，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動減薄設(shè)備目前已投入市場，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過工藝測試進入量產(chǎn)階段。

愛發(fā)科（ULVAC）

愛發(fā)科本次帶來了先進綜合真空解決方案。其總部位于日本，以真空技術(shù)為核心，F(xiàn)PD平板顯示制造及PV光伏產(chǎn)業(yè)制造設(shè)備、半導(dǎo)體及電子部品制造設(shè)備、濺射靶材材料、先端材料等為主要業(yè)務(wù)。此前消息顯示，愛發(fā)科在第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)域中的設(shè)備類型有SiC功率半導(dǎo)體器件中的離子注入、濺射、刻蝕及蒸鍍設(shè)備；GaN HEMT領(lǐng)域則有uGmni系列干法刻蝕設(shè)備等。

迪思科（DISCO）

日本半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)迪思科主要在“切、削、磨”技術(shù)方面具有優(yōu)勢。據(jù)悉，迪思科的設(shè)備類型非常廣泛，不僅是通用產(chǎn)品，還致力于開發(fā)HBM、使用電力效率高的碳化硅（SiC）晶圓的功率半導(dǎo)體等。行業(yè)消息顯示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割設(shè)備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。據(jù)悉，由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。

德國Centrothern

centrotherm是總部位于德國，是全球領(lǐng)先的熱處理設(shè)備供應(yīng)商，已有70多年的高溫?zé)崽幚砑夹g(shù)的開發(fā)經(jīng)驗。此次展會，centrotherm主要展示了快速熱退火、高溫?zé)嵫趸仍O(shè)備。此前行業(yè)消息顯示，centrotherm2021年8英寸碳化硅爐管設(shè)備建立了較為成熟的設(shè)備平臺體系，其三種熱處理設(shè)備（柵極氧化爐、退火爐、快速熱處理）均可兼容6/8英寸。

德國PVA TePla

德國 PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍，其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長設(shè)備，在本次展會中德國 PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品，

并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長設(shè)備“SICN”，其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體，預(yù)計計劃今年二季度投入市場。

PVA TePla推出的SICN新品優(yōu)勢

上海邦芯半導(dǎo)體

上海的邦芯半導(dǎo)體主要為客戶提供全方位的解決方案，本次展會中邦芯半導(dǎo)體在化合物端帶來的設(shè)備主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半導(dǎo)體工藝WCVD設(shè)備。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備。

思銳智能

本次展會，青島思銳智能帶來了離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相，今年3月1日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司宣布完成了數(shù)億元B輪融資。思銳智能聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。目前，思銳智能已形成“雙主業(yè)”布局，公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備。廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

杭州西湖儀器

杭州西湖儀器成立于2021年12月主營SiC碳化硅襯底激光切片及剝離設(shè)備。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要有SiC襯底激光切片、剝離設(shè)備，并有SiC激光平坦化、激光檢測、激光劃片設(shè)備、激光拋光設(shè)備正在研發(fā)中。

來源：全球半導(dǎo)體觀察

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據(jù)TrendForce集邦咨詢了解到，此次展會，意法半導(dǎo)體、瀚薪科技、泰科天潤、愛仕特、華潤微電子、飛锃半導(dǎo)體、芯導(dǎo)科技、國星光電、蓉矽半導(dǎo)體、銀河微電、應(yīng)能微電子、美浦森半導(dǎo)體、翠展微電子、中瑞宏芯等企業(yè)攜旗下SiC和GaN的新研發(fā)成果和先進技術(shù)亮相，面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領(lǐng)域。

芯導(dǎo)科技

本次展會，芯導(dǎo)科技帶來了多種GaN和SiC功率器件。

SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。

GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護 IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的開發(fā)及應(yīng)用。

國星光電

國星光電在此次活動中攜帶GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，國星光電展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒壓電源、GaN場效應(yīng)晶體管以及33W快充墻插。

國星光電推出的GaN驅(qū)動電源的開關(guān)頻率高、體積縮小了1/3、重量更輕且電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加緊湊，功率密度高。其擁有極低的功率損耗，轉(zhuǎn)換效率高。相比于Si基，工作溫度更高，惡劣工況環(huán)境適應(yīng)能力得到了提升。該驅(qū)動電源可用于LED照明、整屋低壓供電、低壓電機驅(qū)動等應(yīng)用。

SiC方面，國星光電帶來了多樣式SiC分立器件和SiC功率模塊。

國星光電推出了超薄內(nèi)絕緣SiC分立器件，該產(chǎn)品采用了自有的專利技術(shù)，讓產(chǎn)品尺寸降低了30%，性能更穩(wěn)定。

國星光電還展示了獲得車規(guī)級認證 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可滿足各大主流汽車廠家對高可靠性功率器件的要求。

瀚薪科技

瀚薪科技在本次展會中重磅推出650V和1200V低內(nèi)阻產(chǎn)品，1700V系列新品和H4S系列第四代Diode，T2PAK等產(chǎn)品。

瀚薪科技是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè)，是國內(nèi)一家能大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的本土公司。

華潤微電子

在此次展會上,華潤微電子攜功率器件和模塊產(chǎn)品 (低壓MOSFET、SiC、IGBT、GaN) 、IPM配套方案、MCU安全芯片、MEMS安全芯片等豐富產(chǎn)品亮相。

華潤微電子是擁有芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè)，公司產(chǎn)品設(shè)計自主、制造過程可控，在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線。

銀河微電

銀河微電是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，具備IDM模式下的一體化經(jīng)營能力。在本次展會上，其推出了650V/1200V SiC肖特基二極管產(chǎn)品，為工程師設(shè)計各種應(yīng)用的轉(zhuǎn)換電路提供了理想的解決方案。

應(yīng)能微電子

應(yīng)能微電子作為領(lǐng)先的高性能保護器件和功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計研發(fā)商參加了此次盛會，并展示包含6英寸SiC晶圓板和SiC MOSFET在內(nèi)的眾多新產(chǎn)品和行業(yè)解決方案。

飛锃半導(dǎo)體

飛锃半導(dǎo)體在展臺上集中展示一系列創(chuàng)新成果，包括SiC MOSFET、SiC二極管、SiC功率模塊，用于新能源汽車和光伏儲能等熱門領(lǐng)域。

飛锃半導(dǎo)體成立至今一直對技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)投入和積累，隨著第三代SiC MOSFET通過可靠性測試認證，飛锃半導(dǎo)體進一步豐富了SiC MOSFET產(chǎn)品線。本次展出的第三代1200V 14/18/30/40/80mohm SiC MOSFET，可廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏&儲能、車載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域。

美浦森半導(dǎo)體

美浦森半導(dǎo)體攜6英寸SiC 減薄晶圓以及SiC DIODE產(chǎn)品亮相。

美浦森半導(dǎo)體是一家專業(yè)功率半導(dǎo)體元器件全產(chǎn)業(yè)鏈公司。目前，美浦森半導(dǎo)體MOSFET和SiC系列產(chǎn)品在LED電源、PD電源、PC和服務(wù)器電源、光伏逆變、UPS、充電樁、智能家居、BLDC、BMS、小家電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

作為一家致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件設(shè)計與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，蓉矽半導(dǎo)體攜旗下明星產(chǎn)品在展會上亮相。

本次蓉矽半導(dǎo)體重點展示了1200V 75/40/12mΩ NovuSiC? MOSFET與1200V 10/20/30A NovuSiC? EJBS。

在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達97%以上。在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。

意法半導(dǎo)體（ST）

本次慕尼黑華南電子展上，意法半導(dǎo)體（ST）為觀眾帶來智能出行、電源與能源、物聯(lián)網(wǎng)&互聯(lián)等三大板塊的產(chǎn)品和智能解決方案。

ST重點展示人工智能，個人居家用品及工業(yè)應(yīng)用等創(chuàng)新型解決方案；旨在展現(xiàn)產(chǎn)品與技術(shù)的同時，充分傳達ST的可持續(xù)發(fā)展理念；并通過ST的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案讓日常應(yīng)用變得更智能、更安全、更節(jié)能。

