12月9日，高意（Coherent）宣布，公司根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》與美國商務(wù)部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元，以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進(jìn)制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴(kuò)建。
該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴(kuò)建全球首個(gè)6英...
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12月5日，由先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下先導(dǎo)光電子事業(yè)部牽頭的安徽省“科技創(chuàng)新攻堅(jiān)計(jì)劃-氮化鎵藍(lán)光裝備的全鏈條國產(chǎn)化開發(fā)及應(yīng)用”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在滁州市安徽省先進(jìn)光電子材料及系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新研究院召開。
中國工程院范滇元院士、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所趙德剛研究員、林學(xué)春研究員、華中科技大學(xué)唐霞輝教授...
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12月10日，安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元（折合人民幣約8.33億元）現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一...
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12月9日，港交所披露文件，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”或“公司”）通過聆訊，中金公司、招銀國際為聯(lián)席保薦人。
據(jù)悉，港股IPO流程一般包括遞表-聆訊-路演-招股-公布配售結(jié)果-暗盤交易以及掛牌上市等階段。
其中，在聆訊階段，上市委員會(huì)審閱新上市申請(qǐng)，...
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據(jù)“順義科創(chuàng)”官微披露消息，近日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司廠房項(xiàng)目已完成全部施工內(nèi)容，擴(kuò)建工程已通過竣工驗(yàn)收。
source：順義科創(chuàng)
據(jù)悉，2021年12月15日，瑞能微恩半導(dǎo)體科技（北京）有限公司在順義落地，租用科創(chuàng)芯園壹號(hào)建設(shè)“6英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地建設(shè)...
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邀 請(qǐng) 函
尊敬的各位專家、學(xué)者和同仁：
為搭建氧化鎵材料與器件研究領(lǐng)域科研技術(shù)人員相互交流與合作的平臺(tái)，促進(jìn)氧化鎵學(xué)術(shù)、技術(shù)的交流合作和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，展示相關(guān)領(lǐng)域最新研究成果，進(jìn)一步推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究和應(yīng)用技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。為此我單位定于2025年1月16-19日在海南省*三亞...
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東部高科將與封測(cè)廠合作開發(fā)碳化硅/氮化鎵
據(jù)韓媒報(bào)道，12月4日，韓國半導(dǎo)體封裝企業(yè)LB Semicon與晶圓代工廠DB HiTek（東部高科）宣布，雙方將合作開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。
目前，東部高科正在推進(jìn)SiC和GaN半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，而LB Semicon也計(jì)...
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12月3日，意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)多年期協(xié)議——作為雙方在Amper超高效電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)逆變器電源盒方面合作的一部分，從2026年開始，意法半導(dǎo)體將為雷諾集團(tuán)供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊。
據(jù)悉，Ampere是由意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)共同打造的電動(dòng)汽車智能制造商。后續(xù)，A...
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11月27日，英諾賽科收到中國證監(jiān)會(huì)發(fā)布的《關(guān)于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書》，這意味著其已完成了證監(jiān)會(huì)境外發(fā)行上市備案流程，并且獲得了證監(jiān)會(huì)對(duì)其境外發(fā)行上市及股份轉(zhuǎn)換的確認(rèn)。
文件顯示，英諾賽科擬發(fā)行不超過106,539,400股境外上市普通股并在...
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11月29日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，將為日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體項(xiàng)目提供補(bǔ)貼，該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日元（折合人民幣約102億元），補(bǔ)助金額最高達(dá)705億日元（折合人民幣約34億元）。
據(jù)悉，在此次合作中，電裝將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC襯底，而富士電機(jī)將負(fù)責(zé)制造S...
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