文章分類： 功率

河北出臺新政，支持第三代半導體等細分行業(yè)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
| 分類: 功率
近日，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關于支持第三代半導體等5個細分行業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡稱《若干措施》），提出加快第三代半導體、新型顯示等細分行業(yè)發(fā)展。以下是該政策的部分內容： 第三代半導體 支持設計研發(fā)驗證。對擁有自主知識產權的第三代半導體設計企業(yè)，其研發(fā)設計的新產品通過用戶...  [詳內文]

SiC乘著光伏的東風狂飆！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
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在新能源產業(yè)井噴的大背景下，SiC也跟著炙手可熱，SiC上車已經不是趨勢而是事實，而在光伏領域，SiC也在加快前進步伐。 光伏發(fā)電并網的過程中，為了實現發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定、高效運行，對逆變器的要求會變得更嚴格，傳統(tǒng)硅基器件由于材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場景的應用，而Si...  [詳內文]

意法半導體為博格華納提供SiC，助力沃爾沃汽車！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 | | 分類: 功率
9月7日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。 為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，...  [詳內文]

納微計劃擴產SiC/GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
| 分類: 功率
據外媒報道，納微半導體正計劃在歐洲和美國擴大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產能力，以減少對臺廠的依賴。 據悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國德州（Lubbock, Texas）工廠生產，GaN在臺積電的...  [詳內文]

三安半導體8英寸SiC首發(fā)，即將獲得訂單？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 9:45 |
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2023年9月6日，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產業(yè)鏈產品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表...  [詳內文]

簽約、投產、成果發(fā)布，南京三代半產業(yè)迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:30 |
| 分類: 功率
9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心主辦的第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。 會上，多個超百億元產業(yè)項目簽約，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。 此次集中簽約的項目...  [詳內文]

日本開發(fā)這項新技術，可將SiC晶圓制造成本降低30%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:26 |
| 分類: 功率
由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶錠切割成為制約SiC器件制造核心瓶頸。近期，日本Dry Chemicals開發(fā)了一種新的工藝，能夠將SiC晶圓的制造成本降低20~30%。 該技術的核心是在晶錠上進行開槽，這樣可以使得晶圓切片的時候更加平整，從而減少晶圓表面的研磨、拋光等后處理所...  [詳內文]

三菱電機加速布局，首條12英寸產線安裝調試完成

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 06 日 17:11 |
| 分類: 功率
根據外媒報道，三菱電機已經在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產線的設備安裝調試，樣品生產和測試驗證了生產線上加工的功率半導體芯片達到了所需的性能水平。 報道稱，三菱電機計劃于2025財年開始量產300mm 功率硅晶圓生產線。目標是到2026財年將其硅功率半導體晶圓的...  [詳內文]

日本新技術將GaN材料成本降90%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 05 日 17:35 | | 分類: 功率
據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。 功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電...  [詳內文]

華潤微：深圳12英寸線預計2024年底通線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 04 日 17:45 |
| 分類: 功率
華潤微日前在業(yè)績說明會中透露，深圳12英寸線預計2024年底通線，聚焦40-90nm特色模擬功率IC產品。重點產品，一是電源相關，包含電源驅動、電池保護等，二是微控制器，包含MCU等。 此外，重慶12英寸產線聚焦功率器件，產品主要是MOSFET和IGBT等，其中MOSFET重點布...  [詳內文]