source：巴中經(jīng)開區(qū)

據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺(tái)設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，用于芯片生產(chǎn)的粘片工序，預(yù)計(jì)在下周還將到達(dá)第二批設(shè)備，主要是焊線、塑封、測(cè)試等設(shè)備，整線設(shè)備到達(dá)后將進(jìn)行安裝調(diào)試。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由四川深矽微科技有限公司投資建設(shè)，計(jì)劃總投資3億元，分兩期建設(shè)，一期使用巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期標(biāo)準(zhǔn)化廠房6000平方米，主要建設(shè)車規(guī)級(jí)功率器件以及部分芯片級(jí)封裝生產(chǎn)線；二期入駐巴中低空經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園，使用廠房2萬平方米，建設(shè)高密度封裝生產(chǎn)線、設(shè)計(jì)開發(fā)高密度模具和引線框架生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：長(zhǎng)飛先進(jìn)

據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

日前，長(zhǎng)飛先進(jìn)的晶圓廠、封測(cè)廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實(shí)現(xiàn)封頂。

據(jù)介紹，10月開始，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地將迎來首批設(shè)備搬入，并于2025年6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域。

長(zhǎng)飛先進(jìn)專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺(tái)的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場(chǎng)景。長(zhǎng)飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營(yíng)產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場(chǎng)，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。（來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

項(xiàng)目方面，捷捷微電另外一個(gè)功率器件項(xiàng)目近期也傳出新進(jìn)展。上個(gè)月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目廠房已封頂，正在進(jìn)行玻璃幕墻施工。

據(jù)悉，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級(jí)”封測(cè)項(xiàng)目于2023年初開工，建設(shè)期在2年左右。該項(xiàng)目總投資為133395.95萬元，總建筑面積16.2萬平方米，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級(jí)大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達(dá)年產(chǎn)1900kk車規(guī)級(jí)大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級(jí)大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級(jí)大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

捷捷微電是集功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發(fā)和制造、器件研發(fā)和封測(cè)、芯片及器件銷售和服務(wù)為一體的功率（電力）半導(dǎo)體器件制造商和品牌運(yùn)營(yíng)商，其在研產(chǎn)品涵蓋SiC、GaN功率器件。

捷捷微電近日在投資者調(diào)研活動(dòng)中透露，其與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至2024年第一季度末，其擁有SiC和GaN相關(guān)實(shí)用新型專利6件，發(fā)明專利1件；此外，捷捷微電還有10個(gè)發(fā)明專利尚在申請(qǐng)受理中。其目前有少量SiC器件的封測(cè)，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫

先越光電半導(dǎo)體器件模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶重慶萬州

1月13日，在重慶市2024年一季度重點(diǎn)制造業(yè)開工項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)萬州區(qū)分現(xiàn)場(chǎng)，集中開工項(xiàng)目11個(gè)，總投資81.5億元。其中包括總投資9億元的半導(dǎo)體器件模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，將建設(shè)集材料、芯片、器件、模組于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由重慶先越光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱先越光電）投資建設(shè)，將在萬州經(jīng)開區(qū)高峰園建設(shè)半導(dǎo)體器件模組生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后可形成年生產(chǎn)激光器封裝0.5億顆、模塊產(chǎn)品2500萬個(gè)產(chǎn)能。

資料顯示，先越光電成立于2023年7月，注冊(cè)資本1億人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、銷售，半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、銷售等。股東信息顯示，先越光電是廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)稀材）全資子公司。

先導(dǎo)稀材成立于2023年6月，是一家專業(yè)從事稀有金屬及其高端材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收服務(wù)的材料技術(shù)企業(yè)。成立至今，先導(dǎo)稀材已完成三輪融資，投資方包括誠信創(chuàng)投、浙江創(chuàng)新產(chǎn)投、中科科創(chuàng)、中科招商、廣發(fā)信德、凱泰資本、廣發(fā)乾和等。

總投資38億元，大江半導(dǎo)體新建SiC項(xiàng)目

近日，浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示，2024年度浙江省重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目擬新增1個(gè)SiC項(xiàng)目，總投資38億元，共計(jì)建筑面積77745.78平米。法人名稱為杭州大江半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱大江半導(dǎo)體）。