泰科天潤

泰科天潤在本次慕展上展出了SiC MOSFET、650V/60A混合單管、1700V/0.5A SMA封裝SiC二極管和2000V系列產(chǎn)品。

據(jù)工作人員介紹，他們還帶來了目前業(yè)界最小SiC器件，封裝尺寸僅為1.8*3.7*1.15mm，電壓電源為650V~1200V（1A）。

除此之外，泰科天潤還推出了GaN+SiC的140W適配方案。

愛仕特科技

愛仕特攜最新SiC MOSFET系列產(chǎn)品以及全系車規(guī)級SiC功率模塊及應(yīng)用解決方案亮相本次展會。愛仕特重點展出了SiC功率器件、電機控制器等方案，為眾多不同領(lǐng)域客戶提供豐富的產(chǎn)品組合和穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，目前已實現(xiàn)電壓650~3300V，電流5~150A的SiC MOSFET量產(chǎn)供貨。

中瑞宏芯半導(dǎo)體

本次展會，中瑞宏芯主要展出的產(chǎn)品包括：1200V/13mΩ SiC MOSFET、Six-pack三相全SiC模塊、1200V/80mΩ車規(guī)級SiC MOSFET以及650V~1700V全系列全規(guī)格不同封裝形式的SiC JBS和SiC MOSFET。

中瑞宏芯在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已全面掌握從芯片設(shè)計、仿真建模到測試應(yīng)用、量產(chǎn)導(dǎo)入全流程know-how，產(chǎn)品主要包括SiC肖特基二極管JBS和SiC MOSFET功率器件等。

翠展微電子

作為一家具備4條功率器件封測線，汽車模塊年產(chǎn)能接近70萬只的中國本土功率器件公司，翠展微電子帶來了全新的TPAK封裝解決方案。

TPAK封裝尺寸既可布置單顆晶圓芯片，也可并聯(lián)兩顆晶圓芯片，特別是應(yīng)對成本較高的SiC，降本優(yōu)勢更為明顯。

翠展微電子硬件研發(fā)經(jīng)理凌歡表示：“TPAK封裝是專門為克服TO-247等封裝方案缺陷而設(shè)計的解決方案，采用該封裝方案的產(chǎn)品已經(jīng)在特斯拉Model 3、Model Y等車型上得到批量應(yīng)用，目前國內(nèi)也有一些車型正在驗證，相信采用TPAK封裝方案的功率器件產(chǎn)品將會在接下來幾年內(nèi)得到大力推廣?！?/p>

翠展微電子已在開發(fā)基于TPAK封裝的SiC器件，據(jù)凌歡透露，首款5.5mΩ/1200V SiC模塊產(chǎn)品預(yù)計于2024年Q2量產(chǎn)上市。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

TrendForce集邦咨詢旗下光電研究機構(gòu)LEDinside走訪了精密光學(xué)&攝像頭技術(shù)及應(yīng)用、激光技術(shù)及智能制造、智能傳感、紅外技術(shù)及應(yīng)用相關(guān)的4個展館，聚焦AR/VR應(yīng)用、新型顯示、紫外LED、紅外/VCSEL等四個方向，從20余家企業(yè)的視角了解各領(lǐng)域的前沿技術(shù)、產(chǎn)品及當(dāng)下的市場行情。

AR/VR

要說人氣旺之處，就不得不提AR/VR產(chǎn)品及創(chuàng)新應(yīng)用展區(qū)，該展區(qū)設(shè)在5號館，是今年展示區(qū)中的一個亮點。JBD上海顯耀、水晶光電、耐德佳等廠商均在展位展示了AR/VR眼鏡等終端產(chǎn)品，吸引多數(shù)觀眾駐足體驗，流連忘返。

耐德佳

JBD、水晶光電均展示了基于Micro LED的AR眼鏡。從工作人員透露的消息可知，相比去年，Micro LED結(jié)合光波導(dǎo)的方案的成熟度已有所提高，Micro LED光引擎在終端的測試驗證和應(yīng)用正在積極推進中，接下來更多新方案及終端產(chǎn)品將問世。

JBD

具體來看，JBD展示了Hummingbird蜂鳥系列的單綠色、全彩Micro LED微顯示屏（0.13/0.22/0.31吋）及AR眼鏡（影目科技品牌）。據(jù)LEDinside了解，目前JBD的單色/彩色Micro LED微顯示屏均已實現(xiàn)量產(chǎn)，后續(xù)搭載彩色Micro LED微顯示屏的終端產(chǎn)品也即將上市。

JBD AR眼鏡的全彩圖

JBD眼鏡

另值得一提的是，JBD還宣布已正式發(fā)布單片全彩垂直堆疊Micro LED微顯示屏Phoenix鳳凰系列原型。該系列有別于蜂鳥系列（Micro LED光引擎是由三個獨立的紅、綠、藍單色面板與X-cube棱鏡組合而成，主要針對30°FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡應(yīng)用），鳳凰系列采用單片式全彩垂直堆疊結(jié)構(gòu)，專為50°以上FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡而設(shè)計。

作為AR核心光學(xué)模組供應(yīng)商，水晶光電展位的焦點也落在Micro LED AR眼鏡上，觀眾紛紛排隊佩戴，感受顯示的效果。水晶光電本次展示的是由終端合作品牌提供的Micro LED單綠色及全彩AR眼鏡，同時也展示了Micro LED光引擎。

水晶光電 單綠色眼鏡

水晶光電 全彩眼鏡

據(jù)介紹，水晶光電展示的AR眼鏡玉衡整機采用分辨率為640×480、視場角為28°±1°的Micro LED全彩微型光機，所用波導(dǎo)片透過率超過80%。

水晶光電 光引擎

Micro LED顯示芯片廠商鐳昱半導(dǎo)體雖不在AR產(chǎn)品及應(yīng)用展區(qū)，但也提供了全彩光波導(dǎo)AR眼鏡鏡片體驗區(qū)，并重點展示了全彩Micro LED微顯示解決方案，其中，0.11吋產(chǎn)品據(jù)稱是全球尺寸最小的單片式全彩Micro LED微顯示屏，像素密度達7200 PPI，分辨率為320×240。

鐳昱半導(dǎo)體

鐳昱半導(dǎo)體鏡片

Micro LED微顯示解決方案相關(guān)供應(yīng)商中，思坦科技、君萬微也都帶來了AR產(chǎn)品解決方案。其中，思坦科技展示了0.13吋（640×480）和0.18吋（800×600）、0.45吋（1080P）單綠Micro LED顯示模組。0.13吋微顯示屏亮度超200萬nits，功耗低于200mW，適配于戶外場景下的輕量化AR眼鏡。除了AR應(yīng)用，思坦科技也推出了用于3D打印、車載AR-HUD、瞄具產(chǎn)品、測距儀產(chǎn)品等的全套Micro LED顯示技術(shù)解決方案。

思坦科技展位

思坦科技

新型顯示

今年光博會特在2號館內(nèi)開設(shè)了新型顯示展區(qū)，上述鐳昱半導(dǎo)體、思坦科技、君萬微等便都在該展區(qū)內(nèi)，芯穎、華引芯、TCL華星、天馬微、維信諾等芯片、面板廠以及邁為、海目星等設(shè)備廠商也齊聚在新型顯示展區(qū)。

芯穎顯示是TCL華星與泉州三安合資成立的Micro LED技術(shù)公司，本次攜芯片及顯示屏亮相，芯片展品包括像素化排列的Micro LED芯片COC和可轉(zhuǎn)移Micro LED芯片COC，顯示屏展品則展示了與TCL華星聯(lián)合開發(fā)的1.37吋高分辨率Micro LED顯示屏和7.1吋柔性Micro LED顯示屏。

芯穎

三安光電本次雖沒有在新型顯示展區(qū)獨立設(shè)展位，但其在8號館的展位上C位展出了146吋4K P0.833mm Micro LED大屏，該顯示屏采用MiP技術(shù)，所用芯片尺寸為34×58μm。目前，三安光電已與院校達成合作，產(chǎn)品已在院校內(nèi)落地應(yīng)用。

