印度國防部表示，SiC/GaN技術(shù)是國防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域下一代應用的關(guān)鍵推動因素。這類先進技術(shù)可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。

隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對更輕、更緊湊電源的需求不斷增長，碳化硅/氮化鎵技術(shù)為軍事和商業(yè)領(lǐng)域的通信、情報、偵察和無人系統(tǒng)(包括電動汽車和可再生能源)提供了重要基礎。報道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心，可通過本土技術(shù)初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應用。

印度多個SiC/GaN項目加速推進

據(jù)集邦化合物半導體了解到，今年印度多個SiC/GaN項目有新進展，具體如下：

今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。

與此同時，SiCSem與印度理工學院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預估耗資4.5億盧比。

8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech正式收購了美國公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識，結(jié)合Polymatech的藍寶石基半導體技術(shù)，將幫助后者成為一家多晶圓公司。

8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術(shù)。

9月4日，美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設的SiC制造工廠已奠基動工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預計2025年全面投產(chǎn)。

9月20日，印度Zoho集團宣布，計劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設一座SiC制造工廠。該工廠的設計將覆蓋整個SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預計包括7.2萬片SiC外延晶圓、7.2萬個MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應用于電動汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。

9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國家安全、下一代電信和綠色能源應用提供先進的感應、通信和電力電子技術(shù)，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導體任務以及巴拉特半導體公司、3rdiTech公司和美國太空部隊的戰(zhàn)略技術(shù)合作將為其提供支持。

11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬美元的種子輪融資。

該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應對功率器件市場需求。資金還將用于增強器件的可靠性，符合市場的多種標準。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。

結(jié)語

近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導體發(fā)展迅猛，促使一些國家開始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個三代半項目落地，可以從側(cè)面反映其在推動本土技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導體Morty整理）

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得益于AlN單晶復合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數(shù)量級)，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。

研究發(fā)現(xiàn)，AlN單晶復合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無法正常關(guān)斷。團隊據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層，使其在超寬禁帶材料中無法離化，從而顯著抑制漏電。

實驗結(jié)果顯示，團隊所提出的350 nm無摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV，動態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過可靠性評估。

圖：基于6英寸AlN單晶復合襯底制造的GaN晶圓，轉(zhuǎn)移特性曲線，動態(tài)輸出特性曲線和動態(tài)轉(zhuǎn)移特性曲線（來源：致能科技）

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8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體）

資料顯示，通用半導體成立于2019年，致力于高端半導體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。

在融資方面，通用半導體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構(gòu)。

在產(chǎn)品方面，通用半導體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。

值的一提的是，2023年12月，通用半導體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線已完成交付。
通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場應用規(guī)模的不斷擴大，且公司持續(xù)保持高強度的研發(fā)投入，迭代升級各產(chǎn)品系列。（來源：通用半導體、集邦化合物半導體整理）

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利用3C-SiC制備場效應晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導致的器件可靠性差等問題。但3C-SiC基晶體管進展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長過程中很容易發(fā)生相變，已有的生長方法不能獲得單一晶型的晶體。

根據(jù)經(jīng)典晶體生長理論，對于光滑界面晶體，同質(zhì)二維形核需要克服臨界勢壘，存在臨界Gibbs自由能或過飽和度，而生長則可以在任意小的過飽和度下進行。對于異質(zhì)形核，由于引入了新的固-固界面能，二維形核需克服更高的臨界勢壘。因此在相同過飽和度下，同質(zhì)形核和生長在能量上明顯優(yōu)于異質(zhì)形核和生長，使得后者很難發(fā)生。

近期，中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心的陳小龍團隊提出了調(diào)控固-液界面能，在異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的學術(shù)思想。

主要包括：1)3C(111)面和4H(0001)面的晶格失配度小，固-固界面能很低；2)4H和3C體相Gibbs自由能的差別較小；3)如果通過調(diào)控熔體成份，使得3C(111)-熔體的界面能較4H(0001)-熔體的界面能足夠低，二維形核以及后續(xù)生長的Gibbs自由能則對于3C相更有利。該團隊自主設計、搭建了超高溫熔體表面張力和固-液接觸角測試設備，在高溫下測量了不同成份熔體的表面張力，熔體與4H-SiC、3C-SiC的接觸角，獲得了4H-SiC、3C-SiC與高溫熔體的固-液界面能的變化規(guī)律，驗證了界面能調(diào)控的可行性。該團隊利用高溫液相法，實現(xiàn)了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶，如圖1和圖2所示。

圖1. 采用高溫液相法，在六方碳化硅(4H-SiC)籽晶上實現(xiàn)了2-4英寸、厚度4-10 mm、立方碳化硅(3C-SiC)的異質(zhì)形核和晶體穩(wěn)定生長

沿晶體厚度方向的Raman散射光譜測量結(jié)果表明，生長一開始，3C-SiC即在4H-SiC籽晶上形核、生長，兩者共存區(qū)小于20 μm，見圖2(a-b)，進一步證實了上述理論。(111)生長面的X射線搖擺曲線半高寬的平均值為30 arcsec，表明生長的3C-SiC具有高的結(jié)晶質(zhì)量。3C-SiC單晶的室溫電阻率只有0.58 mΩ·cm，為商業(yè)化4H-SiC晶片電阻率(15-28 mΩ·cm)的~1/40，有望降低器件的能量損耗。

