圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

股東方面，泰科天潤目前由創(chuàng)始人陳彤、SK海力士（無錫）投資有限公司、廣發(fā)乾和投資有限公司，以及三峽基金、國融工發(fā)、洪泰基金等多家投資基金共同持股。

作為國內(nèi)SiC研發(fā)生產(chǎn)和平臺服務(wù)型廠商，泰科天潤的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、SiC成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。目前泰科天潤的SiC器件650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A-50A、3300V/0.6A-50A等系列產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。

項目方面，泰科天潤6英寸SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目（一期工程）已于2023年6月15日完成自主驗收工作；現(xiàn)將擴建二期工程，將在泰科天潤原有的瀏陽高新區(qū)新能源汽車零部件產(chǎn)業(yè)園的廠房內(nèi)進行。泰科天潤將把現(xiàn)有廠房內(nèi)的二層SiC功率器件專用生產(chǎn)線延伸到一層，并新增生產(chǎn)設(shè)備和封裝測試工藝生產(chǎn)線實現(xiàn)增產(chǎn)。擴建項目將新增投資1億元，從原有的年產(chǎn)6英寸SiC功率器件6萬片/年規(guī)模增加至10萬片/年，年產(chǎn)能增加了4萬片。

此外，北京泰科天潤總部及生產(chǎn)廠房項目入選了《北京市2023年重點工程計劃》，該項目總投資4億元，計劃建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域6-8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地。

融資方面，自2018年以來，泰科天潤已相繼完成10輪融資，投資方包括洪泰基金、北京高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金、國融工發(fā)、京銘資本、國鑄資本、新鼎資本、謝諾投資、拓金資本、高鑫基金等眾多機構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛思強、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測股份、宇晶機器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>

天科合達

本屆展會，天科合達帶來了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。

目前，天科合達已形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。

比亞迪半導(dǎo)體

本屆展會，比亞迪半導(dǎo)體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目一期竣工。該項目總投資100億元，項目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

目前，泰科天潤的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領(lǐng)域。

世紀金芯

本屆展會，世紀金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。

其中，世紀金芯帶來的SiC高純粉料純度可達99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。

今年4月，世紀金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元。

晶格領(lǐng)域

本屆展會，晶格領(lǐng)域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。

其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。

眾力為

本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產(chǎn)品。

其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實現(xiàn)測試前自動VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動檢測DUT是否失效。

GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調(diào)節(jié)實現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅(qū)動信號通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強；設(shè)備帶有自動高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機驅(qū)動等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。

高測股份

本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線切片機。

據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

source：高測股份

設(shè)備型號GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線切片機，使用金剛線切割半導(dǎo)體單晶硅片的專用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。

source：高測股份

優(yōu)界科技

優(yōu)界科技首次在國內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機SiC-8Kpro。

該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。

萬年芯

本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機的變頻器和各種逆變電源。

萬年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

愛仕特

本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標準測試，能夠滿足車規(guī)級要求。

森國科

本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。

森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。

森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設(shè)計。

合盛新材

本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。

合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。

愛思強

本屆展會，愛思強展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。

G10-SiC（source：愛思強）

據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強業(yè)績發(fā)展的一大強勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷量增長，愛思強實現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設(shè)備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。

科友半導(dǎo)體

本屆展會，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。

今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

黃河旋風(fēng)

本屆展會，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產(chǎn)品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設(shè)備。

黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點，工作結(jié)溫達175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航?、低反向漏電流、零反向恢?fù)電流等特點。

蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標準。

九域半導(dǎo)體

本屆展會，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產(chǎn)品。

該設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復(fù)性佳、測試敏感性高、可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點。

同光股份

本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。

同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。

同光股份旗下設(shè)有三個工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。

納設(shè)智能

本屆展會，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨立可控、工藝指標優(yōu)異、機臺量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點。

今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨。

鎵仁半導(dǎo)體

本屆展會，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產(chǎn)品。

氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達到4.85eV，可見光波段透過率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測、輻射探測等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。