另外根據(jù)杭州規(guī)劃和自然資源局官網(wǎng)公布的《蕭政工出〔2023〕30號(hào)功率器件封裝模塊制造項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》內(nèi)容指出，該項(xiàng)目計(jì)劃生產(chǎn)SiC功率模塊。項(xiàng)目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個(gè)。據(jù)悉，該項(xiàng)目施工工期20個(gè)月，目前尚未開工建設(shè)。

資料顯示，大江半導(dǎo)體成立于2022年9月，注冊(cè)資本5000萬人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、銷售等。

總投資10億元，瑞普智能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約

1月10日，中晟芯泰航空工業(yè)制造集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱中晟芯泰）與江西瑞普智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱瑞普智能）共同在廣東東莞舉辦瑞普智能功率半導(dǎo)體模組制造項(xiàng)目投資合作簽約儀式，正式達(dá)成半導(dǎo)體項(xiàng)目投資合作。

據(jù)悉，瑞普智能功率半導(dǎo)體模組制造項(xiàng)目于2023年立項(xiàng)，總投資規(guī)模為10億元人民幣，項(xiàng)目用地80.2畝，預(yù)計(jì)建設(shè)廠房5棟共75000平米，研發(fā)樓1棟共5000平米，主要從事IGBT功率半導(dǎo)體模組生產(chǎn)項(xiàng)目。

資料顯示，瑞普智能成立于2021年12月，注冊(cè)資本2000萬人民幣。股東信息顯示，瑞普智能為中晟芯泰全資子公司。中晟芯泰成立于2023年2月，注冊(cè)資本1.3億人民幣，該公司經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、電子元器件制造等。

值得一提的是，2022年8月，瑞普智能與北京中科威集成電路科技公司在江蘇如東簽署江蘇中科威集成電路有限公司股權(quán)收購協(xié)議。

據(jù)介紹，隨著本次收購協(xié)議的簽署，瑞普智能不僅擁有了氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)技術(shù)，同時(shí)還擁有外延片、半導(dǎo)體晶體材料流片及光刻技術(shù)，以及封測(cè)和IGBT技術(shù)，本次收購?fù)瓿珊?，瑞普智能不僅擁有了流片生產(chǎn)線，同時(shí)還有多臺(tái)光刻機(jī)和200多臺(tái)封測(cè)設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

資料顯示，比亞迪半導(dǎo)體主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù)，公司以車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心，產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車核心應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)也廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域。

作為比亞迪集團(tuán)控股子公司，比亞迪半導(dǎo)體大舉投資擴(kuò)產(chǎn)的推動(dòng)力之一便是比亞迪新能源汽車業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展。今年11月24日，比亞迪第600萬輛新能源汽車在鄭州工廠下線，比亞迪表示，從“第500萬輛”到“第600萬輛”僅用時(shí)3個(gè)多月。據(jù)比亞迪董事長(zhǎng)王傳福此前介紹，由于集團(tuán)業(yè)務(wù)快速增長(zhǎng)，需求量巨大，使得比亞迪半導(dǎo)體對(duì)集團(tuán)的半導(dǎo)體銷售比例較大。

比亞迪半導(dǎo)體不斷提升產(chǎn)能，以保障對(duì)比亞迪集團(tuán)新能源汽車半導(dǎo)體功率器件的充足供應(yīng)，同時(shí)，有利于在未來搶食市場(chǎng)紅利。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)三安光電今年8月預(yù)測(cè),2025年SiC預(yù)計(jì)存在約400萬片產(chǎn)能缺口。而SiC是800V高壓快充標(biāo)配，已有小鵬G6、極氪X、智己LS6等多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市，未來仍將有同價(jià)格段車型如極氪007等上市，SiC上車已是大勢(shì)所趨。更早、更多的產(chǎn)能布局，有助于公司未來在新能源車企SiC器件需求爭(zhēng)奪戰(zhàn)中占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位，收獲更多業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>

