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格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:16 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局迎來關(guān)鍵性人事調(diào)整與技術(shù)突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設(shè)計公司提供晶圓流片制造服務(wù)，這標(biāo)志著格力在第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。 與此同時，格...  [詳內(nèi)文]

華為任正非：中國在中低端芯片有機會，特別是化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
“人民日報”官微消息，近期，在深圳華為總部，圍繞大眾關(guān)心的一些熱點話題，人民日報記者一行與華為首席執(zhí)行官任正非面對面交流。 談及中國芯片發(fā)展，任正非表示，中國在中低端芯片上是可以有機會的，中國數(shù)十、上百家芯片公司都很努力。特別是化合物半導(dǎo)體 機會更大 硅基芯片，我們用數(shù)學(xué)補物理、...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測研究新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測技術(shù)重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進(jìn)展。 圖片來源：華東理科大學(xué) 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設(shè)計技術(shù)”和“基于AI設(shè)計優(yōu)化技術(shù)”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導(dǎo)體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長飛先進(jìn)再獲進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進(jìn)官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經(jīng)緯恒潤”）與安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱 “長飛先進(jìn)”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源優(yōu)勢，共同推進(jìn)國產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認(rèn)證進(jìn)程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

日月光授予漢高2024最佳供應(yīng)商：材料創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 11:48 | 分類 企業(yè)
近日，材料科學(xué)巨頭漢高（Henkel）獲全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商日月光投資控股股份有限公司（ASE）頒發(fā)的2024年度最佳供應(yīng)商獎。此次獲獎，是漢高與日月光長期戰(zhàn)略合作的重要里程碑，標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新和綠色可持續(xù)發(fā)展方向的深度協(xié)同將邁入新的階段。 以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動行...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學(xué)在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用場景。但...  [詳內(nèi)文]

?參會提醒 | 集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇明日舉行（附參會指南）
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:52 | 分類 研討會
明日（6月10日），由TrendForce集邦咨詢主辦，時創(chuàng)意、銓興科技支持的“TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”將在深圳福田金茂JW萬豪酒店隆重舉行。 為方便出行，順利參會，小編為大家整理了這份“參會指南”，希望大家在參會期間，收獲滿滿。 溫馨提示：本次會議為面向產(chǎn)業(yè)鏈...  [詳內(nèi)文]

借力IPO，基本半導(dǎo)體中山百萬級SiC封裝線項目獲批
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目備案公示，這一重大進(jìn)展，與基本半導(dǎo)體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請的消息相呼應(yīng)。 圖片來源：廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]