相關資訊：氧化鎵

封頂/投產(chǎn)，國內兩個化合物半導體項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?，化合物半導體正加速重構半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，...  [詳內文]

氧化鎵領域強強合作，國內廠商發(fā)力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國氧化鎵襯底領域領先企業(yè)鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術優(yōu)勢協(xié)同攻關，聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強強聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領域的應用突破，為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入新動能...  [詳內文]

亞洲氧化鎵技術迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導體材料禁帶寬度的拓寬始終驅動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導體革命。 氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水...  [詳內文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標志著鎵仁半導體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術的企業(yè)...  [詳內文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分類 功率
隨著半導體技術的飛速發(fā)展，寬禁帶半導體材料逐漸成為未來技術的關鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學式為 Ga?O? 的無機化合物，是鎵...  [詳內文]

鎵仁半導體生長出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內外相關企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日，又有一家國內企業(yè)披露其在氧化鎵領域取得新進展。 source：鎵仁半導體 11月29日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，今年10月...  [詳內文]

鎵仁半導體氧化鎵二期工廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
11月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關鍵環(huán)節(jié)引入了先進的產(chǎn)業(yè)化設備，預計將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場對氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導體自主...  [詳內文]

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國內2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領域有了新突破。 鎵仁半導體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導體官微消息...  [詳內文]

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標。FOX采用了無貴金屬單晶生長技術，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當?shù)摩?氧化鎵襯底。 source：東北大學 據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比...  [詳內文]

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術，是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專...  [詳內文]