國內2個碳化硅材料項目同時披露新進展

據(jù)“投資濟南”官微消息，10月17日，濟南市半導體、空天信息產業(yè)高價值技術成果本市轉化對接會在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦。會上，中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術開發(fā)項目與山東大學新一代半導體材料研究院舉行簽約。

據(jù)悉，中晶芯源是南砂晶圓全資子公司。今年6月22日，南砂晶圓北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅項目正式投產。該項目計劃總投資15億元，達產年產能為30萬片。

在中晶芯源8英寸碳化硅項目投產當天，南砂晶圓、中晶芯源董事長王垚浩表示，碳化硅進入8英寸時代比預想的要早、要快，今后三年，南砂晶圓投資擴產的重心將放在濟南北方基地項目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產能。

在中晶芯源8英寸碳化硅項目新簽約的同時，予秦半導體碳化硅晶錠項目公示了環(huán)評文件。

根據(jù)環(huán)評文件，予秦半導體晶體材料研發(fā)及產業(yè)化項目總投資1.1億元，選址位于蕪湖高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，項目占地面積約3000平方米，租賃廠房建筑面積2428.6平方米，建設碳化硅半導體晶體材料生產線，項目共投入30臺長晶設備，產能為840個晶錠/年。

據(jù)悉，予秦半導體碳化硅晶錠項目最早于2022年8月8日進行首次備案，原規(guī)劃建設碳化硅長晶爐總部及生產基地項目，組裝生產碳化硅長晶設備（環(huán)評豁免）；后于2024年4月1日變更備案并通過，建設晶體材料研發(fā)及產業(yè)化項目，并且于同年6月對備案中項目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設周期等建設內容進行更正并通過備案。

國內碳化硅材料項目熱度居高不下

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括中晶芯源8英寸碳化硅項目和予秦半導體碳化硅晶錠項目在內，國內已有十多個碳化硅材料項目相繼披露了最新進展，顯示各大廠商正在持續(xù)加碼碳化硅材料細分賽道。

其中，廣東天域半導體總部和生產制造中心項目總投資80億，總占地面積約114.65畝，建筑面積約24萬平方米，建成后用于生產6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，產能達150萬片/年。項目建設周期為2023年至2026年，未來預計年產值約100億元。

天科合達碳化硅襯底產業(yè)化基地建設二期項目用于擴大其碳化硅晶體與晶片產能，投產后將實現(xiàn)年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。

投資額70億元的重慶三安8英寸碳化硅襯底廠在8月底已實現(xiàn)點亮通線，是三安光電為其與意法半導體合資的8英寸碳化硅器件廠配套建設的碳化硅襯底廠，年產能為8英寸碳化硅襯底48萬片。

從天科合達、天域半導體等碳化硅襯底、外延頭部廠商的新增項目來看，基本都是兼顧6/8英寸，符合產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。

目前，碳化硅產業(yè)仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及應用，廠商新增項目規(guī)劃一部分6英寸產能，能夠滿足當前的市場需求，但8英寸是趨勢，規(guī)劃8英寸產能能夠為未來的起量提前做好產線布局。

還有廠商新建項目規(guī)劃的是6/8英寸碳化硅襯底兼容的產線，初期量產6英寸襯底以搶占當前市場份額，一旦8英寸時代來臨，可在短時間內轉而量產8英寸產品，能夠快速響應產業(yè)需求。

除上述碳化硅襯底項目外，這些材料項目有一部分是襯底生產制造的原材料碳化硅粉體項目，包括中宜創(chuàng)芯、冠嵐新材料、北京世宇、利源硅業(yè)等廠商相關項目。

資料顯示，碳化硅粉體純度直接影響單晶的生長質量和電學性能，純度越高，單晶的生長質量和電學性能越優(yōu)秀。

今年以來，國內各大碳化硅襯底廠商正在持續(xù)加碼產能建設，作為配套，已有一批碳化硅粉體項目在今年下半年落地實施，將有助于各大襯底廠商從原材料端推進項目順利實施。

當前，國內碳化硅相關企業(yè)在材料端、器件端、設備端都取得了一定進展，本土廠商在整個碳化硅產業(yè)鏈的存在感都將會越來越強。（文：集邦化合物半導體Zac）

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