目前，半導(dǎo)體功率器件知名廠商已成為新能源車企眼中的“香餑餑”，攜手合作成為常態(tài)。其中，吉利牽手積塔半導(dǎo)體與華潤(rùn)微，上汽與英飛凌，東風(fēng)公司與株洲中車時(shí)代，理想汽車與三安半導(dǎo)體，長(zhǎng)城與同光半導(dǎo)體等,均通過戰(zhàn)略合作方式，推動(dòng)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET等相關(guān)產(chǎn)品落地。

與此同時(shí)，還有自研這條路可以走，一定程度上能夠降低車企在技術(shù)和產(chǎn)品上受制于人的風(fēng)險(xiǎn)，只不過需要雄厚的資金支持，并非所有的車企都具備這樣的實(shí)力，目前這條路上僅有比亞迪、吉利、長(zhǎng)城等少數(shù)玩家。得益于比亞迪新能源汽車產(chǎn)銷不斷創(chuàng)記錄，比亞迪半導(dǎo)體獲得源源不斷的資金支持，保證了擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)的穩(wěn)步進(jìn)行。

王傳福今年曾表示，比亞迪半導(dǎo)體去年11月終止IPO進(jìn)程的原因之一是獨(dú)立性變?nèi)?。隨著比亞迪半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)以及其它新項(xiàng)目陸續(xù)上馬，比亞迪半導(dǎo)體有望拓展更多車企用戶、占據(jù)更大市場(chǎng)份額，獨(dú)立性隨之增強(qiáng)，重啟IPO進(jìn)程也就水到渠成。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)矽力杰介紹，寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體的器件與電源管理技術(shù)，建設(shè)貫通“器件-封裝測(cè)試-電源變換裝備”的完善技術(shù)鏈及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用體系，重點(diǎn)建設(shè)突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術(shù)，聚焦寬禁帶器件先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)的高效率、高密度電源變換技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化三大重點(diǎn)方向。

資料顯示，物質(zhì)導(dǎo)電需要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱作導(dǎo)帶，空穴存在的能帶稱作價(jià)帶。被束縛的電子要想成為自由電子或空穴，必須獲得足夠能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)能量的最小值就是禁帶寬度。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，而當(dāng)前主流的半導(dǎo)體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。寬禁帶半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵（GaN）為代表，因其禁帶寬度大、電子遷移率高等物理特性，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、汽車電子、光伏儲(chǔ)能以及光電領(lǐng)域。

隨著終端電力電子產(chǎn)品的迭代升級(jí)，傳統(tǒng)硅基元件已無法滿足高功率、高壓場(chǎng)景需求，碳化硅、氮化鎵器件因其在高溫、高壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)需求持續(xù)上漲。

據(jù)TrendForce研究，2022年全球碳化硅功率市場(chǎng)規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%；2022年全球氮化鎵功率市場(chǎng)規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達(dá)13.3億美元，CAGR達(dá)65%。

值得一提的是，矽力杰自主研發(fā)了集成度更高的合封氮化鎵芯片，將控制器與氮化鎵器件集成，包含驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能，支持QR/DCM模式。在傳統(tǒng)初級(jí)電路中兩三顆芯片才能實(shí)現(xiàn)的功能，通過采用矽力杰合封方案，僅由一顆芯片就能完成，不僅能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，還可以提升整體方案性能，也能減少PCB板的用量，縮小尺寸并減少物料成本。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Zac整理）

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此外，重慶12英寸產(chǎn)線聚焦功率器件，產(chǎn)品主要是MOSFET和IGBT等，其中MOSFET重點(diǎn)布局中低壓先進(jìn)溝槽MOS及高壓超結(jié)MOS，目前產(chǎn)品驗(yàn)證速度和產(chǎn)品爬坡進(jìn)度按計(jì)劃進(jìn)行。預(yù)計(jì)年底產(chǎn)能達(dá)到2萬片，爭(zhēng)取達(dá)到2.5萬片，明年預(yù)計(jì)產(chǎn)能達(dá)到3萬片，爭(zhēng)取達(dá)到3.5萬片。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

