根據(jù)合作條款，安世半導(dǎo)體將開(kāi)發(fā)、制造和供應(yīng)由KOSTAL設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開(kāi)發(fā)用于電動(dòng)汽車（EV）、車載充電器（OBC）的頂部散熱（TSC）QDPAK封裝的碳化硅（SiC）MOSFET器件。

據(jù)悉，安世半導(dǎo)體為聞泰科技子公司，其產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET、氮化鎵（GaN） E-mode和D-mode器件，以及成熟的硅基產(chǎn)品組合。

值的一提的是，除了上述合作外，安世半導(dǎo)體此前就在德國(guó)有所布局——今年6月，安世半導(dǎo)體宣布，計(jì)劃投資2億美元（約14億人民幣）開(kāi)發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

source：安世半導(dǎo)體

為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從今年6月開(kāi)始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。

同月，安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)在德國(guó)漢堡工廠建成。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

公告顯示，聞泰科技全資子公司安世半導(dǎo)體擬投資境外基金Amadeus APEX Technology EuVECA GmbH & Co KG，并承諾初始資本投資為385萬(wàn)歐元，后續(xù)將根據(jù)實(shí)際情況追加投資，總投資額不超過(guò)500萬(wàn)歐元。

聞泰科技表示，標(biāo)的基金的重點(diǎn)投資方向包括人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、量子技術(shù)/光子學(xué)、移動(dòng)性與空間創(chuàng)新、自主系統(tǒng)與機(jī)器人技術(shù)，以及其他新興科技領(lǐng)域（如新型材料）。安世半導(dǎo)體參與的重點(diǎn)仍然是其核心競(jìng)爭(zhēng)力相關(guān)領(lǐng)域，旨在增強(qiáng)為上述技術(shù)領(lǐng)域的基本應(yīng)用開(kāi)發(fā)基本半導(dǎo)體解決方案的經(jīng)驗(yàn)。

目前，聞泰科技主營(yíng)業(yè)務(wù)分為半導(dǎo)體與產(chǎn)品集成兩大方向。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM垂直整合制造模式，產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)品D-mode系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)D-mode產(chǎn)品通過(guò)所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開(kāi)始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，以及碳化硅MOS產(chǎn)品線的建立，推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。

作為聞泰科技全資子公司，安世半導(dǎo)體在今年6月宣布，計(jì)劃投資2億美元（約14億人民幣）開(kāi)發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從今年6月開(kāi)始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。

同月，安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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同時(shí)，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)Melanie Leonhard博士在生產(chǎn)基地成立100周年之際共同宣布的。

source：安世半導(dǎo)體

為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從2024年6月開(kāi)始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。

同月，安世半導(dǎo)體首批高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。

與此同時(shí)，這筆投資還將有助于德國(guó)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的進(jìn)一步自動(dòng)化，并通過(guò)系統(tǒng)地轉(zhuǎn)換到8英寸晶圓來(lái)擴(kuò)大硅生產(chǎn)能力。安世半導(dǎo)體在擴(kuò)大無(wú)塵室面積后，還將新建研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以繼續(xù)確保未來(lái)從研究到生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。

安世半導(dǎo)體德國(guó)首席運(yùn)營(yíng)官兼董事總經(jīng)理Achim Kempe評(píng)論道：“這項(xiàng)投資鞏固了我們作為節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位，使我們能夠更負(fù)責(zé)任地利用可用的電能。未來(lái)，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋寬帶隙半導(dǎo)體的全系列，同時(shí)其仍然是最大的小型信號(hào)二極管和晶體管工廠。”（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝選擇。此次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動(dòng)市場(chǎng)涌現(xiàn)更多功率器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個(gè)參數(shù)性能均超越同類產(chǎn)品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開(kāi)篇之作。毫無(wú)疑問(wèn)，在未來(lái)幾年里，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的發(fā)展?！?/p>

來(lái)源：安世半導(dǎo)體

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件

近日，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。

source：Transphorm

新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

針對(duì)不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢(shì)。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常閉型 d-mode GaN平臺(tái)，該平臺(tái)具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動(dòng)態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、SiC和其他GaN產(chǎn)品。SuperGaN 平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

來(lái)源：Transphorm

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET

11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域有廣泛需要，現(xiàn)已通過(guò)多家知名客戶評(píng)估測(cè)試，逐步批量交付應(yīng)用。

IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代SiC MOSFET中1700V平臺(tái)的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導(dǎo)通電流為6.3A。該產(chǎn)品采用車規(guī)級(jí)TO263-7貼片封裝，對(duì)比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡(jiǎn)便，且有開(kāi)爾文柵極引腳。因此該產(chǎn)品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。

來(lái)源：瞻芯電子

平創(chuàng)半導(dǎo)體推出1200V/1700V PC62封裝SiC模塊

11月28日，平創(chuàng)半導(dǎo)體推出了應(yīng)用于新能源變流器的PC62封裝SiC模塊，涵蓋1700V/1200V系列產(chǎn)品。

source:平創(chuàng)半導(dǎo)體

據(jù)介紹，PC62封裝SiC MOSFET半橋模塊采用平創(chuàng)半導(dǎo)體自研碳化硅芯片，模塊在VGS（th）、RDS（on）漂移和柵氧可靠性方面得到了明顯改善。此外，芯片對(duì)稱結(jié)構(gòu)布局、Clip互連工藝大幅提升了模塊載流能力，降低了寄生電感。

據(jù)悉，平創(chuàng)半導(dǎo)體是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及創(chuàng)新解決方案的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司主要產(chǎn)品為650V-3300V SiC二極管和1200V/1700V SiC MOSFET器件與模塊、硅基光伏二極管與模塊 (TO裝、R6封裝、定制化光伏模塊)，小信號(hào)器件、中低壓MOS、高性能工業(yè)控制及車規(guī)級(jí)功率器件與模塊(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域，服務(wù)客戶包含華潤(rùn)微電子、晶科能源、國(guó)家電網(wǎng)、松下電器、隆鑫通用等明星企業(yè)。

來(lái)源：平創(chuàng)半導(dǎo)體

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安世半導(dǎo)體近來(lái)消息不斷：

11月9日，安世半導(dǎo)體將此前收購(gòu)的英國(guó)Newport Wafer Fab（NWF）晶圓制造工廠出售給美國(guó)半導(dǎo)體廠商Vishay Intertechnology，售價(jià)1.77億美元。

這次交易，主要受地緣政治影響，并非公司經(jīng)營(yíng)問(wèn)題所致。在眾人都以為安世半導(dǎo)體會(huì)因此沉寂，但沒(méi)想到才過(guò)了兩天，便有三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體合作的消息傳來(lái)。

三菱電機(jī)于11月13日宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，安世半導(dǎo)體將使用該芯片來(lái)開(kāi)發(fā)SiC分立器件。

據(jù)聞泰科技公布的2023第三季財(cái)報(bào)來(lái)看，第三季度，聞泰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入152.06億元，同比增長(zhǎng)11.90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)8.48億元，同比增長(zhǎng)11.42%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入為39.99億元，業(yè)務(wù)毛利率為37.70%，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)6.83億元。業(yè)務(wù)營(yíng)收來(lái)自汽車領(lǐng)域的收入占比超過(guò)60%。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》分析，2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%

受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。

source:TrendForce集邦咨詢

未來(lái)，隨著安世半導(dǎo)體旗下的海外晶圓廠改造完成以及上海臨港晶圓廠一期的正式投產(chǎn)，其SiC功率器件產(chǎn)能也將有所提升，能更好滿足市場(chǎng)需求，鞏固自身在世界SiC功率市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Morty整理）

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從安世半導(dǎo)體收購(gòu)NWF到出售，僅僅只有兩年多時(shí)間，收購(gòu)的過(guò)程可謂一波三折。安世半導(dǎo)體在2021年7月宣布完成收購(gòu)英國(guó)NWF晶圓廠，交易金額6300萬(wàn)英鎊。彼時(shí)，英國(guó)政府并沒(méi)有進(jìn)行干預(yù)，但到2022年5月，英國(guó)相關(guān)部門突然開(kāi)始審查安世半導(dǎo)體對(duì)NWF晶圓廠的收購(gòu)案。經(jīng)過(guò)近半年審查，英國(guó)政府正式要求安世半導(dǎo)體至少剝離NWF 86%的股權(quán)。

由于英國(guó)政府的限制，安世半導(dǎo)體被迫取消了旨在通過(guò)引入新技術(shù)和產(chǎn)品使NWF發(fā)展壯大以適應(yīng)未來(lái)需求的投資計(jì)劃。風(fēng)波之下，NWF晶圓廠被迫裁員上百人，安世半導(dǎo)體也只能無(wú)奈出售這一晶圓廠。