三安Micro LED

TCL華星的展品則涵蓋了LCD、Mini LED、OLED三大技術(shù)，以電競顯示器及曲面顯示器應(yīng)用為重點。其中，Mini LED產(chǎn)品包括32吋240Hz超高清顯示器、27吋QHD全高清電競顯示屏、34吋WQHD高性價比曲面顯示器、34吋WQHD165Hz R1500極致超薄曲面電競屏。

TCL華星Mini LED顯示器

TCL華星Mini LED曲面顯示器

天馬微重點展示Micro LED透明屏、柔性AMOLED屏以及可折疊屏。其中，8.75吋Micro LED透明屏分辨率為880×480，亮度為800cd/㎡，透明度超70%。9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏分辨率為960×480，峰值亮度為1500cd/㎡，可調(diào)透明度為10-24%。兩款產(chǎn)品均采用TFT LTPS主動驅(qū)動技術(shù)，像素密度為114，面向車載顯示應(yīng)用。

天馬8.75吋Micro LED透明屏

天馬9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏

維信諾重點展示了柔性AMOLED顯示屏，其12.3吋柔性AMOLED動態(tài)卷曲全模組兼具科技和藝術(shù)感，現(xiàn)場頗為引人注目。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用超薄模組結(jié)構(gòu)設(shè)計，配合自主疊層及中性層優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)全模卷曲半徑5mm，圈數(shù)7圈，卷曲可靠性超10萬次。

維信諾12.3吋柔性AMOLED動態(tài)卷曲全模組

維信諾柔性AMOLED車載一體化顯示終端解決方案

華引芯在顯示方面主要展示了Mini LED芯片及Mini LED背光車載顯示屏、電競顯示屏及VR等穿戴顯示解決方案。其中，12.3吋Mini LED車載顯示屏集成了3840顆Mini LED，具有320個控光分區(qū)，采用0 OD設(shè)計，亮度為≥1200nits@13W，可實現(xiàn)NTSC≥95%的廣色域效果。VR應(yīng)用部分，華引芯展示了2.1吋背光源產(chǎn)品，Mini LED顆數(shù)和分區(qū)數(shù)都為490+，亮度達10萬nits。

華引芯一站式整車光源解決方案

12.3吋Mini LED車載顯示屏

設(shè)備廠商中，邁為重點展示了MLED全線設(shè)備解決方案，對應(yīng)外延、芯片到封裝的生產(chǎn)需求。其中，Mini LED設(shè)備推出了激光隱切設(shè)備MX-LSD；Micro LED解決方案包括激光剝離設(shè)備MX-LLO、巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT和巨量鍵合設(shè)備MX-LCB。其中，Micro LED激光剝離設(shè)備掃描速度為0-5000mm/s，運動軸重復(fù)定位精度為≤1μm，適用于8吋內(nèi)Micro LED藍寶石晶圓及紅光晶圓片。據(jù)透露，邁為MLED設(shè)備具備較高的效率、精度和良率，現(xiàn)已與芯片、封裝及面板等領(lǐng)域的頭部企業(yè)展開緊密合作。

激光隱切設(shè)備MX-LSD

剝離設(shè)備MX-LLO

巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT

海目星激光主要介紹了Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備及Mini LED巨量焊接設(shè)備、三合一返修設(shè)備等解決方案。其中，Mini LED巨量焊接設(shè)備用于Mini LED整板芯片高質(zhì)量焊接工藝，可取代傳統(tǒng)工藝的回流焊，應(yīng)用兼容Mini LED直顯模組、背光板以及COB封裝、MiP封裝等多種產(chǎn)品。

海目星

三合一返修設(shè)備

紅外/VCSEL

在8號紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，三安光電、升譜光電等LED相關(guān)廠商推出了紅外及VCSEL解決方案，ams OSRAM以及純VCSEL供應(yīng)商縱慧芯光、長光華芯等也攜各類別產(chǎn)品與解決方案亮相6號館智能傳感展。

根據(jù)LEDinside了解，目前VCSEL產(chǎn)品在消費電子市場的應(yīng)用較為廣泛，而且這一領(lǐng)域的競爭已經(jīng)趨于白日化，而車載激光雷達及工業(yè)等應(yīng)用則成為相關(guān)廠商布局的重點。

本次三安的VCSEL產(chǎn)品由旗下三安集成在12號館信息通信展上展出，具體產(chǎn)品包含高功率消費類VCSEL、紅色可見光VCSEL、高速數(shù)通VCSEL/VCSEL陣列/VCSEL封裝件、超高速數(shù)通VCSEL等。

據(jù)了解，三安集成的3D傳感等消費類用VCSEL產(chǎn)品均已實現(xiàn)了量產(chǎn)出貨，目前VCSEL激光芯片產(chǎn)品主攻車載激光雷達、工業(yè)加熱、醫(yī)療美容和Proximity接近傳感等應(yīng)用領(lǐng)域。

三安VCSEL產(chǎn)品

另外，三安光電紅外產(chǎn)品主要展示了940nm有紅爆和無紅爆攝像頭燈板，主要用于攝像頭補光照明功能；同步展出的血氧905nm發(fā)射芯片，可結(jié)合其PD信號接收芯片，實現(xiàn)終端產(chǎn)品測試血氧含量的功能。

三安紅外產(chǎn)品

升譜光電在傳統(tǒng)業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，開拓了VCSEL、紅外、紫外LED等新興業(yè)務(wù)。本次VCSEL部分主要展示了3D面陣ToF傳感器應(yīng)用解決方案，適用于工控識別類產(chǎn)品。據(jù)透露，目前升譜VCSEL產(chǎn)品在掃地機器人、藍牙耳機等消費類產(chǎn)品中的應(yīng)用較多。

升譜VCSEL

紅外產(chǎn)品部分，升譜光電推出IR LED、紅外發(fā)射管、IR&PD LED、紅外激光器等解決方案。其中，紅外發(fā)射管展示了紅外電梯光幕應(yīng)用，IR & PD LED展示了紅外觸摸屏應(yīng)用。

紅外電梯光幕應(yīng)用

ams OSRAM帶來了豐富的智能傳感產(chǎn)品，覆蓋3D傳感、接近傳感、工業(yè)視覺、車載激光雷達等。其中比較吸睛的是未來駕駛體驗區(qū)，該區(qū)域展示了2D及3D結(jié)構(gòu)光、艙內(nèi)傳感方案，結(jié)合了可供比較的雙紅外光源VCSEL模組和紅外LED。此外，ams OSRAM還展示了用于AR/VR、元宇宙等超高精度3D結(jié)構(gòu)光投射器，采用高效高功率VCSEL。

ams OSRAM

3D結(jié)構(gòu)光投射器

未來駕駛體驗區(qū)

縱慧芯光及長光華芯等兩家VCSEL主要供應(yīng)商均帶來了豐富的VCSEL產(chǎn)品系列。

縱慧芯光展出了用于消費電子、汽車電子、安防/醫(yī)療及光通訊的VCSEL芯片解決方案，針對車載激光雷達應(yīng)用，縱慧芯光還展示了自主開發(fā)的驅(qū)動板，可用于激光雷達測試。

縱慧芯光

驅(qū)動板

長光華芯則展示了工業(yè)視覺、車載激光雷達、智能消費終端、智能家居等應(yīng)用產(chǎn)品解決方案，展品包含VCSEL晶圓及多個系列的VCSEL芯片。目前，長光華芯VCSEL產(chǎn)品在車載激光雷達領(lǐng)域的應(yīng)用已取得了較多進展。

長光華芯

車載激光雷達產(chǎn)品

通快激光本次展位也以VCSEL為主題，展示了一系列解決方案。例如，集成光電二極管的VCSEL（ViP）作為新品展出，具備緊湊可靠的優(yōu)點，可安裝在透明屏幕后面。其他展品還包括：工業(yè)加熱TruHeat VCSEL系統(tǒng)，可用于電動交通；精度氣體傳感采用了760-766nm單模VCSEL，可實時光學(xué)測量。

