天眼查資料顯示，上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司于11月26日成立，法定代表人為丁子文，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設(shè)備銷售、電力電子元器件銷售、光電子器件銷售等。

股東信息顯示，上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司由江蘇宏微科技股份有限公司、泓微新（上海）科技合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。在碳化硅領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

根據(jù)華興源創(chuàng)11月21日晚間發(fā)布的公告，11月21日，華興源創(chuàng)審議通過了《關(guān)于參與設(shè)立私募投資基金的議案》。根據(jù)決議華興源創(chuàng)參與設(shè)立蘇州工業(yè)園區(qū)智源微新創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）（最終名稱以市場監(jiān)督管理機(jī)關(guān)登記的名稱為準(zhǔn)，以下簡稱：智源微新），基金管理人和普通合伙人為蘇州叢蓉私募基金管理合伙企業(yè)（有限合伙），有限合伙人具體包括華興源創(chuàng)和蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司。

其中，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司認(rèn)繳出資5000萬元，占比83.19%，為智源微新第一大股東。

東微半導(dǎo)體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。目前，東微半導(dǎo)體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過可靠性測試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個產(chǎn)品。與此同時，東微半導(dǎo)體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，近2個月，包括江豐電子、中車時代半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、宏微科技、拓荊科技、芯聯(lián)集成、中微公司、東微半導(dǎo)體等在內(nèi)，已有多家碳化硅相關(guān)廠商相繼成立了多家新公司。

其中，時代電氣旗下中車時代半導(dǎo)體全資成立了合肥中車時代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

中微公司等成立了超微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，法定代表人為中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯，注冊資本4250萬人民幣，經(jīng)營范圍為半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售、電子專用設(shè)備銷售、專用設(shè)備修理。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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企查查信息顯示，常州宏諾致遠(yuǎn)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）于11月5日成立，執(zhí)行事務(wù)合伙人為常州和諾資本管理有限公司，出資額4000萬元，經(jīng)營范圍含創(chuàng)業(yè)投資（限投資未上市企業(yè)）和以自有資金從事投資活動。股東信息顯示，該公司由宏微科技（持股比例49.75%）等共同持股。

資料顯示，宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在碳化硅領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

天眼查信息顯示，上海道禾拓荊芯鏈私募基金合伙企業(yè)（有限合伙）于10月25日成立，出資額1.02億元，經(jīng)營范圍含以私募基金從事股權(quán)投資、投資管理、資產(chǎn)管理等活動。股東信息顯示，該公司由拓荊科技全資子公司上海巖泉科技有限公司等共同持股。

拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導(dǎo)體專用設(shè)備，產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。

今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設(shè)備、PE-ALD SiN工藝設(shè)備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設(shè)備等新產(chǎn)品及新工藝已經(jīng)下游用戶驗(yàn)證導(dǎo)入。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括北方華創(chuàng)、揚(yáng)杰科技、江豐電子、中車時代半導(dǎo)體等在內(nèi)，已有多家碳化硅相關(guān)廠商相繼成立了多家新公司。

其中，北方華創(chuàng)、上海集成電路研發(fā)中心有限公司、上海臨港新片區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金管理有限公司共同成立了上海芯勢能企業(yè)管理咨詢中心（有限合伙）。

江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設(shè)備及元器件制造；光伏設(shè)備及元器件銷售；電子專用設(shè)備銷售；電子專用設(shè)備制造等。

時代電氣旗下中車時代半導(dǎo)體全資成立了合肥中車時代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

揚(yáng)杰科技全資成立了揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC襯底；N-外延層，所述N-外延層位于所述SiC襯底之上；有源區(qū)，所述有源區(qū)為多個，多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上；JFET區(qū)，所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上，且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間，所述JFET區(qū)內(nèi)設(shè)有淺溝槽結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)有固定深度，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)與所述有源區(qū)之間設(shè)有固定距離；多晶硅柵層，所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上；隔離層，所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上；金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時，抑制短溝效應(yīng)，防止MOSFET器件被擊穿。

資料顯示，宏微科技成立于2006年8月，從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案，主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

近年來，宏微科技在SiC領(lǐng)域進(jìn)展較快。2023年3月，宏微科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。

2023年11月，宏微科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時稱，SiC MOS已實(shí)現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預(yù)計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項(xiàng)目時，宏微科技表示，公司用于液冷充電樁的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預(yù)計2024年上半年將進(jìn)入送樣驗(yàn)證階段。

隨后在12月，宏微科技再次對SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹。宏微科技稱，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經(jīng)逐步定型和小批量。

據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領(lǐng)域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，2024年預(yù)計會有較大幅度的增長。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領(lǐng)域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，明年預(yù)計會有較大幅度的增長。在電動汽車方向，公司SiC灌封產(chǎn)品對標(biāo)英飛凌HPD產(chǎn)品，且公司單面散熱SiC塑封模塊明年也會有所突破，形成銷售。

資料顯示，宏微科技創(chuàng)立于2006年，業(yè)務(wù)范圍涵蓋設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊（CSPM）。

目前，半導(dǎo)體廠商加碼SiC業(yè)務(wù)已成為常態(tài)，宏微科技相關(guān)動作也正在向SiC領(lǐng)域傾斜。事實(shí)上，宏微科技算得上是國內(nèi)SiC賽道較早的入局者之一，公司從2015年左右開始做SiC模塊，購買國外的芯片進(jìn)行封裝。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)宏微科技在今年10月下旬介紹，公司SiC二極管已經(jīng)開發(fā)成功，在小批量試用，SiC MOS在做最后的驗(yàn)證，年底會有結(jié)果。而到目前，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已逐步定型和小批量，迎來了新進(jìn)展。

新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展帶動SiC市場需求走高，為SiC相關(guān)廠商創(chuàng)造了切入機(jī)會和新的業(yè)績增長點(diǎn)，宏微科技也已有相關(guān)產(chǎn)品布局。據(jù)悉，液冷充電樁需應(yīng)用SiC器件產(chǎn)品，目前宏微科技的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預(yù)計2024年上半年將進(jìn)入送樣驗(yàn)證階段。值得一提的是，目前由于光伏的需求提升，公司批量交付Si+SiC混合封裝的產(chǎn)品，每月出貨量在幾萬塊左右。

在SiC領(lǐng)域的積極布局和成果在一定程度上促進(jìn)了宏微科技的營收增長，公司2023年第三季度報告顯示，公司Q3營收3.71億元，同比增長31.58%;歸屬于上市公司股東的凈利潤2304.29萬元，同比下降20.56%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤2430.17萬元，同比增長9.55%;基本每股收益0.15元/股。

公司營收增速較快，但凈利潤卻出現(xiàn)同比下降，原因之一是研發(fā)投入較大，公司2023年第三季度研發(fā)投入合計2816.16萬元，同比增長達(dá)54.77%。加大研發(fā)投入使得公司當(dāng)前資本支出較高，但有助于公司未來的業(yè)績增長。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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此外，在被問及液冷充電樁項(xiàng)目時，宏微科技表示：液冷充電樁需應(yīng)用SiC器件產(chǎn)品，目前公司的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預(yù)計2024年上半年將進(jìn)入送樣驗(yàn)證階段。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)了解，宏微科技自設(shè)立以來一直從事IGBT、FRED和MOSFET為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

針對SiC器件，宏微科技下階段將不斷提升產(chǎn)能利用率、產(chǎn)品性能，根據(jù)客戶需求，部署下階段封裝產(chǎn)品，最終實(shí)現(xiàn)公司高速、高質(zhì)量發(fā)展。

據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2023中國SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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