相關資訊：氧化鎵

鎵仁半導體生長出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外相關企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日，又有一家國內(nèi)企業(yè)披露其在氧化鎵領域取得新進展。 source：鎵仁半導體 11月29日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，今年10月...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體氧化鎵二期工廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
11月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關鍵環(huán)節(jié)引入了先進的產(chǎn)業(yè)化設備，預計將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場對氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導體自主...  [詳內(nèi)文]

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領域有了新突破。 鎵仁半導體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導體官微消息...  [詳內(nèi)文]

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標。FOX采用了無貴金屬單晶生長技術，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當?shù)摩?氧化鎵襯底。 source：東北大學 據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術，是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預計年底之前具備設備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發(fā)展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構(gòu)藍馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導體 鎵仁半導體表示，本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

日本團隊不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應用中具有優(yōu)勢，且導通電阻更低，損耗更小。 目前，中國、日本、韓國等國的研究機構(gòu)和團隊在氧化鎵材料的技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日，韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應用于高速開關的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]