目前，Vishay與安世半導(dǎo)體已聯(lián)合發(fā)布公告，宣布了這起收購(gòu)。Vishay公司總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示，此次收購(gòu)將有助于該公司擴(kuò)大產(chǎn)能，同時(shí)確保該工廠全面盈利。至此，安世半導(dǎo)體出售NWF晶圓廠已基本無(wú)懸念。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

資料顯示，Vishay公司于1962年在美國(guó)特拉華州成立，是一家分立半導(dǎo)體和無(wú)源元件制造商和供應(yīng)商，半導(dǎo)體產(chǎn)品包括MOSFET、二極管和光電元件。無(wú)源元件產(chǎn)品包括電阻產(chǎn)品、電容器和電感器。

作為一家老牌半導(dǎo)體廠商，Vishay也已進(jìn)軍前沿的第三代半導(dǎo)體賽道。2022年10月31日，Vishay以5000萬(wàn)美元收購(gòu)了SiC MOSFET廠商MaxPower Semiconductor，此次收購(gòu)為Vishay的MOSFET產(chǎn)品線增加了SiC技術(shù)。同時(shí)，Vishay自身也在開(kāi)發(fā)SiC產(chǎn)品，疊加本次收購(gòu)，Vishay在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，特別是在SiC市場(chǎng)的布局將更為完善，有助于其提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力，在這個(gè)賽道站穩(wěn)腳跟。

另值得一提的是，安世半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域也加大了布局力度。據(jù)悉，安世半導(dǎo)體已宣布將與奧地利汽車電子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH深化現(xiàn)有長(zhǎng)期合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新型650V、20A SiC整流器模塊，用于3kW至11kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、電動(dòng)汽車（EV）充電站、車載充電器。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Zac整理）

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更小體積與更輕重量是下一代電源應(yīng)用制造商的關(guān)鍵要求。這種新型SiC整流器模塊的緊湊尺寸將有助于最大限度地提高功率密度，從而減少所需的電路板空間并降低整體系統(tǒng)成本。

使用頂部冷卻（TSC）和集成負(fù)溫度系數(shù)（NTC）傳感器的組合來(lái)優(yōu)化熱性能，該傳感器可監(jiān)控設(shè)備溫度并為設(shè)備或系統(tǒng)級(jí)預(yù)測(cè)和診斷提供實(shí)時(shí)反饋。該整流器模塊采用低電感封裝，可實(shí)現(xiàn)高頻操作，并且經(jīng)認(rèn)證可在高達(dá)175°C的結(jié)溫下工作。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

安世半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品部高級(jí)總監(jiān)Katrin Feurle表示：“安世半導(dǎo)體與京瓷AVX之間的此次合作將尖端的SiC半導(dǎo)體與最先進(jìn)的模塊封裝相結(jié)合，將使安世半導(dǎo)體能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)具有極高功率密度的電力電子產(chǎn)品的需求。該整流器模塊的發(fā)布將代表安世半導(dǎo)體和京瓷AVX之間長(zhǎng)期SiC合作伙伴關(guān)系的第一步”。

京瓷AVX組件傳感與控制部傳感與控制部副總裁Thomas Rinschede表示：“我們很高興能夠進(jìn)一步擴(kuò)大與安世半導(dǎo)體的成功合作伙伴關(guān)系，生產(chǎn)用于電力電子應(yīng)用的SiC模塊。安世半導(dǎo)體的專業(yè)制造知識(shí)與京瓷模塊專有技術(shù)相結(jié)合，為希望使用寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度的客戶提供了極具吸引力的產(chǎn)品?！?/p>

安世半導(dǎo)體預(yù)計(jì)新型SiC整流器模塊的樣品將于2024年第一季度上市。

近日，在深圳舉辦的“2023汽車半導(dǎo)體生態(tài)峰會(huì)暨全球汽車電子博覽會(huì)”上，安世半導(dǎo)體BG MOS中國(guó)區(qū)負(fù)責(zé)人李東岳表示，對(duì)于安世半導(dǎo)體來(lái)講，2022年24億美金的銷售額接近一半的比例來(lái)自于汽車，而最近幾年公司新產(chǎn)品的布局仍集中在碳化硅、氮化鎵、IGBT，還有電源管理IC等領(lǐng)域，相信未來(lái)安世在汽車上面的營(yíng)收占比仍會(huì)逐步增加。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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