source：世紀金芯

據介紹，世紀金芯采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度，并通過多次優(yōu)化數據庫參數，準確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。

世紀金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產經驗，結合8英寸晶體生長的熱場結構設計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎上，采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區(qū)結構，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數變化量，獲得可重復性穩(wěn)定參數，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現性，突破了大尺寸、低應力等SiC晶體制備關鍵技術。

據稱，世紀金芯開發(fā)的8英寸SiC單晶生長技術可重復生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8英寸加工線也同步建成，將配套8英寸單晶生長，通過進一步優(yōu)化工藝，預期世紀金芯的8英寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。

世紀金芯自2019年12月成立以來，致力于第三代半導體SiC功能材料研發(fā)與生產，已經解決了高純SiC粉料提純技術、6英寸SiC單晶制備等關鍵技術。

2022年9月，世紀金芯年產3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產，能在一定程度上緩解國內大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面。（集邦化合物半導體Zac整理）

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資料顯示，世紀金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導體SiC功能材料研發(fā)與生產，已經解決了高純SiC粉料提純技術、6英寸SiC單晶制備等關鍵技術。

世紀金芯母公司北京世紀金光半導體有限公司前身為中原半導體研究所，始建于1970年。公司先后承擔科研任務80多項，取得國家專利超百項。目前已完成從SiC功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應用開發(fā)和解決方案提供等關鍵領域的全面布局。

圖片來源：拍信網正版圖庫

據世紀金芯介紹，通過不斷創(chuàng)新及自主研發(fā)，公司產品覆蓋6英寸、8英寸的SiC襯底片，目前公司合肥工廠已正式投產，包頭年產70萬片8英寸SiC襯底片工廠正在建設中，預計2024年底一期項目正式投產。

值得一提的是，2022年9月9日，世紀金芯年產3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產。據悉，該項目是世紀金光聯(lián)合合肥市高新區(qū)、合肥產投集團共同打造SiC功率半導體全產業(yè)鏈的一期項目，總投資4.05億元，占地面積7200平方米，歷時11個月實現由工程建設進入生產運營。該項目投產，可有效緩解國內大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面。

另據了解，湖南S公司成立時就專業(yè)從事化合物半導體制造，擁有國內首條6英寸SiC垂直整合產業(yè)鏈。與湖南S公司達成戰(zhàn)略合作，有助于世紀金芯獲得SiC先進技術加持和產能保障。（集邦化合物半導體Zac整理）

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