文章分類： 功率

國內(nèi)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)有新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
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據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。 source:江寧發(fā)布 公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代...  [詳內(nèi)文]

碳化硅爭奪戰(zhàn)：光伏龍頭們已入局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
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目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢喜人，跨界布局碳化硅業(yè)務(wù)的玩家眾多，包括長城汽車、吉利汽車等車企以及三安光電、博藍(lán)特等LED廠商，除車企和LED廠商外，部分光伏廠商已成為跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龍頭跨界布局碳化硅 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，通威集團、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測股份、捷...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢待發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 26 日 14:21 |
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新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首套碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 23 日 18:10 |
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據(jù)新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱通用半導(dǎo)體）傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。 據(jù)了解，該設(shè)備可實現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片...  [詳內(nèi)文]

碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域新增2起投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 21 日 17:51 |
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8月20日，中國臺灣新竹科學(xué)園公告了第18次園區(qū)審議會核準(zhǔn)投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領(lǐng)域有所布局。 公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額...  [詳內(nèi)文]

芯碁微裝國產(chǎn)碳化硅相關(guān)設(shè)備出口日本

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:50 |
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8月19日，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商芯碁微裝宣布，公司旗下MLF系列設(shè)備首次出口至日本。 芯碁微裝表示，公司MLF系列直寫光刻設(shè)備專為高精度、高效能的泛半導(dǎo)體封裝應(yīng)用而設(shè)計，特別適用于功率半導(dǎo)體，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的封裝工藝。該設(shè)備配備先進(jìn)的設(shè)備前端模塊（EFEM），能夠...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 15 日 17:50 |
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8月14日，據(jù)外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內(nèi)文]

日本將新增一條SiC產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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據(jù)日媒報道，8月1日，碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商東海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預(yù)計將于2024年12月完成建設(shè)。 東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項標(biāo)準(zhǔn)有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
| 分類: 功率
近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）公布了13項標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]