據(jù)悉，深創(chuàng)投基金與遠致星火將分別出資3億及1億元，認購本次鑫耀半導體新增注冊資本1.6億元，增資完成后，深創(chuàng)投基金、遠致星火將分別持有鑫耀半導體25%、8.3333%的股權(quán)。

對于本次增資擴股原因，云南鍺業(yè)表示，是基于鑫耀半導體當前的實際情況和經(jīng)營發(fā)展的考慮，符合公司的長遠發(fā)展規(guī)劃，融入資金鑫耀半導體可以用于研發(fā)、生產(chǎn)運營、廠房和設備設施購置等。

鑫耀半導體主要業(yè)務為半導體材料砷化鎵晶片及磷化銦晶片的生產(chǎn)與銷售。目前在云南國家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

據(jù)企查查顯示，鑫耀半導體目前的主要股東為云南鍺業(yè)、哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司（下文簡稱“哈勃科技”）和惠峰，三者分別持股84.5%、9.3%、6.1%。值得一提的是，哈勃投資為華為投資有限公司全資子公司。

本次增資完成后，云南鍺業(yè)所持有的鑫耀半導體股權(quán)由之前的84.5294%下降至56.3529%，公司對其控制地位不變，合并報表范圍不會發(fā)生變更。鑫耀半導體二股東哈勃科技持股比例由9.3454%下降至6.2303%，位列深創(chuàng)投基金、遠致星火之后，為第四大股東。（集邦化合物半導體Morty整理）

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對于有投資者想了解公司6英寸SiC中試生產(chǎn)線前面是否還有小試生產(chǎn)線，云南鍺業(yè)表示，上述研發(fā)項目前期已完成小試，目前中試線正處于建設過程中。

同時，有投資者對公司6英寸SiC項目相關專利申請及審批情況感興趣。對此，云南鍺業(yè)表示，公司SiC項目尚在研發(fā)階段，公司研發(fā)過程中均會以申請專利的形式確定相關研發(fā)成果，目前已取得5項實用新型專利授權(quán)，2項發(fā)明專利授權(quán)，其他專利申請目前仍在審查過程中。

此外，對于投資者近日提到的8英寸SiC項目送樣認證相關問題，云南鍺業(yè)11月3日回應稱，公司SiC在研項目為“6英寸大直徑SiC單晶片產(chǎn)業(yè)關鍵技術(shù)研發(fā)項目”，目前該項目尚在研發(fā)階段，研發(fā)過程中已向下游企業(yè)送樣并取得使用報告。

資料顯示，云南鍺業(yè)成立于1998年8月，是目前國內(nèi)鍺產(chǎn)業(yè)鏈較為完整、鍺金屬保有儲量較大、鍺產(chǎn)品產(chǎn)銷量較大的鍺系列產(chǎn)品生產(chǎn)商和供應商。其主營業(yè)務為鍺系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售經(jīng)營一體化的鍺礦開采、火法富集、濕法提純、區(qū)熔精煉、精深加工及研究開發(fā)等業(yè)務。

盡管云南鍺業(yè)主營業(yè)務為鍺系列產(chǎn)品，但其在SiC方面的動作近期似乎頗受外界關注，投資者們頻頻在互動平臺就SiC相關問題與云南鍺業(yè)進行互動。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

事實上，云南鍺業(yè)很早就已開始涉足SiC材料領域。2015年7月，云南鍺業(yè)與中國科學院半導體研究所成立聯(lián)合實驗室，該實驗室重點研究方向之一便是SiC單晶材料制備及其應用。

隨后，云南鍺業(yè)子公司昆明云鍺高新技術(shù)有限公司年產(chǎn)3萬片6英寸SiC單晶材料建設項目，成為云南省2020年全省100項重大復工項目之一，可見該項目已成為被政府優(yōu)先考慮復工的重要項目之一。

不難看出，云南鍺業(yè)在SiC領域已有一定的基礎，且有不斷加碼的跡象和相關動作。風口下，SiC已成為云南鍺業(yè)不容忽視的潛力市場。

第三代半導體SiC因其優(yōu)異的材料物理特性，非常適合新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、特高壓等應用場景，因此相關需求近年來持續(xù)上揚。據(jù)TrendForce研究，2022年全球SiC功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%。作為半導體資深玩家的云南鍺業(yè)，主營業(yè)務向SiC傾斜也不足為奇。（化合物半導體市場Zac整理）

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