相關資訊：氧化鎵

鎵仁半導體制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報導的最大尺寸。 source：鎵仁半導體 據(jù)鎵仁半導體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導體與邁姆思達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）近日與蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域展開深度合作。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導體在氧化鎵材料方面實現(xiàn)新突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領先于國際同類產(chǎn)品標準。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

超越碳化硅？三菱電機投資氧化鎵功率半導體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。 三菱電機表示，2024年~2030年，...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首個6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)氧化鎵公司晶旭半導體獲億元投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業(yè)
2月3日， 睿悅投資官微發(fā)文稱，睿悅投資與福建晶旭半導體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導體”）簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議。 據(jù)悉，此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產(chǎn)。 公開資料顯示，福...  [詳內(nèi)文]

第四代半導體材料龍頭NCT又有新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分類 企業(yè)
近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產(chǎn)新一代半導體技術的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內(nèi)文]

鎵和半導體推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底、首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 26 日 17:30 | 分類 企業(yè)
在近日召開的“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”上，北京鎵和半導體有限公司（下文簡稱“鎵和半導體”）推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。 在鎵和半導體展臺上，現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸（100）（001）（-201）三種晶面單晶襯底，U...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵商業(yè)化腳步漸近！TrendForce發(fā)布2024年科技12大趨勢
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 18 日 13:48 | 分類 數(shù)據(jù)
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢針對2024年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整理科技產(chǎn)業(yè)重點趨勢，化合物半導體以及其他內(nèi)容請見下方： 其中與化合物半導體相關的內(nèi)容為下面這一項： 1、材料與元件技術并進，氧化鎵商業(yè)化腳步漸近 隨著高壓、高溫、高頻等應用場景的增加，氧化鎵（Ga?O?）...  [詳內(nèi)文]