文章分類： 產(chǎn)業(yè)

30億，武漢敏聲高端射頻濾波器項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 27 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月26日，據(jù)武漢敏聲官微消息，武漢敏聲位于武漢光谷的高端射頻濾波器生產(chǎn)線項目廠房主體封頂，并于當(dāng)日舉辦封頂儀式。 source：武漢敏聲 資料顯示，武漢敏聲成立于2019年1月，在武漢、蘇州、北京、新加坡等四地布局設(shè)立研發(fā)設(shè)計中心、產(chǎn)品中試平臺及大規(guī)模量產(chǎn)基地，在國內(nèi)率先實...  [詳內(nèi)文]

士蘭微獲得政府補助1837.70萬元

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 26 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月25日晚間，杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱：士蘭微）發(fā)布關(guān)于獲得政府補助的公告。公告稱，士蘭微于2024年12月24日收到與收益相關(guān)的政府補助1837.70萬元，占公司2023年度經(jīng)審計歸屬于上市公司股東的凈利潤的絕對值的51.35%。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

盛美上海成立半導(dǎo)體設(shè)備新公司

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 26 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
天眼查資料顯示，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司于2024年12月24日成立，法定代表人為王堅，注冊資本1410萬人民幣，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售等。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 股東信息顯示，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（成都...  [詳內(nèi)文]

總投資超50億，國內(nèi)2個化合物半導(dǎo)體項目通線、投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 25 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
盡管目前以碳化硅（SiC）/氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正在被廣泛應(yīng)用，風(fēng)光無限，但產(chǎn)業(yè)界仍然在持續(xù)加碼以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料，以期挖掘砷化鎵、磷化銦材料更長遠(yuǎn)和更大的價值。 近日，國內(nèi)又有2個砷化鎵、磷化銦相關(guān)項目幾乎同時披露...  [詳內(nèi)文]

華海清科：化合物半導(dǎo)體刷片清洗裝備首臺驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 24 日 18:00 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月23日，華海清科在投資者互動平臺表示，其化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）裝備包含清洗模塊，清洗技術(shù)均為其自主研發(fā)，其自主研發(fā)的清洗裝備已批量用于公司晶圓再生生產(chǎn)，應(yīng)用于4/6/8英寸化合物半導(dǎo)體的刷片清洗裝備和12英寸單片終端清洗機(jī)已實現(xiàn)首臺驗收。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 資料顯...  [詳內(nèi)文]

業(yè)務(wù)涉碳化硅，驕成超聲總部基地開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 24 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月23日，據(jù)“上海驕成”消息，上海驕成超聲波技術(shù)股份有限公司（以下簡稱：驕成超聲）總部基地及先進(jìn)超聲裝備產(chǎn)業(yè)化項目于12月21日舉行開工典禮。該項目將建設(shè)驕成超聲總部、研發(fā)中心、銷售中心、產(chǎn)業(yè)化中心等。 source：上海驕成 資料顯示，驕成超聲成立于2007年，聚焦超聲波...  [詳內(nèi)文]

碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)加速整合，2024年15起收并購一覽

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 23 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
收并購是產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的重要手段，對于企業(yè)而言也有一定的積極影響甚至是重要意義。目前，碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入整合期，廠商收并購事件屢見不鮮。 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，2024年以來碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域共產(chǎn)生15起收并購動態(tài)，其中包括涉資數(shù)十億元的大動作。這一系列收并購事件...  [詳內(nèi)文]

美迪凱：第三代半導(dǎo)體封測已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，美迪凱在投資者互動平臺對業(yè)務(wù)進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹，其中包括第三代半導(dǎo)體相關(guān)進(jìn)展。 據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測項目都在按計劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計公司代工，Normal SAW、TC-SA...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個風(fēng)口？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項目設(shè)備進(jìn)場

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目，首批58臺封裝設(shè)備于12月18日正式進(jìn)場，標(biāo)志著該項目進(jìn)入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，...  [詳內(nèi)文]