乾晶半導(dǎo)體

本屆展會，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。

目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測試。

晶鎵半導(dǎo)體

本屆展會，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。

晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

芯三代

本屆展會，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶外延片產(chǎn)品。

芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時。

該設(shè)備擁有完全獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨創(chuàng)的進氣方式、垂直氣流和溫場控制技術(shù)，輔以全自動上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

爍科晶體

本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類產(chǎn)品。

爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產(chǎn)品。

今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

天域半導(dǎo)體

本屆展會，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅(qū)模塊等。

天域半導(dǎo)體主要向下游客戶提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

鎵未來

本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動電源、逆變器等應(yīng)用場景。

據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應(yīng)用要求，滿足市場對無風(fēng)扇戶外電源設(shè)計需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺。

致能科技

本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應(yīng)用方案。

致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。

去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

天成半導(dǎo)體

本屆展會，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。

天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達99.9999%。

恒普技術(shù)

本屆展會，恒普技術(shù)展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。

其中，SiC長晶爐可實現(xiàn)多區(qū)域獨立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”核心技術(shù)方向之一。

中宜創(chuàng)芯

本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。

其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產(chǎn)品純度最高達到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長。

頂立科技

本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。

其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補了國內(nèi)空白。

季華恒一

本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機等設(shè)備。

季華恒一專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。

創(chuàng)銳光譜

本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)等設(shè)備。

其中，SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯缺陷專用檢測設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準識別BPD、TSD、TED，準確率＞90%。

中機新材

本屆展會，中機新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。而中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。

飛仕得

本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。

該設(shè)備實現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時可兼容HTGB、HTRB功能；每個抽屜獨立，匹配獨立電源，不同抽屜可實現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個柜體內(nèi)置5個抽屜，最多可配4個柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應(yīng)抽屜即可，無需再次購買整個設(shè)備。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先

本屆展會，中環(huán)領(lǐng)先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。

據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

先導(dǎo)集團

本屆展會，先導(dǎo)集團旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。

其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設(shè)計,具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。

BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計,可同時加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。

南砂晶圓

本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。

南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達到0，BPD≤200cm﹣2。

邁為股份

本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設(shè)備。

邁為股份于2010年9月成立，是一家集機械設(shè)計、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

伴隨著合作協(xié)議簽署，4個產(chǎn)業(yè)項目正式簽約落地順義，包括泊松芯能空間項目、SiC功率器件用陶瓷封裝基板項目、氧化鎵晶體生長爐設(shè)備項目、第四代半導(dǎo)體功率芯片研發(fā)項目，總投資額近10億元。

據(jù)悉，2023年2月，北京順義區(qū)印發(fā)《順義區(qū)進一步促進第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱措施），加快打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。措施適用于從事第三代等先進半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會團體、民辦非企業(yè)等機構(gòu)。

目前，順義區(qū)初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了國聯(lián)萬眾、泰科天潤、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等重點企業(yè)20余家。

項目方面，除本次簽約項目外，位于順義新城3401街區(qū)的第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標準化廠房（二期）正在施工中，現(xiàn)已完成總工程量的15%，預(yù)計年底完成整體結(jié)構(gòu)封頂。

該項目總投資6.3億元，規(guī)劃總建筑面積約6.48萬平方米，建設(shè)面積4.02萬平方米，由科創(chuàng)集團投資建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)廠房、庫房、綜合樓等11棟單體建筑。項目建成后，將成為集創(chuàng)新研發(fā)、交流展示、成果轉(zhuǎn)化、商業(yè)服務(wù)于一體的創(chuàng)新資源平臺，助力順義區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

此外，泰科天潤總部項目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米。項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)，研發(fā)生產(chǎn)用于新能源汽車、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域的6-8英寸SiC功率器件。該項目一期投資4億元，規(guī)劃年產(chǎn)SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，目前，該項目正在進行打樁收尾和結(jié)構(gòu)施工建設(shè)準備，預(yù)計2028年達產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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文件披露，泰科天潤6英寸SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目（一期工程）已于2023年6月15日完成自主驗收工作；現(xiàn)將擴建二期工程，將在泰科天潤原有的瀏陽高新區(qū)新能源汽車零部件產(chǎn)業(yè)園的廠房內(nèi)進行。

