12月20日,據(jù)青禾晶元官微消息,青禾晶元近日與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所合作,共同基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底,成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
source:青禾晶元
據(jù)了解,目前,可用于MOSFET制造的無缺陷襯...  [詳內(nèi)文]
青禾晶元基于Emerald-SiC復(fù)合襯底研發(fā)出1200V MOSFET |
作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分類 企業(yè) |