晶能發(fā)布太乙混合功率器件，采用SiC&IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)

11月12日，據(jù)晶能微電子官微消息，由吉利汽車(chē)集團(tuán)中央研究院新能源開(kāi)發(fā)中心、技術(shù)規(guī)劃中心、電子電器中心和零部件產(chǎn)業(yè)中心攜手行業(yè)內(nèi)零部件、半導(dǎo)體企業(yè)及高校、科研院所共同舉辦的“吉利汽車(chē)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)”揭牌儀式于11月4日舉行。

source：晶能

揭牌儀式上，平臺(tái)發(fā)布了首期成果——太乙混合功率器件。太乙混合功率器件為平臺(tái)首期合作伙伴晶能、意法半導(dǎo)體等聯(lián)合開(kāi)發(fā)的平臺(tái)化方案，采用SiC&IGBT 并聯(lián)設(shè)計(jì)，峰值功率可拓展150-260kw，系統(tǒng)尺寸僅為A4紙大小，出流能力超過(guò)430A。

三菱電機(jī)提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品

11月12日，據(jù)三菱電機(jī)官微消息，三菱電機(jī)將于11月14日開(kāi)始提供用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)（PHEV）和其他電動(dòng)汽車(chē)（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品，這是三菱電機(jī)首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性能、延長(zhǎng)續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。

source：三菱電機(jī)

據(jù)介紹，三菱電機(jī)于1997年開(kāi)始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊，并已應(yīng)用于各種電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（HEV）。2024年3月，其開(kāi)始供應(yīng)J3系列xEV功率半導(dǎo)體樣品，該系列產(chǎn)品采用最新壓注模（T-PM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，在汽車(chē)市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。

三菱電機(jī)的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術(shù)，如抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻波動(dòng)的柵極氧化膜工藝，讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定，有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。

悉智科技推出車(chē)載OCDC混合功率模塊

11月13日，據(jù)悉智科技官微消息，悉智科技近日推出自主創(chuàng)新的下一代車(chē)載OCDC混合功率模塊，實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化Si/SiC器件導(dǎo)入。

source：悉智科技

據(jù)介紹，國(guó)內(nèi)車(chē)企關(guān)注OCDC體積，國(guó)內(nèi)OCDC目前量產(chǎn)方案中絕大部分采用立體水道器件底部散熱，包括傳統(tǒng)單管方案和鋁基板方案兩種，悉智科技推出的下一代OCDC功率模塊適用于立體水道。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，本輪融資主要用于功率半導(dǎo)體模塊的研發(fā)投入、產(chǎn)線建設(shè)以及技術(shù)團(tuán)隊(duì)搭建等方面。

晶能CEO潘運(yùn)濱表示，明年將有多款產(chǎn)品開(kāi)始裝車(chē)。

晶能成立于2022年，法定代表人為潘運(yùn)濱，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元，由吉利邁捷投資有限公司、杭州粒辰企業(yè)管理合伙企業(yè)共同持股。經(jīng)營(yíng)范圍包括電子元器件制造；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷(xiāo)售；半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)等。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

公司以逆變器功率模塊為切入點(diǎn)，通過(guò)“芯片設(shè)計(jì)+模塊制造+車(chē)規(guī)認(rèn)證”的組合能力，開(kāi)發(fā)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片及模塊、SiC器件、中低壓MOSFET等產(chǎn)品，服務(wù)于新能源汽車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等“雙碳”產(chǎn)業(yè)場(chǎng)景。

當(dāng)下，汽車(chē)功率半導(dǎo)體材料正在由硅轉(zhuǎn)向碳化硅，碳化硅逐漸成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅應(yīng)用在新能源汽車(chē)上，可以大大提高電能利用率，讓汽車(chē)的系統(tǒng)效率更高，減少能量損耗。電動(dòng)汽車(chē)采用碳化硅芯片還可以減少零部件的數(shù)量，讓車(chē)更輕，結(jié)構(gòu)更緊湊，既能節(jié)省成本，又可以在一定程度上提升續(xù)航里程。

市場(chǎng)規(guī)模方面，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估，2022年車(chē)用碳化硅功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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目前，Mini高清顯示屏RGB方案主要有三種：

① 普通藍(lán)寶石正裝方案：R采用垂直正極性紅光芯片，G、B采用普通正裝水平芯片；
② 倒裝方案的R采用倒裝結(jié)構(gòu)紅光芯片，G、B采用倒裝結(jié)構(gòu)芯片；
③ 垂直方案的R采用正極性或者反極性紅光，G、B采用垂直結(jié)構(gòu)芯片。

普通正裝和倒裝已為大家熟知，而垂直結(jié)構(gòu)通常是指經(jīng)過(guò)襯底剝離的薄膜LED芯片，襯底剝離后邦定新的基板或者可以不邦定基板，做成垂直芯片。

