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8.33億，Qorvo碳化硅子公司被安森美收購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分類 企業(yè)
12月10日，安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元（折合人民幣約8.33億元）現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一...  [詳內(nèi)文]

估值超234億，英諾賽科通過港交所聆訊
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:58 | 分類 企業(yè)
12月9日，港交所披露文件，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”或“公司”）通過聆訊，中金公司、招銀國際為聯(lián)席保薦人。 據(jù)悉，港股IPO流程一般包括遞表-聆訊-路演-招股-公布配售結(jié)果-暗盤交易以及掛牌上市等階段。 其中，在聆訊階段，上市委員會(huì)審閱新上市申請，...  [詳內(nèi)文]

加速“上車”，兩大國際廠商合作開發(fā)氮化鎵逆變器
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
目前，新能源汽車領(lǐng)域已成為碳化硅（SiC）最熱門和最大規(guī)模的應(yīng)用市場，各大碳化硅相關(guān)廠商動(dòng)作頻頻。與此同時(shí)，和碳化硅同為第三代半導(dǎo)體代表材料的氮化鎵（GaN），在新能源汽車市場的應(yīng)用潛力也在日益顯現(xiàn)，研發(fā)熱度不斷上漲。近日，圍繞車用氮化鎵逆變器，有國際知名廠商開啟了新一輪合作。 ...  [詳內(nèi)文]

X-fab碳化硅功率器件工廠獲5000萬美元補(bǔ)助
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月5日，據(jù)外媒報(bào)道，美國《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補(bǔ)助，其中將向比利時(shí)X-fab公司運(yùn)營的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元（約3.64億人民幣）補(bǔ)助。 source：X-fab 據(jù)報(bào)道，對位于拉伯克的X-fab碳化硅功率器件工廠...  [詳內(nèi)文]

9.26億，北京瑞能6英寸功率半導(dǎo)體晶圓廠房完工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 17:59 | 分類 功率
據(jù)“順義科創(chuàng)”官微披露消息，近日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司廠房項(xiàng)目已完成全部施工內(nèi)容，擴(kuò)建工程已通過竣工驗(yàn)收。 source：順義科創(chuàng) 據(jù)悉，2021年12月15日，瑞能微恩半導(dǎo)體科技（北京）有限公司在順義落地，租用科創(chuàng)芯園壹號建設(shè)“6英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

江蘇新增一個(gè)碳化硅模塊封裝設(shè)備項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息，堰才招商公司近日舉行項(xiàng)目對接會(huì)，會(huì)上成功簽約4個(gè)項(xiàng)目，涵蓋了新能源、新裝備、新基建等多個(gè)產(chǎn)業(yè)，計(jì)劃總投資近20億元，其中包括一個(gè)碳化硅項(xiàng)目。 source：江蘇姜堰 據(jù)悉，該項(xiàng)目由上海弗昂元科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資1.15億元，租用廠房約9200...  [詳內(nèi)文]

電壓覆蓋700V，英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息，英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V。 source：江蘇姜堰 其中，CoolGaN? ...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、超芯星公開碳化硅晶體相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
天眼查資料顯示，近日，天岳先進(jìn)、超芯星兩家廠商公開了多項(xiàng)碳化硅晶體相關(guān)專利。 天岳先進(jìn)公開2項(xiàng)碳化硅晶棒制備專利 天眼查資料顯示，12月3日，天岳先進(jìn)公開一項(xiàng)“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專利，申請公布號為CN119061481A，申請日期為2024...  [詳內(nèi)文]

格芯獲美950萬美元補(bǔ)助，用于生產(chǎn)氮化鎵芯片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項(xiàng)目辦公室（TAPO）提供，...  [詳內(nèi)文]

2025全國氧化鎵及相關(guān)材料與器件學(xué)術(shù)交流會(huì)邀請函
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 15:04 | 分類 企業(yè)
邀 請 函 尊敬的各位專家、學(xué)者和同仁： 為搭建氧化鎵材料與器件研究領(lǐng)域科研技術(shù)人員相互交流與合作的平臺，促進(jìn)氧化鎵學(xué)術(shù)、技術(shù)的交流合作和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，展示相關(guān)領(lǐng)域最新研究成果，進(jìn)一步推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究和應(yīng)用技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。為此我單位定于2025年1月16-19日在海南省*三亞...  [詳內(nèi)文]