華潤(rùn)微還表示，公司第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵均規(guī)模上量，今年上半年碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品銷售收入同比增長(zhǎng)約3.6倍，預(yù)計(jì)下半年的增速會(huì)繼續(xù)提高。下游應(yīng)用方面，碳化硅產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車電子、充電樁、工業(yè)電源、光伏、儲(chǔ)能等，SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊產(chǎn)品均有進(jìn)入汽車電子應(yīng)用。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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該生產(chǎn)線的安裝目標(biāo)是到2025財(cái)年將公司硅功率半導(dǎo)體晶圓工藝的產(chǎn)能較2020財(cái)年翻一番。計(jì)劃于2024年開始量產(chǎn)，目前已確認(rèn)使用同一生產(chǎn)線制造的晶圓的功率半導(dǎo)體芯片原型已經(jīng)過評(píng)估，并已達(dá)到設(shè)計(jì)的性能。

在全球脫碳、數(shù)字化趨勢(shì)下，功率半導(dǎo)體需求逐年上升，需要穩(wěn)定的供應(yīng)。在該公司之前，海外公司已經(jīng)在推廣300mm功率半導(dǎo)體，除該公司之外的國內(nèi)公司也在效仿。該公司還表示，基于該生產(chǎn)線的安裝，將通過增加功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能并為市場(chǎng)提供穩(wěn)定的供應(yīng)，為實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。

三菱的功率器件野心

三菱電機(jī)于 2021 年 11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)幫助會(huì)，并宣布將在未來五年內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資 1300 億日元，直至 2025 年。該公司計(jì)劃在福山工廠（廣島縣福山市）新建一條 12 英寸（300 毫米）晶圓生產(chǎn)線，并計(jì)劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

據(jù)該公司稱，由于汽車自動(dòng)化、消費(fèi)設(shè)備逆變器的進(jìn)步和工業(yè)/可再生能源的節(jié)能需求，功率器件市場(chǎng)在2020年到2025年之間將以12%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)。而電氣化鐵路的發(fā)展，以及自動(dòng)化的進(jìn)步。預(yù)計(jì)會(huì)以速度擴(kuò)大。

三菱電機(jī)將公司功率器件業(yè)務(wù)的目標(biāo)設(shè)定為——到2025年銷售額2400億日元以上、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率10%以上。為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，三菱電機(jī)將重點(diǎn)關(guān)注增長(zhǎng)預(yù)期較高的汽車領(lǐng)域和公司市場(chǎng)占有率較高的消費(fèi)領(lǐng)域，兩個(gè)領(lǐng)域按領(lǐng)域銷售的比例將從2020年的 50%提升到到2025年的65% 。

三菱電機(jī)還表示還表示，與 2020 年相比，公司計(jì)劃到 2025 年將晶圓制造（前道處理）的產(chǎn)能翻一番。封裝和檢測(cè)環(huán)節(jié)（后道工序）也將“及時(shí)、適當(dāng)?shù)赝度搿币詽M足未來的需求。按照三菱電機(jī)的計(jì)劃，公司在未來五年（至2025年）的投資規(guī)模約為1300億日元。

這項(xiàng)投資的一個(gè)典型例子是在福山工廠建設(shè) 8 英寸（200 毫米）和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開始試運(yùn)行，并計(jì)劃于2022年春季開始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標(biāo)是2024年。

新的12英寸生產(chǎn)線具有通過增加硅片直徑和通過自動(dòng)化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢(shì)，以及通過在內(nèi)部增加載流子存儲(chǔ)層實(shí)現(xiàn)低損耗的獨(dú)特“CSTBT cell結(jié)構(gòu)”晶圓。通過這種改進(jìn)，三菱電機(jī)希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率，三菱電機(jī)也將把它應(yīng)用到 RC-IGBT 上，以實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化，而汽車領(lǐng)域和消費(fèi)領(lǐng)域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。

三菱電機(jī)同時(shí)表示，公司也在加強(qiáng)對(duì) SiC 的努力，它具有從大型電動(dòng)汽車擴(kuò)展到中型電動(dòng)汽車的潛力。除了將獨(dú)特的制造工藝應(yīng)用于溝槽 MOSFET 以進(jìn)一步提高性能和生產(chǎn)力之外，該公司還考慮制造 8 英寸Si晶圓。

該公司表示，“我們將根據(jù)客戶的需求適當(dāng)?shù)厥褂霉韬?SiC 來加強(qiáng)我們的業(yè)務(wù)。通過提供集成了硅芯片 / SiC 芯片的模塊陣容，我們將滿足從小到大客戶的多樣化需求。”三菱解釋說。