據(jù)悉，泰科天潤將把現(xiàn)有廠房內(nèi)的二層SiC功率器件專用生產(chǎn)線延伸到一層，并新增生產(chǎn)設(shè)備和封裝測試工藝生產(chǎn)線實現(xiàn)增產(chǎn)。擴建項目將新增投資1億元，從原有的年產(chǎn)6英寸SiC功率器件6萬片/年規(guī)模增加至10萬片/年，年產(chǎn)能增加了4萬片。

該項目由瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱瀏陽泰科天潤）主導(dǎo)建設(shè)，瀏陽泰科天潤是泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司旗下子公司，主要從事SiC功率器件專用，可以生產(chǎn)各類型SiC器件，包括SBD/PIN二極管和MOSFET/GTO/JFET晶體管器件。

此前，瀏陽泰科天潤已投資4億元租賃瀏陽高新區(qū)永和南路新能源汽車零部件產(chǎn)業(yè)園18號的標準廠房進行SiC功率器件的生產(chǎn)，工程建成后預(yù)計年產(chǎn)6萬片6英寸SiC功率器件。

瀏陽泰科天潤一期工程主要為標準廠房17#整棟建設(shè)全部生產(chǎn)線，已于2020年編制完成《瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司6英寸碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目（一期工程）環(huán)境影響報告表》，并于2021年4月13日獲得長沙市生態(tài)環(huán)境局《關(guān)于瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司6英寸碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目（一期工程）環(huán)境影響報告表的批復(fù)》。

項目方面，北京泰科天潤總部及生產(chǎn)廠房項目入選了《北京市2023年重點工程計劃》，該項目總投資4億元，計劃建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域6-8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，該項目總投資6.3億元，規(guī)劃總建筑面積約6.48萬平方米，建設(shè)面積4.02萬平方米，由科創(chuàng)集團投資建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)廠房、庫房、綜合樓等11棟單體建筑。項目建成后，將成為集創(chuàng)新研發(fā)、交流展示、成果轉(zhuǎn)化、商業(yè)服務(wù)于一體的創(chuàng)新資源平臺，助力順義區(qū)三代半產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集聚發(fā)展。

目前，順義區(qū)正在加速促進三代半項目落地，規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標廠，目前一期7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。

值得一提的是，今年3月初，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。

2023年3月27日，泰科天潤總部項目在北京中關(guān)村順義園舉行開工奠基儀式。當(dāng)時，中關(guān)村順義園消息顯示，泰科天潤總部項目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設(shè)。項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)，研發(fā)生產(chǎn)用于新能源汽車、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域的6-8英寸SiC功率器件。

該項目一期投資4億元，規(guī)劃年產(chǎn)SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，目前，該項目正在進行打樁收尾和結(jié)構(gòu)施工建設(shè)準備，預(yù)計2028年達產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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緯湃科技落子天津

根據(jù)“天津經(jīng)開區(qū)一泰達”的報道，3月6日，天津經(jīng)開區(qū)與緯湃汽車電子（天津）有限公司（以下簡稱：緯湃科技）正式簽署投資合作協(xié)議，緯湃科技新能源智能制造與汽車電子新產(chǎn)品投資項目正式落戶天津經(jīng)開區(qū)。

項目將積極引入碳化硅功率模塊、800伏電機定子及轉(zhuǎn)子、EMR3三合一電動軸驅(qū)動系統(tǒng)、高壓逆變器、新一代變速箱控制器等新產(chǎn)品，以滿足小鵬等新勢力汽車制造企業(yè)訂單需求。

據(jù)悉，緯湃科技早在2019年便已在天津經(jīng)開區(qū)投資設(shè)立研發(fā)中心，而本次新能源智能制造與汽車電子新產(chǎn)品投資項目的正式落戶，是緯湃科技研發(fā)中心業(yè)務(wù)的拓展與再升級，標志著其在天津正式啟動新一輪新能源核心產(chǎn)品的投資。

