據三安半導體官微消息,7月24日,三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。這標志著三安碳化硅(SiC)項目二期通線在即,將為全面加速8英寸SiC產業(yè)布局,實現產線正式投產奠定良好基礎。
source:三安半導體
據介紹,湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣,旨在打造6...  [詳內文]
設備入場!三安半導體8英寸碳化硅提速 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:53 | 分類 功率 |