1月21日，中科院微電子研究所發(fā)布消息稱(chēng)，我國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作，成功研制出首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件及其電源系統(tǒng)。 這一突破標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]