圖2. 3C-SiC晶型的確定。a) 在(111)生長面上隨機選取20個點的Raman散射光譜圖，插圖為測試點在晶體上的位置分布圖。b) 沿晶體厚度方向的Raman散射光譜圖。c) 300 K測量的光致發(fā)光(PL)圖譜。d) 高角環(huán)形暗場掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖。插圖為沿[110]晶帶軸的選區(qū)電子衍射(SAED)圖晶圓級3C-SiC單晶的生長填補了國內(nèi)外空白，使3C-SiC晶體的量產(chǎn)成為可能，也為開發(fā)性能優(yōu)異的電力電子器件提供了新的契機。同時，異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的機制拓展了傳統(tǒng)的晶體生長理論。

來源：中國工陶

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該公司計劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計算和無線通信以及更小的電力電子設備。

該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉積碳原子，并在可擴展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。

Diamond Foundry 表示，其下一個目標是降低金剛石晶圓的缺陷密度，以實現(xiàn)比Si高 17,200倍、比SiC高60倍的品質(zhì)因數(shù)。

目前，Diamond Foundry在華盛頓州經(jīng)營一家鉆石和晶圓生產(chǎn)工廠。

據(jù)悉，該公司成立于2012年，業(yè)務涉及珠寶和奢侈品市場以及半導體行業(yè)。該公司在其 Linkedin 網(wǎng)站上表示，已獲得 5.15 億美元的融資，并正在執(zhí)行一項數(shù)十億美元的擴張計劃，利用零排放能源將溫室氣體轉(zhuǎn)化為金剛石Si片。

據(jù)他們所說，公司可以通過將金剛石以原子方式粘合到以埃級精度減薄的集成電路 (IC) 晶圓上，實現(xiàn)了最終的熱芯片封裝。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

從熱導性上看，沒有其他材料能像單晶金剛石那樣有效地導熱，從而使芯片運行得更快、使用壽命更長。這就讓金剛石晶圓在工作芯片晶體管的原子距離內(nèi)提供了一條熱高速公路。它以理想的效率散熱，減少熱點并使芯片的計算速度提高三倍。

同時，這還是一個極端的電絕緣體，最薄的金剛石切片可以隔離非常高的電壓，從而使電力電子器件的小型化達到新的水平。

得益于這些領(lǐng)先特性，Diamond Foundry認為公司的解決方案適用于所有領(lǐng)先的高功率芯片，經(jīng)過驗證的硅芯片與金剛石半導體基板的結(jié)合極大地加速了云和人工智能計算，這意味著使用數(shù)據(jù)中心一半的空間即可獲得相同的性能。

這些優(yōu)勢也讓其能簡化逆變器設計，會因為金剛石晶圓的導熱性和電絕緣性的極端特性使得新穎的架構(gòu)能夠從根本上推進小型化、效率和魯棒性。

這個領(lǐng)先的設計也讓其能在無線通信領(lǐng)域提供幫助。

據(jù)介紹，GaN半導體為越來越多的最有效的無線通信提供動力。但金剛石晶圓解決了過熱和電壓問題，使GaN在每一項指標上都優(yōu)于SiC。

而金剛石基 GaN MOSFET 的功率密度是不含金剛石的GaN的三倍。通過降低熱應力以及將 GaN 原子互連到DF（Diamond Foundry）單晶金剛石，提高了可靠性。

類似的公司 Diamfab SA（法國格勒諾布爾）于2019年在歐洲成立。Diamfab 合成并摻雜在其他基板上生長的金剛石外延層，以期用金剛石制造卓越的功率器件。（文：全球半導體觀察）

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“今天，我們公司在擴大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能?！盜lan說道?！霸赥I，我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個更美好的世界通過半導體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對當今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標志著該州歷史上最大的經(jīng)濟投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個額外工作崗位以及數(shù)千個間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務不斷增長猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個高薪就業(yè)機會，以制造至關(guān)重要的技術(shù)?！豹q他州州長斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽w制造而感到自豪猶他州猶他州的項目——將為我們國家的經(jīng)濟和國家安全奠定基礎的創(chuàng)新提供動力?！?/p>

建設更強大的社區(qū)

作為TI對教育承諾的一部分，公司將投資900萬美元在Alpine 學區(qū)，為幼兒園至12年級的所有學生開發(fā)該州第一個科學、技術(shù)、工程和數(shù)學(STEM)學習社區(qū)。該多年計劃將把STEM概念更深入地融入到學區(qū)85,000名學生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導向的專業(yè)發(fā)展。該學區(qū)范圍內(nèi)的計劃將為學生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學區(qū)負責人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學生培養(yǎng)必要的知識和技能，為他們在生活中取得成功以及在技術(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準備。”肖恩·法恩斯沃斯?！芭c城市合作萊希、德州儀器和我們的學校，這項合作投資將影響學生及其家庭的子孫后代。”