2023年將有13座新300毫米晶圓廠投產(chǎn)

據(jù) Knometa Research 稱，截至 2022 年底，有 167 家半導(dǎo)體工廠加工 300 毫米晶圓，用于制造 IC，包括 CMOS 圖像傳感器和功率分立器件等非 IC 產(chǎn)品。

盡管半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)低迷，但2023年仍有13座新的300毫米晶圓廠投產(chǎn)。這些新晶圓廠主要用于功率晶體管、先進(jìn)邏輯和代工服務(wù)的生產(chǎn)。

根據(jù)截至 2022 年末的建設(shè)計(jì)劃，15 座 300 毫米晶圓廠將于 2024 年投產(chǎn)，其中 13 座用于生產(chǎn) IC。預(yù)計(jì) 2025 年開設(shè)的晶圓廠數(shù)量將創(chuàng)歷史新高，其中 17 座工廠計(jì)劃開始生產(chǎn)。由于2023年支出削減，一些原定于2024年開業(yè)的晶圓廠可能會(huì)推遲到2025年。到2027年，運(yùn)營(yíng)中的300毫米晶圓廠數(shù)量將超過230座。

越來越多的 300 毫米晶圓廠正在建設(shè)中，用于制造非 IC 器件，尤其是功率晶體管。在大晶圓上處理芯片的制造成本優(yōu)勢(shì)對(duì)于以大芯片尺寸和高產(chǎn)量為特征的設(shè)備類型會(huì)發(fā)揮作用。具有這些特性的集成電路的示例包括 DRAM、閃存、圖像傳感器、復(fù)雜邏輯和微組件 IC、PMIC、基帶處理器、音頻編解碼器和顯示驅(qū)動(dòng)器。雖然與這些 IC 的芯片尺寸相比，大尺寸功率晶體管仍然很小，但它們的出貨量很大，并且足夠大，足以使 300mm 晶圓廠保持在具有成本效益的生產(chǎn)水平。

在2023年開業(yè)的13座300毫米晶圓廠中，有5座專注于非IC產(chǎn)品的生產(chǎn)，其中3座位于中國，2座位于日本。

今年新開業(yè)的 300 毫米晶圓廠中有三分之二用于代工服務(wù)，其中四家完全致力于為其他公司提供代工半導(dǎo)體制造服務(wù)。

ST 建立了兩個(gè)獨(dú)立的合作伙伴關(guān)系，以在法國克羅爾和意大利阿格拉特的現(xiàn)有工廠增加新的 300mm 晶圓廠產(chǎn)能。在克羅爾斯，意法半導(dǎo)體正在與 GlobalFoundries 合作，增加先進(jìn)邏輯和代工服務(wù)的新產(chǎn)能。在 Agrate，ST 和 Tower Semiconductor 正在增加混合信號(hào)、電源、射頻和代工服務(wù)的產(chǎn)能。

當(dāng)前市場(chǎng)萎縮帶來的大部分痛苦都體現(xiàn)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。毫不奇怪，2023 年沒有新的 300mm 晶圓廠用于內(nèi)存開放。（文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察編譯自mynavi）

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項(xiàng)目分為兩期，此次封頂?shù)氖且黄陧?xiàng)目，投資約24億元，計(jì)劃2023年8月投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)2萬片8英寸晶圓的生產(chǎn)能力。二期將在2024年中旬開工建設(shè)，兩期項(xiàng)目總投資達(dá)50億元，全部達(dá)成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)72萬片8英寸功率器件芯片，產(chǎn)值達(dá)60億元。2022年8月13日，項(xiàng)目舉行開工奠基儀式。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息稱，浙江省政府已經(jīng)把麗水半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入全省規(guī)劃，麗水將重點(diǎn)打造集成電路關(guān)鍵材料和功率器件生產(chǎn)基地。

旺榮半導(dǎo)體8英寸功率器件項(xiàng)目采用當(dāng)今先進(jìn)的新型電力電子器件生產(chǎn)設(shè)備，工藝技術(shù)方面具有成熟的高電壓、大電流MOSFET產(chǎn)業(yè)化技術(shù)和Trench溝槽工藝，打破了國外芯片廠商在該領(lǐng)域的壟斷。

