source：三安半導(dǎo)體

國際方面，1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。

3月28日，湖南三安與維諦技術(shù)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展。

而在今年5月27日，德國分銷商兼工程公司Finepower GmbH宣布，公司已與湖南三安簽署了分銷協(xié)議，后續(xù)將在歐洲銷售湖南三安的產(chǎn)品。資料顯示，F(xiàn)inepower GmbH成立于2001年，其中國總部位于深圳，專注于電力電子的各種應(yīng)用，業(yè)務(wù)包含功率MOSFET、碳化硅和氮化鎵器件等。

國內(nèi)方面，在9月5日，湖南三安又與虹安微電子在長沙簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在加強(qiáng)雙方在碳化硅領(lǐng)域的合作，推動產(chǎn)能保障和技術(shù)支持，共同應(yīng)對新能源汽車、光儲充等市場需求。

據(jù)介紹，通過戰(zhàn)略合作，湖南三安將為虹安微電子提供穩(wěn)定的碳化硅產(chǎn)能保障，確保后者能夠滿足客戶需求；同時，雙方將在碳化硅技術(shù)方面進(jìn)行合作，加速技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。

作為湖南三安合作方，虹安微電子成立于2023年，產(chǎn)品包括低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET、MCU微控制器等，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PC/服務(wù)器、消費(fèi)電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實(shí)業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達(dá)茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、東科半導(dǎo)體、國基南方、能華半導(dǎo)體、愛仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點(diǎn)展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導(dǎo)體

本屆展會，三安半導(dǎo)體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。

三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計(jì)出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲能、車載充電機(jī)、充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點(diǎn)。

英飛凌

在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動汽車展區(qū)，英飛凌進(jìn)行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動解決方案。

德州儀器

本屆展會，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機(jī)器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機(jī)器人和伺服驅(qū)動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的先進(jìn)650V三相GaN IPM。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過程中安全可靠的運(yùn)行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。

目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計(jì)經(jīng)受了88萬小時的電動汽車充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場景，累計(jì)為新能源汽車進(jìn)行了800多萬度電的超快充電。

泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設(shè)計(jì)、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計(jì)等特點(diǎn)。

英諾賽科

本屆展會，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點(diǎn)展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費(fèi)與家電的240W LED驅(qū)動方案，500W電機(jī)驅(qū)動方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚(yáng)杰科技

本屆展會，揚(yáng)杰科技帶來了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應(yīng)用解決方案。

東科半導(dǎo)體

本屆展會，東科半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。

國基南方

本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風(fēng)光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導(dǎo)體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達(dá)百微米，屬于國內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達(dá)到6N。

其中，半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級SiC多晶粉主要針對導(dǎo)電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。

在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

鎵未來

本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實(shí)現(xiàn)高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應(yīng)用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅(qū)動SiC功率器件的隔離驅(qū)動產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應(yīng)用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費(fèi)電子場景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費(fèi)電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體

本屆展會，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一同時量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達(dá)到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。

公開資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球?yàn)閿?shù)不多同時掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛仕特

本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開關(guān)損耗支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行，高耐用性的封裝實(shí)現(xiàn)更高可靠性及更長的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細(xì)分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負(fù)壓驅(qū)動或短路保護(hù)功能的SiC專用驅(qū)動芯片IVCO141x。

瑞能半導(dǎo)體

本屆展會，瑞能半導(dǎo)體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進(jìn)環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導(dǎo)體

本屆展會，萃錦半導(dǎo)體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。

目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動等場景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。

翠展微電子

本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的，該方案具有高功率密度、可擴(kuò)展性好、可靠性高、抗震動性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過采用銅Clip工藝實(shí)現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會，Vishay在現(xiàn)場展示了各類無源和分立半導(dǎo)體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達(dá)四個分立式SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。并且這些模塊搭載獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動汽車設(shè)計(jì)中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強(qiáng)汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實(shí)現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計(jì)帶來更高的設(shè)計(jì)效率。

小結(jié)

從本屆展會三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展品來看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產(chǎn)品邁進(jìn)，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢。

以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h(yuǎn)景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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加速8英寸轉(zhuǎn)型

目前在SiC產(chǎn)業(yè)內(nèi)，各大廠商都在積極轉(zhuǎn)型8英寸，三安光電也在其中。湖南三安SiC項(xiàng)目一期在全線投產(chǎn)后，為順應(yīng)6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型大趨勢，二期項(xiàng)目全部導(dǎo)入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝。近日，湖南三安8英寸SiC產(chǎn)線取得了積極進(jìn)展。

7月2日，三安光電在投資者互動平臺表示，湖南三安項(xiàng)目后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)將生產(chǎn)8英寸SiC產(chǎn)品，目前，8英寸SiC襯底已開始試產(chǎn)，8英寸SiC芯片預(yù)計(jì)于12月投產(chǎn)。

隨著8英寸SiC襯底開始試產(chǎn)，湖南三安將會越來越接近正式量產(chǎn)，進(jìn)而推動三安光電加快實(shí)現(xiàn)向8英寸襯底廠商成功轉(zhuǎn)型。

