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華為哈勃、小米等投資，縱慧芯光FabX成功通線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:58 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月11日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的光芯片企業(yè)縱慧芯光（Vertilite）宣布，其位于江蘇常州的FabX項(xiàng)目，歷時(shí)一年建設(shè)，完成了廠房設(shè)計(jì)、建設(shè)及設(shè)備選型調(diào)試，并攻克了產(chǎn)品外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、Fab工藝開(kāi)發(fā)等多項(xiàng)技術(shù)難題，成功實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目通線。 圖片來(lái)源：縱慧芯光 這一里程碑不僅標(biāo)志著縱慧芯光在高端...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)，港股IPO獲備案！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:58 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月13日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱(chēng)，公司于近日收到中國(guó)證監(jiān)會(huì)出具的《關(guān)于山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書(shū)》。該公司擬發(fā)行不超過(guò)87,206,050股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。 圖片來(lái)源：中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì) 天岳先進(jìn)表示，公司申請(qǐng)發(fā)行境外上市外資股（...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:57 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會(huì)議上，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)宣布，其基于電荷平衡理論，通過(guò)對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時(shí)，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應(yīng)用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:05 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問(wèn)題已成為限制性能和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。6月13日，美國(guó)Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復(fù)合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡?jì)算HPC應(yīng)用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動(dòng)電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來(lái)一場(chǎng)深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開(kāi)關(guān)...  [詳內(nèi)文]

清華大學(xué)在碳化硅領(lǐng)域最新研究成果公布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 16:57 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
“清華電機(jī)”消息，近日，第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD)舉辦，電機(jī)系先進(jìn)電能變換與電氣化交通系統(tǒng)團(tuán)隊(duì)的研究論文“The Lates...  [詳內(nèi)文]

助力功率半導(dǎo)體，羅姆發(fā)布新SPICE模型
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
6月10日，羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 圖片來(lái)源：羅姆——用戶(hù)可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁(yè)面的“設(shè)計(jì)模型”中下載 羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導(dǎo)體正式宣布與BrightLoop達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統(tǒng)，運(yùn)用先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，致力于推動(dòng)高效、高可靠性的能源管理方案在農(nóng)業(yè)與重型運(yùn)輸領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化落地。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內(nèi)文]

AI時(shí)代芯片生存法則，TSS2025集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇演講劃重點(diǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:05 | 分類(lèi) 研討會(huì)
2025年6月10日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)及其旗下全球半導(dǎo)體觀察聯(lián)合主辦的“TSS2025集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”在深圳圓滿落幕。 本屆論壇以封閉式線下交流形式匯聚行業(yè)精英，吸引300多位半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖企業(yè)高層參與，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、材料、制造、封...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新進(jìn)度：封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:20 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]