據(jù)介紹，截至目前，麗水經(jīng)開區(qū)已經(jīng)招引了中欣晶圓、晶睿電子、東旭高端光電、江豐電子、玨芯微電子等半導(dǎo)體項(xiàng)目和科研機(jī)構(gòu)。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）

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報(bào)導(dǎo)引用知情人士的說法指出，三星電子近期在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動(dòng)宣布，將在2025年起，為消費(fèi)級(jí)、資料中心和汽車應(yīng)用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)。

據(jù)悉，氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，可以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求。當(dāng)前，氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)。

據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告 – Part1》顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

面對(duì)強(qiáng)大的市場(chǎng)需求，眾多半導(dǎo)體廠商開始擴(kuò)充生產(chǎn)線，布局氮化鎵市場(chǎng)。

國際廠商方面：

英飛凌已經(jīng)宣布8.3億美元收購GaN Systems，并斥資20億歐元對(duì)碳化硅和氮化鎵進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)；DB Hi-Tech的目標(biāo)是在2024年完成氮化鎵產(chǎn)品的開發(fā)，2025年開始商業(yè)化生產(chǎn)；BelGaN通過收購Onsemi位于比利時(shí)的6英寸晶圓廠，計(jì)劃將其改造成氮化鎵代工廠…

國內(nèi)企業(yè)方面：

三安光電、華潤(rùn)微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商也在馬不停蹄地加速布局氮化鎵并推進(jìn)產(chǎn)品落地和商用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

低調(diào)卻“吸金”

雖然沒有碳化硅那么火爆，但氮化鎵的吸金程度也毫不遜色。據(jù)筆者不完全統(tǒng)計(jì)，除了國外的ST、英飛凌和PI等企業(yè)一馬當(dāng)先以外，國內(nèi)的英諾賽科和納微也發(fā)展迅猛，到這也擋不住氮化鎵的發(fā)展浪潮。

據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2021年國內(nèi)超9家氮化鎵相關(guān)企業(yè)獲得了超12輪的融資，其中禹創(chuàng)半導(dǎo)體、鎵未來、能華微電子等3家企業(yè)都完成了2輪融資，從透露的投資額來看，芯元基完成了逾億元B輪；南芯半導(dǎo)體完成了近3億元D輪融資；能華微電子則是完成了數(shù)億元C輪。此外，2021年封測(cè)巨頭晶方科技入局氮化鎵，投資了以色列VisIC Technologies Ltd．，環(huán)旭電子也宣布投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司，加碼功率電子戰(zhàn)略。

吸金能力的背后，是氮化鎵強(qiáng)大的潛力。同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。據(jù)Yole Developpement發(fā)布的GaN Power 2021報(bào)告預(yù)期，到2026年GaN功率市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到11億美元。

說到GaN功率器件，當(dāng)前人們的第一反應(yīng)可能就是快充。從小米開局到蘋果入局，氮化鎵快充市場(chǎng)爆點(diǎn)不斷。2021年10月，蘋果推出了旗下首款氮化鎵技術(shù)充電器，并在全球范圍內(nèi)率先支持USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，一舉刷新了USB PD充電器單口輸出最高功率，達(dá)到140W。相比傳統(tǒng)硅器件，氮化鎵快充能夠顯著提升充電速度，并降低系統(tǒng)待機(jī)狀態(tài)的電量消耗，在這個(gè)萬事都離不開手機(jī)的時(shí)代，完美地滿足了人們“充電2分鐘，通話兩小時(shí)”的需求。當(dāng)然，除了手機(jī)以外，平板、游戲機(jī)等也將追求輕量化，這也給氮化鎵快充帶來了不小的市場(chǎng)。

但需要注意的是，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域遠(yuǎn)不止消費(fèi)電子領(lǐng)域。據(jù)普華有策統(tǒng)計(jì)，氮化鎵通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域，微波射頻方向包含了 5G 通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)電子等；光電子方向則包括了 LED、激光器、光電探測(cè)器等。

