source：中鐵建工集團(tuán)

據(jù)悉，國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由南京國(guó)博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺(tái)套。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.5萬平方米。

上述一期項(xiàng)目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設(shè)施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項(xiàng)目將重點(diǎn)補(bǔ)充射頻集成電路封測(cè)制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)模化設(shè)計(jì)、制造能力。

據(jù)悉，國(guó)博電子成立于2000年，位于南京市江寧區(qū)，隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司。國(guó)博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

今年前三季，國(guó)博電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收18.13億元，同比減少35.83%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3.06億元，同比減少31.93%。2024年第三季，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.11億元，同比減少43.51%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)6185萬元，同比減少56.28%。

值得一提的是，國(guó)博電子近期接受調(diào)研時(shí)表示，公司的GaN射頻模塊目前主要應(yīng)用于國(guó)內(nèi)5G通信基站，產(chǎn)品功率覆蓋100W-600W，主流通信頻段均有批量應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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