該項目于2023年8月簽約，將持續(xù)投入固定資產(chǎn)12億元，預(yù)計為天津工廠新增引入不少于100名高端人才，并帶來每年上億元新增銷售額。

圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫

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泰科天潤北京項目預(yù)計2028年達產(chǎn)

根據(jù)“北京日報”的報道，北京順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目已全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。目前，該項目正在進行打樁收尾和結(jié)構(gòu)施工建設(shè)準備。

項目將建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域6-8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地，一期投資4億元，年產(chǎn)SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，預(yù)計實現(xiàn)產(chǎn)值8億元，2028年達產(chǎn)。

另一方面，2024年1月份，泰科天潤董事長兼CEO?陳彤表示，泰科天潤湖南6英寸晶圓線已經(jīng)累計完成了超３萬片的流片和銷售，經(jīng)受住了國內(nèi)外一線大廠的嚴格審廠。同時，北京8英寸晶圓線已開工建設(shè)，2025年可實現(xiàn)通線投產(chǎn)。

據(jù)介紹，泰科天潤現(xiàn)已推出多款新品，包括1200V SiC MOSFET、2000V SiC二極管、IGBT混合單管，并實現(xiàn)批量銷售。其中，1200V 40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)在大功率充電模塊應(yīng)用上，累計經(jīng)受了88萬個小時的電動汽車充電實戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場景，累計為新能源汽車進行800多萬度電的超快充電。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）

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泰科天潤總部位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平方米。除了此次的海爾入局之外，2021年10月泰科天潤的D輪融資中，已經(jīng)引入TCL創(chuàng)投。

泰科天潤在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠，可在4/6英寸碳化硅晶圓上實現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝，其中以6英寸占據(jù)主導(dǎo)地位，其計劃2023年將碳化硅的產(chǎn)能增加到100000片/年，屆時可以滿足絕大部分客戶的需求。而在8英寸方面，其在2022年年底已經(jīng)開始布局，預(yù)計2024-2025年實現(xiàn)10萬片/年的產(chǎn)能布局。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

在產(chǎn)品上，目前泰科天潤的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。

根據(jù)此前相關(guān)媒體的采訪報道，截至2022年年底，泰科天潤年度簽約訂單超過2億元，碳化硅器件年度出貨量2500萬顆，歷年累計出貨量超5400萬顆。并且湖南的6英寸產(chǎn)線通過了車規(guī)體系IATF16949的認證，一些器件也獲得了AEC-Q101車規(guī)認證。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）

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今年，北京將繼續(xù)實施”3個100″市重點工程，推進100個科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)、100個基礎(chǔ)設(shè)施和100個民生改善項目。其中新建項目120個，續(xù)建項目180個，力爭當(dāng)年完工項目54個。同時，2023年安排重點推進前期工作項目200個。

在科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)中，包含了35項先進制造業(yè)項目，京東方、泰科天潤、天科合達的MiniLED、碳化硅項目位列其中：

北京發(fā)布2023重點工程計劃，京東方、泰科天潤等項目在列

部分項目名單（來源：北京市發(fā)改委）

據(jù)悉，京東方的第6代新型半導(dǎo)體顯示器件生產(chǎn)線項目，總投資290億元，生產(chǎn)VR顯示面板、MiniLED直顯背板等高端顯示產(chǎn)品，設(shè)計產(chǎn)能約5萬片/月，預(yù)計2026年滿產(chǎn)。該項目已在今年2月開工。

泰科天潤總部及生產(chǎn)廠房項目，總投資4億元，計劃建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域6-8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地。

天科合達產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目，總投資約9.5億元人民幣，建設(shè)碳化硅生產(chǎn)線，項目分兩期建設(shè)，一期項目可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片，目前已投入生產(chǎn)。二期項目計劃投入800臺碳化硅單晶生長爐和配套加工設(shè)備，年產(chǎn)碳化硅晶片達25萬片，計劃于2024年建成投產(chǎn)。（LEDinside整理）

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