圖片來源：Riber

據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有的外延設備，MBE 8000設備性能突出，生產(chǎn)效率翻倍，產(chǎn)能可提升50%。另值得關注的是，由于元件設計、系統(tǒng)幾何、過程控制等相同，MBE 8000操作簡易，且能夠確保在最短的時間內(nèi)實現(xiàn)工藝轉移。

此外，在VCSEL型結構及0.8-8μm大小的顆粒上經(jīng)過30次以上的測量，MBE 8000的缺陷密度均小于50個顆粒/㎡。而本次獲得外延生廠商的最終認證，也證明了這款設備在工藝、耐用性、穩(wěn)定性、人類工程學及控制等方面皆有不錯的表現(xiàn)。

因其技術的靈活性，MBE 8000設備可匹配VCSEL、晶體管、感測器等對均勻性、再現(xiàn)性及穩(wěn)定性要求嚴苛的化合物半導體應用場景的需求。

另外，Riber日前還表示，其亞洲工業(yè)應用客戶訂購了兩臺MBE 6000s多片機。這款設備將主要用于生產(chǎn)移動通訊用的HEMT外延片，射頻及光通訊設備用的銻基光電器件等。（集邦化合物半導體Jenny編譯）

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