通快激光

集成光電二極管的VCSEL（ViP）

UV/UV LED

與上一屆一樣，紫外展區(qū)設(shè)于紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，升譜光電、鴻利秉一、臺塑集團福機裝、中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電等均帶來了UV/UV LED產(chǎn)品。

華引芯

綜合幾家廠商的消息可知，相比前兩年，UV LED市場降溫了不少，但各家仍看好該細分市場在空氣殺菌、水殺菌等場景的應(yīng)用機會。此外，308/222nm準(zhǔn)分子技術(shù)已經(jīng)開始打開了醫(yī)療、印刷固化等的應(yīng)用空間。據(jù)鴻利秉一工作人員介紹，其308nm準(zhǔn)分子燈在醫(yī)療市場有較大的需求，業(yè)務(wù)拓展良好。目前，國內(nèi)相關(guān)研究院也在對308/222nm紫外光源展開積極的技術(shù)研究和應(yīng)用拓展。

鴻利秉一UV LED

準(zhǔn)分子燈

升譜光電針對紫外殺菌應(yīng)用展示了集成UVC LED動態(tài)水殺菌模組的紫外殺菌水龍頭。據(jù)透露，該產(chǎn)品主要針對海外市場開發(fā)，以水龍頭整套產(chǎn)品出貨海外客戶。

UVC LED動態(tài)水殺菌模組

臺塑集團旗下福機裝是首次參加中國大陸的展會，重點展示了空氣殺菌解決方案。據(jù)介紹，福機裝在空氣殺菌市場發(fā)展較為迅速，產(chǎn)品已廣泛用在電梯、超市、辦公室等領(lǐng)域。

福機裝

中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電則展示了涵蓋水殺菌、空氣殺菌、表面殺菌等的一系列產(chǎn)品及解決方案。ams OSRAM雖不在紫外展區(qū)，也通過飲水機水殺菌及表面消毒裝置等展示了其UV LED解決方案。

中科潞安

至芯半導(dǎo)體

ams OSRAM

小結(jié)

本屆展會匯聚了3000多家企業(yè)，而僅從20多家廠商的產(chǎn)品及給出的信息就可以看到，技術(shù)發(fā)展邊界之廣、產(chǎn)品創(chuàng)新與迭代速度之快，新興領(lǐng)域也不例外，無論是老玩家還是新創(chuàng)者，都需要保持創(chuàng)新，才能在激流中勇進，在不同賽道站穩(wěn)腳跟。從觀眾的視角來看，更多新技術(shù)、新產(chǎn)品的推出，有望進一步讓生活與工作豐富化、智能化、便利化。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

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展覽范圍包括功率半導(dǎo)體、集成電路、被動元件、電磁及磁性材料、散熱管理、傳感器、裝配和子系統(tǒng)、電氣傳動、功率轉(zhuǎn)換器、電能質(zhì)量和儲能、測量和測試、軟件開發(fā)、信息及服務(wù)等，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到，此次展會，三菱電機、英飛凌、羅姆、安森美、富士電機、中車、東芝、Power Integrations、賽米控-丹佛斯等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進技術(shù)，面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領(lǐng)域。

三菱電機

此次展會現(xiàn)場，三菱電機重點展示了用于工業(yè)新能源、軌道交通、電動汽車、家用電器等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體解決方案。

三菱電機目前正在開發(fā)下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術(shù)。同時該系列模塊將采用三菱電機擅長的壓注模工藝，在保證可靠性的同時，大大提升生產(chǎn)效率。

三菱還展示了高頻用混合SiC模塊等產(chǎn)品，有助于小型化輕量化，同時低電感封裝有助于減小浪涌電壓。

英飛凌

英飛凌本次設(shè)立了“綠色能源與工業(yè)”、“電動交通和電動出行”、“智能家居”三大主題展區(qū)，展示相應(yīng)的功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新解決方案。

在電動交通和電動出行展區(qū)，英飛凌展示了HybridPACK Drive產(chǎn)品系列、CoolGaN SG HEMT開關(guān)等。在綠色能源與工業(yè)展區(qū)，英飛凌展示了用于風(fēng)光儲系統(tǒng)的多種解決方案，包括用于光伏發(fā)電的2000V 60A EasyPACK CoolSiC MOSFET 3B碳化硅模塊和45A三電平Boost MPPT模塊等。

羅姆

針對日益增長的中國市場需求，羅姆本次重點展示了最新的SiC和GaN產(chǎn)品解決方案。

SiC方面，羅姆帶來了面向車載應(yīng)用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示以及8英寸SiC襯底。羅姆在SiC功率器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位，其先進的SiC MOSFET技術(shù)實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，充分地減少了開關(guān)損耗。

GaN方面，羅姆分別展示了150V和650V的GaN HEMT，同時還推出了EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。

安森美

本次展會上，安森美重點展示了其完全垂直整合的SiC生態(tài)系統(tǒng)，從基本的原材料到完整封裝的SiC器件的交付。

具體來看，本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半橋1200V EliteSiC PIM、以及用于光儲充市場的功率集成模塊、用于電動汽車主驅(qū)逆變器的VE-Trac系列等等。

功率器件作為光儲充系統(tǒng)的核心器件，安森美現(xiàn)場展示了為上能電氣、古瑞瓦特實現(xiàn)商用與住宅光儲充一體化系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，提供涵蓋低、中、高功率范圍的功率集成模塊（PIM），實現(xiàn)高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計。

東芝

東芝本次主要面向風(fēng)力發(fā)電、牽引、電力輸配電、工業(yè)變頻器等領(lǐng)域的應(yīng)用，推出相應(yīng)的功率器件解決方案。

本次東芝展出產(chǎn)品包括雙柵極RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模塊、智能功率器件、車載分立器件以及分立器件封裝產(chǎn)品線。

對于SiC產(chǎn)品，東芝本次重點展出1700V和3300V的SiC模塊MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3，這兩款產(chǎn)品是更小、更高效的工業(yè)設(shè)備的理想選擇。

富士電機

富士電機一直是全球功率半導(dǎo)體主流供應(yīng)商之一，其本次展示了豐富的產(chǎn)品線。

第二代1200V/1700V全SiC模塊是富士電機本次的重點展示產(chǎn)品。封裝主端子部分采用層壓結(jié)構(gòu)，降低了內(nèi)部電感。另外模塊的封裝外形繼續(xù)保持了與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容，避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計，節(jié)省開發(fā)資源。

中車

中車本次攜多款功率半導(dǎo)體器件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Asia，致力于展現(xiàn)中國“芯”的智慧力量，并為清潔能源的變換與高效利用提供領(lǐng)先的傳感測量解決方案。

中車本次展示了最新的SiC模塊及芯片，芯片采用第三代SiC MOSFET、體二極管續(xù)流，電壓等級覆蓋750V~3300V，比導(dǎo)通電阻最低可到3.2mΩ·cm2。模塊采用AlSiC基板設(shè)計，高性能導(dǎo)熱材料，進一步提高模塊功率密度，滿足汽車、OBC、DC/DC、光伏、軌道交通等復(fù)雜應(yīng)用工況需求。

賽米控-丹佛斯

賽米控-丹佛斯是全球電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，本次展出產(chǎn)品包括功率模塊和系統(tǒng)等。

DCM1000X SiC功率模塊是本次賽米控-丹佛斯的重點展品之一，其耐壓從原來DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通過將先進的封裝設(shè)計與最新的SiC MOSFET相結(jié)合，證明了自己是下一代電動汽車牽引逆變器的卓越模塊平臺。

宏微科技

宏微科技本次攜帶全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品及解決方案參展亮相，產(chǎn)品覆蓋工業(yè)，光伏儲能以及新能源汽車相關(guān)方向的全域功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

宏微科技主要從事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模塊的設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售，本次其帶來了最新的SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體