而其中，5G 通信與新能源汽車也將成為氮化鎵未來重點(diǎn)投入的方向。隨著汽車電動(dòng)化、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)，在小尺寸封裝強(qiáng)大性能的加持下，GaN再次成為關(guān)注的焦點(diǎn)。在5G通信領(lǐng)域，GaN可以縮小 5G 天線的尺寸和重量，又能滿足嚴(yán)格的熱規(guī)范，所以適合毫米波領(lǐng)域所需的高頻和寬帶寬。在目前正熱的汽車電子市場(chǎng)，氮化鎵也可以將汽車的車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器做得更小更輕，從而有空間放入更多的鋰電池，提升整車?yán)m(xù)航里程。

Yole更是預(yù)測(cè)，從2022年開始預(yù)計(jì)氮化鎵以小量滲透到OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。因此到2026年，汽車和移動(dòng)市場(chǎng)價(jià)值將超過1.55億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)185%。

產(chǎn)業(yè)鏈格局

上游主要包括襯底與外延片的制備。襯底的選擇對(duì)于器件性能起關(guān)鍵作用，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底是GaN器件降低成本的突破口。

襯底

目前市場(chǎng)上GaN晶體管主流的襯底材料為藍(lán)寶石、SiC和Si，GaN襯底由于工藝、成本問題尚未得到大規(guī)模商用。藍(lán)寶石襯底一般用于制造藍(lán)光LED，通常采用MOCVD法外延生長(zhǎng)GaN。

GaN襯底目前仍然以2-4英寸為主，外延片6英寸開始商用，8英寸已試制成功。材料尺寸的增加將帶來更大產(chǎn)能和更低成本。

市場(chǎng)格局方面來看，海外主要廠商包括日本住友電工、日本三菱化學(xué)、日本住友化學(xué)等，三家日本廠商合計(jì)占比超過85%。

國內(nèi)目前實(shí)現(xiàn)GaN襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)主要有蘇州納維、中鎵半導(dǎo)等公司。其中，蘇州納維目前已可以實(shí)現(xiàn)2英寸GaN單晶的量產(chǎn)，并完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)。中鎵半導(dǎo)已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線，可制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。

外延

由于制備GaN 的單晶材料無法從自然界中直接獲取所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、SiC、Si 等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。GaN自支撐襯底在激光器上的應(yīng)用可獲得更高的發(fā)光效率品質(zhì)。

國內(nèi)目前布局GaN外延的企業(yè)主要有蘇州晶湛、聚能晶源等公司。

其中，蘇州晶湛擬投資2.8億元進(jìn)行氮化鎵外延片異地?cái)U(kuò)建項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2023年建成投產(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)氮化鎵外延片24萬片，同時(shí)擬投資1000萬元進(jìn)行原廠擴(kuò)產(chǎn)，建成后，預(yù)計(jì)年新增氮化鎵外延片1萬片，其中6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產(chǎn)能分別新增5000片。

聚能晶源已掌握業(yè)界領(lǐng)先的8英寸GaN-on-Si、6英寸GaN-on-SiC外延技術(shù)，可以為客戶提供符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的高性能GaN外延晶圓產(chǎn)品。

器件

氮化鎵是目前能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻、高效、大功率的代表性器件，在5G基站、新能源充電樁等新基建代表中均有所應(yīng)用。

氮化鎵器件可實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換，助力實(shí)現(xiàn)光伏、風(fēng)電、特高壓輸電、新能源汽車等諸多領(lǐng)域的高效電能轉(zhuǎn)換，推動(dòng)綠色低碳發(fā)展。

氮化鎵器件主要包括分立器件和集成和系統(tǒng)級(jí)芯片集成器件。

分立器件主要包括增強(qiáng)模式(E-Mode) GaN晶體管和耗盡模式(D-Mode) GaN晶體管。

當(dāng)GaN功率器件（GaNFET）替代MOSFET用于快充器件，快充器件可以充分發(fā)揮出GaN器件的開關(guān)頻率高、能量密度高、能量轉(zhuǎn)化效率高等特點(diǎn)，對(duì)于終端消費(fèi)者來說是更高效率、更小體積、更低發(fā)熱、更方便攜帶的充電設(shè)備。

