根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項目（一期）”，并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個領(lǐng)域。自2023年起，兆馳半導(dǎo)體進一步布局光通信領(lǐng)域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項目披露了最新進展，分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息，芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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