天域半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的SiC外延片供應(yīng)商，本次其重點展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體是我國SiC領(lǐng)域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一，以先進的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。

瞻芯電子

瞻芯電子是專注于SiC技術(shù)的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，本次分享了最新的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

具體產(chǎn)品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔離型驅(qū)動IVCO1A0x、圖騰柱PFC控制芯片IVCC1104等。同時，瞻芯面向不同應(yīng)用場景開發(fā)了多種應(yīng)用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相電機驅(qū)動、2500W 圖騰柱PFC電源、200W 1000V反激電源，以及雙脈沖測試等輔助測試設(shè)備，為客戶朋友提供高效的參考設(shè)計。

賽晶科技

賽晶科技在本次PCIM Asia展上正式發(fā)布了為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶科技還展示了第二款SiC模塊 – EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關(guān)損耗相近或者更低。

IVWorks

IVWorks是一家從事寬禁帶半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品及相關(guān)服務(wù)的公司，公司致力于成為一家擁有智能化生產(chǎn)和材料技術(shù)的獨創(chuàng)型企業(yè)。

本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等產(chǎn)品。IVWorks曾在去年收購了法國材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN襯底業(yè)務(wù)，借此在大功率應(yīng)用領(lǐng)域提供GaN-on-GaN外延片來擴大產(chǎn)品組合。

派恩杰

派恩杰半導(dǎo)體本次攜全品類SiC器件、模塊及應(yīng)用技術(shù)亮相了PCIM Asia。

派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用。

鎵未來

本次展會上，鎵未來攜最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案隆重亮相。

目前鎵未來可向客戶提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產(chǎn)品。同時，鎵未來可提供涵蓋小中大功率段的全線GaN應(yīng)用方案，產(chǎn)品覆蓋PD快充適配器、電動工具充電器、儲能雙向逆變器等諸多場景。

士蘭微

士蘭微本次攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等系列產(chǎn)品亮相展會。

士蘭微針對光伏、汽車等應(yīng)用的SiC產(chǎn)品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。據(jù)了解，其SiC MOSFET汽車主驅(qū)模塊已通過部分客戶測試，有望在今年實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體在本次展會上展示了全新的功率半導(dǎo)體實踐應(yīng)用。

瑞能半導(dǎo)體SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開發(fā)，擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產(chǎn)品已實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低比導(dǎo)電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2，目前瑞能半導(dǎo)正在進行第三代trench gate產(chǎn)品開發(fā)。另外，由瑞能半導(dǎo)體全資控股的模塊生產(chǎn)工廠瑞能微恩模塊工廠已在近期正式投入運營。

Soitec

Soitec是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)，以其獨特的技術(shù)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的專長服務(wù)于電子市場。

憑借深耕SmartCut 工藝三十年的專業(yè)積淀，Soitec推出了全新的顛覆性優(yōu)化襯底 SmartSiC，為晶圓電氣性能、供應(yīng)鏈生產(chǎn)力以及器件功率密度帶來了全新解決方案。與傳統(tǒng)SiC襯底相比，Soitec專利的SmartSiC襯底可降低 75% 溫室氣體排放。

安世半導(dǎo)體

本次展會上，安世半導(dǎo)體展示了最新的功率半導(dǎo)體器件及晶圓產(chǎn)品。

安世半導(dǎo)體在今年推出了650V SiC肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用，并計劃不斷增加SiC 二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650V和1200 V、電流范圍為6~20 A 的和車規(guī)級器件。同時，安世半導(dǎo)體已經(jīng)推出了三代650V GaN場效應(yīng)晶體管，將晶體管封裝技術(shù)引入到氮化鎵技術(shù)中，并在不斷的根據(jù)市場需求，降低成本，提高性能。

揚杰科技

揚杰科技本次攜帶硅晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相PCIM Asia展。

揚杰科技此次重點展出了IGBT系列產(chǎn)品，包括650V 50A/75A/100A IGBT單管，160A/200A/400A/450A/650V IGBT三電平模塊，相關(guān)系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin兼容替代應(yīng)用，并第一次展出新能源汽車主驅(qū)的HP1/HPD模塊。

同時，揚杰科技還展示了全系列SiC產(chǎn)品，重點展示SiC MOSFET，電壓等級覆蓋650V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋20~1000mΩ，可應(yīng)用于新能源汽車統(tǒng)OBC和DC/DC，光伏儲能逆變器，充電樁和工業(yè)電源等應(yīng)用。

納芯微

納芯微在本次展會現(xiàn)場全面展示了其在傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

納芯微具體展出產(chǎn)品包括電流傳感器、數(shù)字隔離器、接口、隔離采樣、隔離電源、柵極驅(qū)動、電機驅(qū)動，以及其SiC系列產(chǎn)品等。納芯微在今年推出了專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設(shè)計的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，同時也在積極開發(fā)和驗證車規(guī)級1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

?？瓢雽?dǎo)體

本次展會上，?？瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進的測試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。

百識電子

百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團隊，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù)，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應(yīng)用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

Power Integrations

PI本次攜帶數(shù)款門極驅(qū)動、汽車電子、電機驅(qū)動產(chǎn)品參展，展示了他們在功率半導(dǎo)體的全面方案以及強硬的實力。

PI能夠提供一個高集成度的方案，將功率器件和保護機制都集成在一個輕薄的封裝里面，實現(xiàn)高集成度無散熱片的工業(yè)的或者是家電的電機驅(qū)動方案。同時，PI提供了相對應(yīng)的軟件包，方便快速實現(xiàn)無傳感器的電機控制設(shè)計，便于軟件工程師能夠快速高效地實現(xiàn)軟件開發(fā)，為電機驅(qū)動測試帶來極大的便利，極快地完成產(chǎn)品設(shè)計，實現(xiàn)高集成度高效的電機驅(qū)動解決方案。

AOS

本次展會上，AOS展出了應(yīng)用于新能源汽車、電力電源、電機驅(qū)動IC、計算機系統(tǒng)方案以及家電等的相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)。

其中包括最新高壓超結(jié)MOSFETs、熱插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1規(guī)范的Type C負載開關(guān)。

AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V SiC MOS管（αSiC MOSFET）。這款1200V SiC MOS管為可接受15V標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的最低導(dǎo)通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅(qū)動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

翠展微電子

翠展微電子本次主要展出了IGBT、SiC功率模塊產(chǎn)品。

翠展微電子是一家以車規(guī)級功率模塊為核心，同時覆蓋光伏、儲能、電網(wǎng)、工控領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體設(shè)計生產(chǎn)廠家，主要產(chǎn)品有IGBT單管/模塊、SiC單管/模塊，以及汽車軟件一站式工具鏈解決方案等。
在車規(guī)功率模塊領(lǐng)域，翠展微電子產(chǎn)品基本涵蓋了國內(nèi)車規(guī)功率模塊封裝需求和電流規(guī)格，主要封裝包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等，可滿足250KW以內(nèi)新能源汽車主驅(qū)的應(yīng)用需求。

CGD

CGD是一家專注于GaN技術(shù)的無晶圓廠設(shè)計公司，本次展示了其獨有的高能效GaN解決方案。

CGD 本次在中國首推其第二個易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 產(chǎn)品系列。CGD H1和H2系列是單芯片增強模式HEMT，具有3V閾值電壓、真正的0V關(guān)斷，以及可在高達20V電壓下工作的革命性柵極方案。無級聯(lián)、無復(fù)雜多芯片配置、無復(fù)雜熱集成解決方案：嵌入式專有邏輯單芯片，可與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器或控制器配對。此外，CGD展出了最新的評估板，包含65W QRF評估板、1.6kW LLC評估板、3kW 光伏逆變器和USB PD參考設(shè)計。

新微半導(dǎo)體

新微半導(dǎo)體本次攜豐富的硅基GaN功率產(chǎn)品平臺精彩亮相PCIM Asia。

新微半導(dǎo)體展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺系列展品，并重點展示了面向不同終端應(yīng)用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進的技術(shù)解決方案。