對(duì)應(yīng)屏的不同間距，三種方案優(yōu)劣勢(shì)也很明顯：

P0.9-P1.25mm間距現(xiàn)階段是普通正裝水平芯片的舞臺(tái)，憑借價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，占據(jù)主要市場(chǎng)，垂直和倒裝方案亦可實(shí)現(xiàn)，但更多聚焦高端應(yīng)用市場(chǎng)。不過(guò)，綜合來(lái)看，倒裝方案相對(duì)垂直方案的RGB一組芯片價(jià)格高約2倍。

P0.6-P0.9mm間距的應(yīng)用上，普通正裝方案由于物理空間極限限制基本很難量產(chǎn)，倒裝和垂直方案皆可滿足要求。但是，倒裝方案需增加大批設(shè)備，而垂直方案封裝工藝成熟度高，現(xiàn)有封裝廠設(shè)備可以通用。此外，一組RGB垂直芯片成本是倒裝芯片的1/2。

而在更小的P0.3-P0.6mm間距的應(yīng)用上，倒裝芯片工藝面臨較大的挑戰(zhàn)，垂直結(jié)構(gòu)方案因工藝的優(yōu)勢(shì)可以較好地實(shí)現(xiàn)。

關(guān)鍵詞一 殺死“毛毛蟲(chóng)”

越小間距的顯示屏越容易遇到“毛毛蟲(chóng)”的侵蝕，大部分的毛毛蟲(chóng)是由金屬遷移導(dǎo)致。2018年1010器件出現(xiàn)的嚴(yán)重金屬遷移問(wèn)題，引起業(yè)界廣泛的關(guān)注和廠商的重視。

一般使用條件下，LED芯片電極的金屬不會(huì)遷移，但隨著芯片尺寸越來(lái)越小，加上濕度和溫度、電解質(zhì)深度等引發(fā)電位差發(fā)生變化，在芯片表面的P、N區(qū)域間、燈內(nèi)PCB導(dǎo)電線條間，燈外電極與線條間，以及模組PCB電極或線條間，只要存在這種電位差，潛在的金屬遷移趨勢(shì)就已經(jīng)形成，而且往往從最薄弱（即距離電小電位差最大）的地方首先發(fā)生遷移，造成漏電。對(duì)于各種RGB方案來(lái)說(shuō)，我們所能做的，只是設(shè)法延長(zhǎng)從開(kāi)始形成遷移的趨勢(shì)到因遷移而導(dǎo)致產(chǎn)品失效的過(guò)程時(shí)間而已。

圖1 不同位置金屬遷移典型示例

圖2 金屬遷移原理圖

如果要避免或減少離子遷移，需要滿足以下幾點(diǎn)：

1、PN區(qū)電極之間的距離L：L越大越不易遷移，或者相同條件下要經(jīng)過(guò)相對(duì)更長(zhǎng)的時(shí)間才能形成遷移失效；
2、電位差U：U越小電化學(xué)反應(yīng)速度越慢，越不易形成遷移，消隱電壓越低越不容易形成遷移；
3、濕度RH：RH越低越干燥電化學(xué)反應(yīng)速度V越慢，越不易形成遷移，70 RH是警戒線；
4、電解質(zhì)濃度：電極或不同電位線條之間的電解質(zhì)雜質(zhì)濃度越低，越潔凈越不易形成遷移；
5、溫度T：T越低，電化學(xué)反應(yīng)速率越小，越不易形成遷移。

垂直結(jié)構(gòu)方案在解決金屬遷移問(wèn)題上有天然的優(yōu)勢(shì)。其優(yōu)勢(shì)主要有三：

一是垂直結(jié)構(gòu)芯片正負(fù)極之間距離大于135μm，而正裝水平結(jié)構(gòu)芯片會(huì)隨著芯片尺寸的減小，其正負(fù)極距離越來(lái)越小，如6×8mil芯片電極間距68μm，而4×5.5mil芯片電極間距就小至26μm了。由于正負(fù)極在物理空間的距離較大，即使假設(shè)發(fā)生金屬離子遷移后，垂直芯片燈珠壽命會(huì)比水平芯片高4倍以上，極大地提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

二是垂直結(jié)構(gòu)的藍(lán)綠芯片表面為全惰性金屬電極Ti/Pt/Au，較難發(fā)生金屬遷移，主要性能與紅光垂直芯片一樣，而水平芯片電極材料使用ITO/Cr/Al，這些材料活性較強(qiáng)，極容易發(fā)生金屬遷移。

三是普通正裝水平芯片主要使用絕緣膠，散熱性極差，且芯片尺寸越小，燈內(nèi)溫度越高；而垂直結(jié)構(gòu)芯片采用銀膠，導(dǎo)熱性能好，燈內(nèi)溫度相對(duì)于正裝水平低很多，可以大幅度降低金屬離子遷移速度。

