source：揚州經(jīng)開區(qū)發(fā)布

該項目總投資11億元，其中一期項目投資5.8億元，設(shè)備投資3億元，計劃利用現(xiàn)有國宇電子廠區(qū)內(nèi)土地擴建分立器件功率芯片生產(chǎn)線，建設(shè)6英寸功率FRED芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片，達產(chǎn)后預(yù)計年開票10億元，年凈利潤1.4億元，納稅5000萬元；項目二期規(guī)劃生產(chǎn)IGBT、硅基GaN等高功率半導(dǎo)體芯片。

公開資料顯示，國宇電子主要從事半導(dǎo)體器件芯片的研發(fā)生產(chǎn)。其主要產(chǎn)品有電源、節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、電機驅(qū)動、變壓器等用VDMOS場效應(yīng)功率晶體管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于家電、綠色照明、計算機、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

近期，除國宇電子項目外，還有多個氮化鎵相關(guān)項目披露了最新進展。

11月4日，美國半導(dǎo)體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應(yīng)用領(lǐng)域。項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導(dǎo)體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。

9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。

9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。公告顯示，冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)項目總投資1.055億元，計劃年加工氮化鎵功率半導(dǎo)體1500萬件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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