合盛新材

合盛新材本次攜帶最新的6英寸SiC襯底產(chǎn)品亮相本次展會。

合盛新材是由上市公司合盛硅業(yè)股份發(fā)起成立并控股，業(yè)務(wù)涵蓋SiC襯底及外延的研發(fā)，生產(chǎn)與銷售。目前合盛新材料正在建設(shè)導(dǎo)電型6英寸SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

芯長征

芯長征本次分別展示了IGBT、MOSFET、SiC等產(chǎn)品。

在汽車領(lǐng)域，芯長征重點展示其針對商用車主驅(qū)開發(fā)的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模塊、針對乘用車主驅(qū)開發(fā)的750V 820A HPD IGBT模塊及750V 400A/600A HybridPACK 1 模塊及1200V 40/80mΩ的SiC MOS產(chǎn)品。

忱芯科技

忱芯科技本次展示了動態(tài)特性測試系統(tǒng)與動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)DEMO。

忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半導(dǎo)體器件實驗室版與產(chǎn)線版全系列ATE測試系統(tǒng)，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件前道、后道到應(yīng)用級測試全覆蓋。目前，忱芯科技SiC ATE設(shè)備已實現(xiàn)批量出貨，成功交付功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)、芯片設(shè)計公司、功率器件封裝公司與新能源車廠及Tier1企業(yè)。

安建半導(dǎo)體

本次展會上，安建半導(dǎo)體展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四類全新產(chǎn)品。

SiC方面，安建半導(dǎo)體本次展示了650V/1200V的SiC二極管和MOSFET。安建半導(dǎo)體總部位于浙江寧波，并在寧波自建了模塊封裝工廠——吉賽半導(dǎo)體。

功成半導(dǎo)體

功成半導(dǎo)體本次攜高效的功率器件組合產(chǎn)品及應(yīng)用方案亮相PCIM Asia。

本次功成半導(dǎo)體展出產(chǎn)品主要包括六大類：Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高壓高頻IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模塊。

特勵達力科

特勵達力科是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測試儀器的領(lǐng)先制造商，可快速全面地驗證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性，并進行復(fù)雜的調(diào)試分析。

特勵達力科的寬禁帶半導(dǎo)體測試系統(tǒng)包含DL-ISO高壓光隔離探頭、功率器件分析軟件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，與力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相結(jié)合，可獲得 1.5% 的系統(tǒng)精度，幾乎是市場上替代解決方案的兩倍。同時可提供豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。

悉智科技

悉智科技本次攜多款應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)場景的功率模塊產(chǎn)品亮相PCIM Asia。

悉智科技當(dāng)前產(chǎn)品聚焦在智能電車和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領(lǐng)域，擁有國內(nèi)最先進的車規(guī)級塑封產(chǎn)線和性能測試（包括系統(tǒng)級）&可靠性測試&失效分析實驗室。

華太電子

本次展會上，華太電子展示了SiC、IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，。

華太電子主要從事射頻/功率產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測業(yè)務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。

此外，其他參展廠商還包括韓國功率半導(dǎo)體展團，以及芯源新材料、先進連接技術(shù)、MacDermid Alpha、DOWA、銦泰、賀利氏、京瓷等封裝材料廠商。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）

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本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到，此次展會，天域半導(dǎo)體、瀚天天成、爍科晶體、普興電子、Aixtron、鎵未來、納設(shè)智能、能華微、聚能創(chuàng)芯&聚能晶源、百識電子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、漢驊半導(dǎo)體等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進技術(shù)，面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領(lǐng)域。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場，天域半導(dǎo)體重點展示了4/6英寸SiC外延片產(chǎn)品，及其子公司南方半導(dǎo)體的SiC功率器件/模塊產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體是全球SiC外延片的主要生產(chǎn)商之一，以先進的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。南方半導(dǎo)體則專注于半導(dǎo)體元器件及解決方案，涵蓋了功率半導(dǎo)體集成電路、晶體、芯片及檢測中心等眾多領(lǐng)域。

爍科晶體

作為國內(nèi)SiC襯底領(lǐng)先廠商，爍科晶體此次重磅展示了6/8英寸的導(dǎo)電N型和半絕緣型SiC襯底。

爍科晶體在國內(nèi)率先突破8英寸導(dǎo)電N型SiC單晶襯底制備工藝技術(shù)，并已實現(xiàn)小批量銷售。目前公司已通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝，導(dǎo)電N型和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本次展會上，與爍科晶體同屬于中電科半導(dǎo)體材料旗下的普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

普興電子致力于高性能Si/SiC半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是國內(nèi)最大的Si外延材料供應(yīng)商之一。在SiC方面，普興電子正在規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸SiC外延產(chǎn)品的生產(chǎn)項目，助力我國在新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

鎵未來

鎵未來本次展出了最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案。在眾多產(chǎn)品中，鎵未來特別展示了用于高效率高功率密度數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源解決方案的TOLL封裝GaN器件，TOLL封裝氮化鎵器件轉(zhuǎn)換效率高，助力能源利用的可持續(xù)發(fā)展。

在解決方案方面，其主要展示了65W、140W PD快充方案，200W小體積適配器方案，以及700W無橋圖騰柱高效率LED驅(qū)動電源方案。

瀚天天成

作為全球知名的SiC外延片生產(chǎn)商，瀚天天成在本次展會中主要展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

瀚天天成當(dāng)前已實現(xiàn)600V~3300V SiC功率器件車規(guī)級外延片的批量生產(chǎn)，全球用戶已超過140家。瀚天天成與廈門大學(xué)等單位產(chǎn)學(xué)研合作，成功實現(xiàn)基于國產(chǎn)襯底的8英寸SiC同質(zhì)外延生長。

AIXTRON

AIXTRON在本次展會上推出了G10-SiC 外延系統(tǒng)，大量被業(yè)內(nèi)頂級客戶用于6/8英寸SiC晶圓外延材料生長。

AIXTRON是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的沉積設(shè)備供應(yīng)商，其產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)被廣泛的客戶用于生產(chǎn)基于化合物或有機半導(dǎo)體材料的電子和光電應(yīng)用的高性能組件。

這些器件主要用于各種創(chuàng)新應(yīng)用、技術(shù)和行業(yè)，例如LED和顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、傳感器技術(shù)、能源管理和轉(zhuǎn)換，通信，信號和照明技術(shù)以及許多其他要求苛刻的高科技應(yīng)用。

納設(shè)智能

納設(shè)智能在展會上向觀眾介紹了自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延設(shè)備。

納設(shè)智能致力于SiC外延設(shè)備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣，公司自有SiC外延設(shè)備具有工藝指標(biāo)優(yōu)異、耗材成本低、維護頻率低等特點，產(chǎn)品從一代機更新到二代機，穩(wěn)定性、可靠性大幅度的提升，目前二代機型已經(jīng)在批量生產(chǎn)與交付。

能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體本次展示了基于自身CoreGaN方案的產(chǎn)品布局。根據(jù)PD快充方案電路的特點，CoreGaN產(chǎn)品提高了閾值電壓，相比市場上已有的增強型器件有更優(yōu)的性能和可靠性。

能華半導(dǎo)體是一家專業(yè)設(shè)計、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件的高新技術(shù)企業(yè)。該公司GaN產(chǎn)品線涵蓋外延片、功率場效應(yīng)管、集成功率器件以及芯片代工等。公司產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位，各類產(chǎn)品已實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，并擁有一批國內(nèi)外知名客戶。

恒普科技

恒普科技提供SiC相關(guān)的設(shè)備及材料解決方案，包括感應(yīng)式/電阻加熱式長晶設(shè)備與6英寸外延設(shè)備。材料方面提供碳化鉭涂層服務(wù)以及多孔石墨等長晶耗材。