可持續(xù)建設

TI長期致力于負責任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設計 (LEED) 建筑評級系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級第4版。
LFAB2的目標是由 100% 可再生電力提供動力，并采用先進的12吋設備和工藝萊希將進一步減少廢物、水和能源的消耗。事實上，LFAB2 的水回收率預計是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導體制造的下一個時代

LFAB2 將補充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國建設四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學法案》的預期支持下，TI 的制造擴張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對長期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導體行業(yè)觀察）

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早在2019年，世界先進就以2.36億美元收購格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器的生產(chǎn)。目前世界先進有5座8英寸工廠，但旗下一直都沒有12英寸工廠。如果其在新加坡成功建廠，屆時臺積電、聯(lián)電、力積電以及世界先進四大中國臺灣工廠都擁有自己的12英寸晶圓工廠。

據(jù)悉，世界先進今年的資本支出將低于100億元新臺幣（3.09億美元），而2022年為194億元新臺幣（6億美元）。根據(jù)世界先進這兩年的營收數(shù)據(jù)看，若要投資20億美元建廠加上后期的運營成本，將加大公司的財務壓力。

世界先進今年就曾表示，公司考慮在中國臺灣地區(qū)或者新加坡建造一座12英寸晶圓廠，但是沒有具體說明情況。業(yè)內(nèi)人士稱，世界先進建造12英寸晶圓廠的相關(guān)事宜需要股東臺積電的技術(shù)支持，但臺積電一直沒有放行，最近獲其同意后，為降低地緣政治影響，世界先進傾向在新加坡建廠。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)了解，該12英寸廠鄰近世界先進先前從格芯買下的廠區(qū)，并且距離恩智浦和臺積電的合資企業(yè)SSMC約10分鐘車程。

隨著業(yè)界主流從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸，目前僅有8英寸工廠的世界先進無論是從制作成本還是設備獲取方面都在逐漸失去相應的優(yōu)勢。為了獲得更多訂單，世界先進規(guī)劃建立12英寸工廠，擺脫原先以量產(chǎn)8英寸晶圓的局面。

世界先進一旦完成12英寸工廠的建設，將有助于其獲得更多國際IDM的委外訂單，搶占更多的車用、工控市場，將營收進一步擴大。

世界先進昨（23）日重申，對任何投資方案維持先前于法說會曾提到“不排除任何可能”的態(tài)度。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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報道稱，三菱電機計劃于2025財年開始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標是到2026財年將其硅功率半導體晶圓的加工能力提升至2021財年的一倍

目前三菱電機最新的IGBT已經(jīng)進入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統(tǒng)的RC-IGBT降低了50%左右。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

今年3月，三菱電機宣布，將在截至2026年3月的五年內(nèi)將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約2600億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導體的生產(chǎn)。

具體而言，三菱電機計劃在2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。此外，還計劃對碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進行擴產(chǎn)，到2026年，碳化硅產(chǎn)能預計會擴大至現(xiàn)在的5倍左右。三菱電機半導體大中國區(qū)總經(jīng)理赤田智史透露，預計到2030年，三菱電機SiC功率模塊營收占比將會提升到30%以上。

在新的領(lǐng)域，三菱電機也在加速布局。今年7月底，三菱電機宣布其已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。Novel Crystal Technology是世界上最早開發(fā)、制造和銷售功率半導體用氧化鎵晶圓的公司之一，擁有三菱電機制造氧化鎵功率半導體產(chǎn)品所需的晶圓制造技術(shù)，是氧化鎵晶圓領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。（文：集邦化合物半導體 Jump整理）

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據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會上審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導體建設“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設項目”，總投資5.1億元人民幣。

如今，隨著公司戰(zhàn)略規(guī)劃和經(jīng)營發(fā)展需要、項目所需設施設備及其他費用的增加，捷捷微電宣布擬對該項目進行增加投資，增加投資后的項目投資總額為8.09億元。

據(jù)了解，捷捷半導體是捷捷微電于2014年9月在南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園成立的全資子公司，是集功率半導體器件、功率集成電路、新型元件的研發(fā)、制造和銷售為一體的高科技企業(yè)。

由其承建的“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設項目”，所生產(chǎn)的6英寸晶圓以硅基材料為晶圓原料，項目投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)100萬片6英寸晶圓以及100億只器件封測的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品可廣泛應用于計算機系統(tǒng)、安防通訊、交/直流電源、汽車電子、家用電器、儀器儀表、消費電子、數(shù)字照相機等市場領(lǐng)域，實現(xiàn)電路的共/差模保護、RF耦合/IC驅(qū)動接收保護、電磁波干擾抑制、靜電抑制及瞬態(tài)噪聲抑制等，具有廣闊的市場前景。

2022年3月26日，該項目中6英寸晶圓“中試線”已具備試生產(chǎn)能力，首批具有高浪涌防護能力的6英寸晶圓正式產(chǎn)出下線，良率高達97.79%。（化合物半導體市場 Winter整理）

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