集成和系統(tǒng)級(jí)芯片集成指的是由各種功能性集成塊組成的具有一定功能的器件。其體積較小，已被廣泛地應(yīng)用于各種電子行業(yè)。

GaN射頻器件市場(chǎng)格局方面來看，呈現(xiàn)三足鼎立的競(jìng)爭(zhēng)格局，日本住友、Wolfspeed、Qorvo為主要玩家，市場(chǎng)CR3>80%。日本住友、Wolfspeed與Qorvo分別占據(jù)40%、24%與20%的市場(chǎng)份額。其中，Wolfspeed前身Cree于2018年收購了英飛凌的RF部門，成為了全球GaN射頻器件的主要提供商之一。

在GaN器件各環(huán)節(jié)布局的部分代表廠商包括三安光電、華潤(rùn)微電子、士蘭微、英諾賽科、芯冠科技、長(zhǎng)電科技、海特高新、東科半導(dǎo)體、晶湛半導(dǎo)體等。

國內(nèi)GaN器件Fabless設(shè)計(jì)廠商主要有華為海思、安譜隆等公司。IDM/制造：國內(nèi)GaN器件IDM廠商主要有蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華、大連芯冠科技等公司；同時(shí)海威華芯和三安集成可提供GaN 器件代工服務(wù)。

國內(nèi)GaN動(dòng)態(tài)：6大項(xiàng)目開工/投產(chǎn)

百思特達(dá)半導(dǎo)體GaN外延片項(xiàng)目試生產(chǎn)

近日，據(jù)盤錦日?qǐng)?bào)消息，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體旗下氮化鎵項(xiàng)目獲得新進(jìn)展——2英寸&4英寸外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認(rèn)證階段，正式投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

據(jù)介紹，百思特達(dá)是2019年興隆臺(tái)區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進(jìn)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品。

2019年11月，百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè)，該項(xiàng)目占地125畝，總投資15億元，其中一期投資3億元；去年5月，項(xiàng)目一期正式建成，預(yù)計(jì)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升

博康建GaN項(xiàng)目，年產(chǎn)能為3000片

3月6日，“嘉興城南”官微發(fā)文稱，博康(嘉興)半導(dǎo)體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開工，該項(xiàng)目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。

公開資料顯示，博康（嘉興）半導(dǎo)體成立于2022年10月，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體分立器件制造、銷售及服務(wù)等。

而且，3月3日，嘉興市公共資源交易中心發(fā)布招標(biāo)公告稱，博康（嘉興）半導(dǎo)體年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目設(shè)計(jì)對(duì)外采購施工總承包，招標(biāo)估算價(jià)約為1.9億元。

根據(jù)公告，博康的氮化鎵項(xiàng)目位于浙江嘉興經(jīng)開區(qū)，總工期歷時(shí)一年左右，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套用于生產(chǎn)國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。

東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)4月底投產(chǎn)

據(jù)北青網(wǎng)消息，2月16日，東科半導(dǎo)體表示，旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目”已竣工，正在進(jìn)行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預(yù)計(jì)4月底投產(chǎn)。

公開資料顯示，該項(xiàng)目項(xiàng)目占地52畝，新建廠房5.1萬平米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目開工

今年1月上旬，合肥仙羋智造科技有限公司（）仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目總投資5億元，建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級(jí)IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級(jí)IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預(yù)計(jì)全部投產(chǎn)后年銷售收入可達(dá)12億元。

此前消息顯示，該項(xiàng)目于2022年6月簽約落戶安徽蚌埠傳感谷。目前，廠房外部墻面改造已完成，開始裝修廠房和設(shè)備入場(chǎng)。

中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成完工

據(jù)中鐵建工集團(tuán)公眾號(hào)消息，1月10日，中鐵建工集團(tuán)旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”已經(jīng)建成完工，該項(xiàng)目總投資超過30億元。

項(xiàng)目建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試能力。

格晶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落地江西上饒 總投資25億元

據(jù)格晶半導(dǎo)體官方消息，1月5日，江西上饒市萬年縣與上海格晶半導(dǎo)體有限公司舉行合作簽約儀式。

此次簽約的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資達(dá)25億元，項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。（文：凌昱微科技）

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