恒普科技本次在現(xiàn)場展示了多孔石墨，碳化鉭涂層，與實驗晶錠。

聚能創(chuàng)芯&聚能晶源

本次展會上，聚能創(chuàng)芯&聚能晶源聯(lián)合展示了8英寸硅基氮化鎵外延片、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN應(yīng)用方案，為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供了高性能、高性價比的純國產(chǎn)GaN材料、器件與應(yīng)用技術(shù)解決方案。

聚能創(chuàng)芯和聚能晶源為賽微電子旗下子公司，旨在聯(lián)合打造全球領(lǐng)先的從設(shè)計、外延，到芯片制造和器件應(yīng)用的GaN功率器件IDM企業(yè)。

?？瓢雽?dǎo)體

本次展會上，?？瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進的測試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。

漢驊半導(dǎo)體

本次展會中，漢驊半導(dǎo)體推出了多系列硅基/藍寶石基GaN外延片方案，應(yīng)用于功率電力電子、微波射頻與LED。

漢驊半導(dǎo)體致力于化合物半導(dǎo)體核心材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，其獨有的硅基/藍寶石基紅、綠、藍全色氮化鎵外延技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于新一代高端顯示領(lǐng)域，可在晶圓層實現(xiàn)硅基集成電路與III-V化合物半導(dǎo)體器件的高密度常溫混合集成。另外，硅基氮化鎵電力電子外延產(chǎn)品覆蓋了增強型外延和耗盡型外延全應(yīng)用領(lǐng)域，適用于30伏至900伏。

百識電子

百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團隊，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù)，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應(yīng)用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

森國科

森國科此次展示了650/1200V SiC二極管以及1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

森國科主要從事功率器件、模塊，功率IC產(chǎn)品的研發(fā)，其功率器件產(chǎn)品主要包括碳化硅二極管、MOSFET，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。

合盛新材料

本次展會上，合盛新材料向觀眾介紹了6英寸SiC晶錠、襯底、外延片的解決方案，目前該公司正在寧波建設(shè)6英寸導(dǎo)電型SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

平創(chuàng)半導(dǎo)體

平創(chuàng)半導(dǎo)體深耕電力電子半導(dǎo)體行業(yè)，本次攜多種功率器件產(chǎn)品亮相展會。SiC產(chǎn)品方面，主要展出了650V~1200V SiC二極管、MOSFET以及功率模塊，產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領(lǐng)域。

譽鴻錦

譽鴻錦本次展出了GaN材料外延、功率電子器件、光電器件等系列產(chǎn)品。

該公司業(yè)務(wù)涵蓋GaN材料外延到芯片模組的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)能力，主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。

宇騰電子

宇騰電子在本次展會上向觀眾介紹了GaN外延產(chǎn)品，該公司目前可提供6/8英寸硅基氮化鎵外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化鎵外延片、4/6英寸藍寶石基氮化鎵外延片等通用規(guī)格及客制化規(guī)格，公司在HEMT結(jié)構(gòu)的外延技術(shù)可提供D-mode和E-mode兩種工藝，同時支持功率和射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。

晟光硅研

本次展會上，晟光硅研帶來了“微射流激光先進技術(shù)”最新應(yīng)用成果，該技術(shù)已經(jīng)成功完成6英寸SiC晶錠的切割，可實現(xiàn)高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高良品率SiC單晶襯底制備，吸引業(yè)界所關(guān)注。

氮矽科技

氮矽科技向觀眾介紹了其獨特的GaN開關(guān)管、驅(qū)動芯片以及快充方案。

該公司擁有來自成都矽能科技和核心技術(shù)合作伙伴“電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室”的全力支持，目前已推出多款合封氮化鎵產(chǎn)品即PIIPTMGaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數(shù)、占板面積小、布局靈活等特點，并且提供多種封裝，供客戶選擇。

英嘉通

英嘉通在本次展會上推出了GaN、SiC功率器件系列產(chǎn)品。

該公司著力于D-mode/Cascode GaN器件設(shè)計，目前已推出多款成熟的650V GaN功率產(chǎn)品，器件成本競爭優(yōu)勢明顯，技術(shù)種類齊備，已經(jīng)得到市場廣泛的認可，為不同的功率應(yīng)用場景提供最簡單、經(jīng)濟、高效的解決方案。同時，其SiC SBD、MOSFET 全系列產(chǎn)品于2022年進入市場，全國產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)鏈以及自主可控的器件、工藝技術(shù)，大幅降低器件成本。

結(jié)語

除了以上廠商外，錸微半導(dǎo)體等第三代半導(dǎo)體廠商亦有相關(guān)產(chǎn)品展出等，同時有優(yōu)晶光電、頂立科技、嵐鯨光電、漢虹精密機械、中科漢達等廠商展示了SiC生長設(shè)備、輔助材料等產(chǎn)品。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）

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據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、Power integrations、瞻芯電子、揚杰科技、泰科天潤、能華半導(dǎo)體、潤新微電子、GaN systems、鎵未來、聚能創(chuàng)芯、威兆半導(dǎo)體、芯干線、漢驊半導(dǎo)體、氮矽科技等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）為核心的最新研發(fā)成果和尖端技術(shù)。

01、英諾賽科

作為國內(nèi)出貨量第一的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科在現(xiàn)場展出了全系列氮化鎵產(chǎn)品與方案，應(yīng)用范圍涵蓋高效快充、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、電機驅(qū)動、戶外儲能電源、數(shù)據(jù)中心及及汽車電子等。

值得一提的是，英諾賽科針對數(shù)據(jù)中心供電解決方案做了全面的布局，可以為行業(yè)提供從前端PSU電源到主板DC/DC模塊以及芯片的直接供電，提高供電鏈路的功率密度和效率，實現(xiàn)供電轉(zhuǎn)換損耗整體減小50%。

此外，英諾賽科日前推出的采用TO252 / TO220封裝新品也“閃現(xiàn)”展會現(xiàn)場。采用TO產(chǎn)品的氮化鎵120W大功率快充及適配器方案也一并展示，吸引諸多關(guān)注。

據(jù)了解，英諾賽科于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，2022年銷量成功突破1億。

02、納微半導(dǎo)體

納微帶來了最新的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片解決方案、榮獲CES創(chuàng)新大獎的GaNSense 技術(shù)以及GaNFast?功率芯片解決方案。

搭載了GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，集成了氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、額外的自動保護以及無損電流檢測，帶來最簡單、最輕便、最快速以及更強勁的充電性能。借助最新的超快充技術(shù)，一個小巧、簡便的150W氮化鎵充電器，就能讓智能手機在20分鐘內(nèi)完成從1-100%的充電。

目前，憑借著互補的GaNFast和GeneSiC技術(shù)，納微半導(dǎo)體已成為下一代電源領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。

03、Power Integraions

展會上，Power Integraions帶來了采用PowiGaN氮化鎵技術(shù)的最新技術(shù)產(chǎn)品，包含InnoSwitch4-Pro電源開關(guān)IC。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括IoT智能家居、電動工具&電單車、USB PD充電器/適配器、家用電器等。

其中，會上展出的140W適用于USB PD3.1擴展功率范圍的充電器中采用了PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的輸出，其750V耐壓的氮化鎵開關(guān)大大提升了產(chǎn)品的可靠性及耐受雷電沖擊的能力。得益于氮化鎵開關(guān)的高效率，這款充電器的滿載效率可達95%。

04、芯塔電子

本次展會，芯塔電子集中展示了碳化硅全系產(chǎn)品和技術(shù)，包括具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圓和可用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、PD快充電源、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等。

芯塔電子針對PD快充領(lǐng)域推出了DFN8*8和DFN5*6兩種封裝形式碳化硅二極管產(chǎn)品，助力高功率密度快充產(chǎn)品的開發(fā)。

此外，芯塔電子本次推出的DFN封裝系列產(chǎn)品目前已通過多家客戶的測試驗證，并對部分客戶形成批量供貨。芯塔電子產(chǎn)品的設(shè)計及驗證均按照車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，技術(shù)參數(shù)可對標(biāo)國際一線公司的最新產(chǎn)品，滿足高端領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代需求。