圖3 水平電極結(jié)構(gòu)因電極間距和溝道寬度小極易發(fā)生PN區(qū)金屬遷移

圖4 垂直電極結(jié)構(gòu)較好的間距空間大幅度降低正負(fù)極金屬遷移

關(guān)鍵詞二：高性?xún)r(jià)比

性?xún)r(jià)比是商家規(guī)模應(yīng)用的決定因素。

在顯示效果方面，相比正裝結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)的芯片是單面發(fā)光、無(wú)側(cè)光，隨著間距變小，產(chǎn)生的光干擾會(huì)更少。也就是說(shuō)，間距越小，亮度損失越少，因此，垂直芯片相對(duì)于正裝水平芯片的亮度有大幅度提高；而且垂直結(jié)構(gòu)由于RGB三色都是單面出光，相對(duì)于普通正裝和普通倒裝結(jié)構(gòu)的五面出光，RGB三個(gè)顏色不會(huì)出現(xiàn)混光，從而在顯示清晰度方面更勝一籌（此為Micro顯示的芯片必然要去襯底的原因之一）。

圖5 垂直結(jié)構(gòu)與正裝水平的結(jié)構(gòu)芯片亮度測(cè)試數(shù)據(jù)

在生產(chǎn)良率方面，垂直結(jié)構(gòu)相比普通正裝結(jié)構(gòu)還能少打兩根線，器件內(nèi)打線面積更充足，可有效增加設(shè)備產(chǎn)能，可以使器件由于焊線原因造成的不良下降一個(gè)數(shù)量級(jí)。

圖6 普通正裝RGB(左)需要打5根線，垂直結(jié)構(gòu)RGB（右）只需打3根線

成本上，垂直結(jié)構(gòu)藍(lán)綠LED芯片可以采用最普通的垂直結(jié)構(gòu)紅光LED芯片，對(duì)于高端應(yīng)用或更小間距的屏而言，一組RGB垂直結(jié)構(gòu)芯片成本是倒裝芯片的1/2。同時(shí)，垂直結(jié)構(gòu)方案封裝工藝成熟度高，現(xiàn)有封裝廠設(shè)備可以完全通用，無(wú)需投入新設(shè)備，但倒裝方案就需要增加大批設(shè)備，封裝良率提升難度極大。綜合來(lái)看，現(xiàn)階段垂直結(jié)構(gòu)方案是Mini顯示推進(jìn)千家萬(wàn)戶的最優(yōu)選擇。

關(guān)鍵詞三：不止于Mini

晶能認(rèn)為顯示的本質(zhì)是像素，芯片結(jié)構(gòu)和尺寸只是實(shí)現(xiàn)的手段，因此，晶能建議按照像素間距來(lái)定義Mini LED和Micro LED顯示，即將P0.3-P1.25或者1.5mm歸類(lèi)為Mini LED，P0.3mm以下歸類(lèi)為Micro LED。

現(xiàn)階段，晶能垂直方案已經(jīng)量產(chǎn)了硅襯底垂直芯片尺寸在5×5mil至7×7mil的藍(lán)綠Mini LED芯片，未來(lái)在2021年第四季度會(huì)量產(chǎn)4×4mil垂直芯片，再匹配正極性或反極性紅光LED芯片。

針對(duì)不同間距主要包括三種方案：P1.25mm的1010單顆封裝產(chǎn)品、P1.25mm至P0.625mm間距IMD 4合1及COB產(chǎn)品。這些方案可制造全垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的超高清全彩顯示屏，主要應(yīng)用在戶內(nèi)顯示、高清娛樂(lè)、遠(yuǎn)程視頻會(huì)議等場(chǎng)景。

晶能光電根據(jù)客戶端的驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，5×5mil產(chǎn)品能夠滿足顯示屏的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，相比藍(lán)寶石方案可達(dá)到更高的亮度水平。同時(shí)，還能夠?qū)崿F(xiàn)更高的設(shè)備稼動(dòng)率和效率，并有效避免金屬遷移所造成的屏幕壞點(diǎn)，即毛毛蟲(chóng)等失效異常。

而對(duì)于P0.3-P0.6Mini顯示，晶能光電也提出了可行的方案，使用其多年研發(fā)的Micro芯片技術(shù)的70%，即用Micro級(jí)別的硅襯底LED材料去除襯底后，制成3-5μm厚的薄膜藍(lán)綠芯片，做成2×4mil的自帶焊接金屬柱的薄膜倒裝結(jié)構(gòu)（TFFC）芯片或者2.5×2.5mil薄膜垂直結(jié)構(gòu)(VTF)芯片，紅光采用藍(lán)光搭配QD量子膜或硅襯底GaN紅光薄膜芯片。該方案由于芯片尺寸遠(yuǎn)大于Micro LED芯片（5-40um），相對(duì)于Micro LED技術(shù)難度大幅度降低，預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年內(nèi)能夠量產(chǎn)。

圖7 P0.3-P0.6的TFFC方案（左）和VTF方案（右）

小結(jié)

當(dāng)前，顯示領(lǐng)域也是多種技術(shù)和方案并存，選擇哪種方案取決于終端客戶的需求。但無(wú)論如何，超大顯示屏的發(fā)展必定會(huì)對(duì)顯示產(chǎn)品的性能與成本效益提出越來(lái)越高的要求。未來(lái)會(huì)有怎樣的變化暫且不說(shuō)，但垂直結(jié)構(gòu)RGB技術(shù)的潛力已經(jīng)顯而易見(jiàn)。(文：LEDinside)

感謝晶能光電為本文提供技術(shù)內(nèi)容

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