文章分類： 碳化硅SiC

超億元增資，海希通訊布局SiC模組模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
7月19日，海希通訊發(fā)布開展新業(yè)務的公告，擬使用自有資金對全資子公司海希智能科技（浙江）有限公司增資1億元開展碳化硅模組模塊、新能源相關產品等業(yè)務。 圖片來源：拍信網正版圖庫 根據(jù)公告，6月16日，海希通訊與蘇州辰隆控股集團有限公司全資子公司蘇州辰隆數(shù)字科技有限公司（以下簡稱“...  [詳內文]

涉及SiC，超110億美元！Stellantis簽訂芯片供應合同

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 17:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
全球第四大車企、歐洲汽車生產商Stellantis當?shù)貢r間周二表示，公司已與多家半導體制造商簽署了價值100億歐元(112億美元)的合同，合同將持續(xù)到2030年，以保證電動汽車和高性能計算功能所需關鍵芯片的供應。 此前，Stellantis預計，由于電動汽車需求增加，汽車芯片短缺...  [詳內文]

這個153億美元半導體收購案，羅姆也要參與？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 17:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)日經亞洲報道，日本芯片制造商羅姆公司將向私募股權公司Japan Industrial Partners（JIP）牽頭的財團提供總計3000億日元（約21.6億美元）的資金，用于擬議收購東芝。 羅姆在近期的董事會會議上決定，如果要約收購成功，將向JIP領導的投資基金投資1000億...  [詳內文]

超70億元，安森美再獲SiC大訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 17:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
今日，安森美宣布與博格華納擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元（約合人民幣72.2億元）。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。 長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括Elit...  [詳內文]

總投資10億，這個高純電子信息材料項目落地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 | | 分類: 碳化硅SiC
7月14日，拓材科技總部及高純電子信息材料研發(fā)生產基地項目落戶武漢新城葛華片區(qū)。 圖片來源：拍信網正版圖庫 項目由武漢拓材科技有限公司投資10億元建設，占地100畝，主要建設公司總部以及電子級高純材料、半導體級高純材料、高純化合物多晶材料、半導體單晶襯底和靶材、再生資源回收的綜...  [詳內文]

中芯國際換帥

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國際在港交所發(fā)布公告稱，高永崗因工作調整，辭任公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席職務，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會委員劉訓峰獲委任為公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席，自2023年7月17日起生效。 據(jù)公告內容...  [詳內文]

第三度沖刺A股，瑞能半導體離夢想還有多遠 ？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，證監(jiān)會披露，瑞能半導體向不特定合格投資者公開發(fā)行股票并，并由西南證券保薦，在北京證券交易所上市輔導備案。這是瑞能半導體第三次沖刺A股。 瑞能半導體的上市歷程 瑞能半導體的上市夢起于2020年。當年8月，瑞能半導體正式向A股發(fā)起沖擊，擬登錄科創(chuàng)板，在先后經歷了三輪問詢回復，排...  [詳內文]

不要把800V的高成本妖魔化，這些主機廠和Tier 1正在卷技術卷規(guī)模

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅Tier 1在近兩年陸續(xù)發(fā)布了許多800V新品。 在這個過程中，整個行業(yè)提出了幾大問題：800V電驅該怎么降本，面臨著哪些技術挑戰(zhàn)？外資Tier 1能否在800V時代超車？ 為什么800V？ 800V的興起源于對超快充...  [詳內文]

韓國新目標？化合物功率半導體技術強國

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:58 | | 分類: 碳化硅SiC
據(jù)外媒報道，韓國正在推進一項價值約1400億韓元的研發(fā)項目，目標是成為“化合物功率半導體技術強國”。 韓國產業(yè)通商資源部部長李昌洋7月13日在國家研究開發(fā)項目評估綜合委員會上宣布，“化合物功率半導體先進技術開發(fā)項目”已通過初步可行性研究，總計費用1384.6億韓元（政府預算938...  [詳內文]

又一公司CVD設備發(fā)貨，國產化到哪步了？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:46 |
| 分類: 碳化硅SiC
7月16日，微導納米發(fā)布官方消息，公司的首臺半導體CVD薄膜沉積設備順利發(fā)貨。微導納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導體等領域芯片制造。 CVD設備需求提升...  [詳內文]