據(jù)了解，芯塔電子是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。目前公司已完成一系列的產(chǎn)品研發(fā)和批量生產(chǎn)，逐漸形成較完整的功率器件產(chǎn)品體系，產(chǎn)品在高端電源領(lǐng)域通過驗證，進入了行業(yè)標(biāo)桿客戶，同時在軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域進行了送樣和銷售。

05、潤新微電子

潤新微電子是華潤微旗下的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延、晶圓及器件制造商，提供650V、900V全規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應(yīng)用覆蓋20W~18KW。

此次展會，公司展出了6英寸650V氮化鎵晶圓和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封裝形式的氮化鎵功率器件。內(nèi)阻覆蓋720mΩ~35mΩ。

據(jù)了解，潤新微電子氮化鎵功率器件的特點是兼容標(biāo)準(zhǔn)MOS驅(qū)動，應(yīng)用設(shè)計簡單；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。產(chǎn)品主要應(yīng)用于三電：電源、電機、電池，覆蓋電源管理、太陽能逆變器、新能源汽車及高端電機驅(qū)動等科技產(chǎn)業(yè)。

06、珠海鎵未來

鎵未來專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)，提供從30W到6000W的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計解決方案。目前已完成多輪融資，投資方包括珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團、境成資本、禮達基金，融資金額過億。

會上，公司展出了6英寸氮化鎵晶圓、氮化鎵快充、DC-DC變換器、服務(wù)器導(dǎo)冷電源、LED電源等產(chǎn)品和方案。

07、GaN Systems

GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領(lǐng)域，該公司屬于先行者。

展會上，公司展出了受三星、戴爾、雷蛇 等全球消費電子領(lǐng)導(dǎo)品牌所采用之氮化鎵快速充電器與適配器。

值得注意的是，3月初，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。

08、泰科天潤

泰科天潤展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圓及PD電源、工業(yè)電源等應(yīng)用案例/方案。

其中，4000W逆變器方案的LLC頻率為90KHz-300KHz，效率為99%，具有效率高，1U標(biāo)準(zhǔn)機箱等優(yōu)點.。方案采用了泰科天潤生產(chǎn)的G3S06510B 碳化硅器件。

泰科天潤湖南碳化硅6英寸線第一期年產(chǎn)能6萬片碳化硅6英寸片，預(yù)計今年年底完成擴產(chǎn)，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片碳化硅6英寸片。同期泰科天潤位于北京的新研發(fā)總部和8英寸線也在布局，預(yù)計2025年完工，可實現(xiàn)10萬片碳化硅8英寸片/年產(chǎn)能，更好的服務(wù)客戶，保障交付！

公司產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、 DC-DC等領(lǐng)域。產(chǎn)品規(guī)格涵蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內(nèi)絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。

09、基本半導(dǎo)體

會上，基本半導(dǎo)體展出了6英寸碳化硅JBS晶圓、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件和汽車及HPD碳化硅MOSFET模塊等產(chǎn)品。

基本半導(dǎo)體是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，推出通過AEC-Q101可靠性測試的碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

10、瞻芯電子

公司展出了業(yè)界首創(chuàng)的CCM模式圖騰柱模擬PFC控制芯片、SiC MOSFET專用比鄰驅(qū)動芯片，以及車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等產(chǎn)品。

其中，2.5kW圖騰柱PFC芯片（IVCC1102）獲得了第八屆中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎之優(yōu)秀產(chǎn)品創(chuàng)新獎，得益于IVCC1102具備更快速、更精確、高可靠的模擬控制，故無需編程，使用簡單，可助力電源方案快速定型并推向市場應(yīng)用。

瞻芯電子聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并為客戶提供一站式芯片解決方案。

近期，公司陸續(xù)發(fā)布了2款TOLL貼片封裝的650V SiC MOSFET，能能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設(shè)計的應(yīng)用要求。

此外，還量產(chǎn)了2款Si/GaN/IGBT通用柵級驅(qū)動芯片IVCR1407A與1801A，能安全可靠地驅(qū)動器件以高達數(shù)百kHz開關(guān).

近年來，瞻芯電子屢受資本青睞。日前，公司完成數(shù)億元B輪融資，由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構(gòu)跟投。

11、能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體聚焦以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件。目前，公司的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應(yīng)管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。

展會上，能華半導(dǎo)體展出了36W、60W和65W適配器方案。據(jù)了解，基于能華氮化鎵功率器件的65W適配器方案，熱可靠性大為提高。

12、江西譽鴻錦

江西譽鴻錦主要從事高品質(zhì)氮化鎵（GaN）電子電力材料和高端光電材料的MOCVD外延生長、芯片制造及相關(guān)器件封裝，是目前國內(nèi)僅有的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新型科技企業(yè)。

展會上公司展出了氮化鎵MOS、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵快充和氮化鎵適配器電源等一系列產(chǎn)品和方案。公司功率器件產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心，射頻器件用于5G通訊設(shè)備及個人5G終端等領(lǐng)域

13、威兆半導(dǎo)體

威兆半導(dǎo)體是專業(yè)從事分立器件系列的設(shè)計及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的高科技企業(yè)，同時也是國內(nèi)少數(shù)于12英寸晶圓成功開發(fā)功率分立器件的公司之一。

公司的產(chǎn)品主要為開關(guān)電源充電器用的大功率MOSFET 場效應(yīng)管、超低壓降肖特基、快恢復(fù)二極管及器件模塊化應(yīng)用設(shè)計，致力于提高產(chǎn)品能效比。此外，公司還有一款 GaN芯片。

此次展會上，公司主要展出了PD快速充電器、無限充電器方案，以及主要應(yīng)用于手機電池、TWS電池、只能手表電池的CSP系列demo board。

14、聚能創(chuàng)芯

聚能創(chuàng)芯聚焦于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN），致力于打造GaN器件開發(fā)與應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計算、5G通訊等提供國產(chǎn)化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延材料。

展會上，公司展出了6英寸硅基氮化鎵外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高頻快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。

GaN PD快充方案中，最大輸出功率240W，采用PFC+LLC架構(gòu)，滿載輸出效率95%，可拓展多路USB Type C輸出。

15、漢驊半導(dǎo)體

公司在會上展出了多種規(guī)格的外延片產(chǎn)品。其中，4英寸藍寶石基全色LED外延片（紅&藍），主要應(yīng)用于AR/VR領(lǐng)域；6英寸硅基氮化鎵功率電子外延片，主要應(yīng)用于下一代電力電子、功率器件。

據(jù)悉，漢驊半導(dǎo)體致力于先進半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品應(yīng)用于5G通訊、功率電子、Micro-LED全色顯示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他諸多關(guān)鍵應(yīng)用場景。

目前在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域已建成：約20000㎡廠區(qū)、5000㎡潔凈室，數(shù)十臺MOCVD，6/8英寸光電芯片-MEMS量產(chǎn)產(chǎn)線，是具備國際領(lǐng)先水準(zhǔn)的高端半導(dǎo)體閉環(huán)研發(fā)與生產(chǎn)基地。

16、芯干線

展會上，芯干線展出了碳化硅功率器件、650V氮化鎵功率器件和500W氮化充電模塊等產(chǎn)品和方案。

其中，500W氮化充電模塊解決方案采用芯干線X-GaN和X-SiC，目前已通過EMI傳導(dǎo)輻射測試，支持量產(chǎn)。

據(jù)悉，芯干線聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計研發(fā)。公司產(chǎn)品線包括增強型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導(dǎo)體電源模塊。為下游客戶提供先進的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方案和全面的技術(shù)支持，涵蓋消費級、工業(yè)級等各領(lǐng)域。

17、氮矽科技

氮矽科技成立于2019年4月，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動芯片的設(shè)計研發(fā)、銷售及方案提供。

2020年3月，氮矽科技發(fā)布國內(nèi)首款氮化鎵超高速驅(qū)動器DX1001，同年4月推出國內(nèi)多款量產(chǎn)級別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，進軍PD快充行業(yè)。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應(yīng)用解決方案。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber）

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