作為國內(nèi)唯一一家布局第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的廠商，三安光電8英寸襯底開始試產(chǎn)以及最終實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將會為后續(xù)器件、模塊以及終端應(yīng)用提供更具競爭力的產(chǎn)品，推動SiC產(chǎn)業(yè)鏈向8英寸轉(zhuǎn)型升級。依托自身的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，三安光電有望加速8英寸SiC從襯底到終端應(yīng)用全流程的落地實(shí)施。

多場景滲透

在湖南三安SiC項(xiàng)目一期全線投產(chǎn)后，其SiC年產(chǎn)能已達(dá)到25萬片（6英寸），二期項(xiàng)目投產(chǎn)后，整個項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)總計(jì)年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。而且隨著8英寸產(chǎn)品的引入，整體項(xiàng)目的產(chǎn)品質(zhì)量有望進(jìn)一步提升。

在湖南三安不斷加碼SiC產(chǎn)能的同時，業(yè)務(wù)及市場拓展也在同步推進(jìn)。圍繞車載應(yīng)用，湖南三安已先后與理想汽車以及意法半導(dǎo)體等知名廠商達(dá)成合作；在光伏領(lǐng)域，湖南三安的合作伙伴包括陽光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威、上能等；在今年3月與維諦技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略合作后，湖南三安有望加快數(shù)據(jù)中心市場SiC應(yīng)用進(jìn)程。

在8英寸SiC產(chǎn)品量產(chǎn)后，湖南三安有望在SiC多個應(yīng)用場景進(jìn)一步滲透。在積極推進(jìn)8英寸量產(chǎn)的同時，湖南三安近日還成立了一家控股子公司，加強(qiáng)市場拓展。

公開資料顯示，湖南三安半導(dǎo)體科技有限公司成立于2024年6月，經(jīng)營范圍含電力電子元器件銷售、半導(dǎo)體分立器件銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售等。股東信息顯示，該公司由湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（持股比例90%）和廈門市三安半導(dǎo)體科技有限公司（持股比例10%）共同持股，由三安光電間接全資持股。

向營收凈利雙增目標(biāo)邁進(jìn)

通過成立新的市場主體，湖南三安為8英寸新產(chǎn)品順利進(jìn)入市場打下了基礎(chǔ)，8英寸產(chǎn)品有望成為三安光電業(yè)績增長新的動力。而在近日，事關(guān)業(yè)績，三安光電還有一個利好消息傳出。

6月28日晚間，三安光電發(fā)布公告稱，其收到政府補(bǔ)助資金約3.64億元，占公司最近一期經(jīng)審計(jì)歸屬于上市公司股東凈利潤的99.41%。這將對三安光電2024年第二季度損益產(chǎn)生積極影響，進(jìn)而對其全年業(yè)績產(chǎn)生積極影響。

2023年全年，三安光電實(shí)現(xiàn)營收140.53億元，同比增長6.28%；歸母凈利潤3.67億元，同比下滑46.50%。在8英寸產(chǎn)品以及補(bǔ)助資金的助力下，三安光電有望加快實(shí)現(xiàn)營收凈利雙雙增長目標(biāo)。

根據(jù)公告，在三安光電3.64億元補(bǔ)助資金當(dāng)中，有2億元是2024年度科技研發(fā)專項(xiàng)扶持資金。一方面，扶持資金有助于三安光電穩(wěn)健推進(jìn)8英寸量產(chǎn)；另一方面，在8英寸領(lǐng)域的成果，有望為三安光電爭取到更多補(bǔ)助，形成良性循環(huán)，最終推動業(yè)績增長。

小結(jié)

整體來看，三安光電正在全面布局8英寸SiC市場并且進(jìn)展較快，有望在業(yè)內(nèi)較早完成8英寸轉(zhuǎn)型升級，疊加在市場拓展、科研補(bǔ)助等方面的利好消息加持，三安光電將進(jìn)一步鞏固其在SiC產(chǎn)業(yè)的地位。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：湖南三安

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項(xiàng)目最新進(jìn)展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點(diǎn)火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達(dá)到25萬片（6英寸）。二期正在建設(shè)中，將全部導(dǎo)入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝，計(jì)劃今年三季度投產(chǎn)。整個項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)總計(jì)年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

據(jù)悉，該項(xiàng)目作為國內(nèi)首個、世界第三個SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項(xiàng)目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。該項(xiàng)目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項(xiàng)目二期工程開工。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應(yīng)用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計(jì)出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導(dǎo)通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

合作方面，湖南三安與維諦技術(shù)于3月28日宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖耍先睸iC業(yè)務(wù)有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域加速滲透。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，2023年6月，意法半導(dǎo)體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片，主要應(yīng)用在新能源汽車主驅(qū)逆變器、充電樁和車載充電器上。

意法半導(dǎo)體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨(dú)家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實(shí)體。

為主導(dǎo)該合資項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體（中國）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。

為推進(jìn)SiC襯底制造廠項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，注冊資本18億人民幣。

整體來看，重慶三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資約300億元，全面整合了8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)制造，致力于建設(shè)技術(shù)先進(jìn)的8英寸SiC襯底和芯片工廠。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：湖南三安

湖南三安持續(xù)深化車用、光伏領(lǐng)域布局

此前，湖南三安已先后與國內(nèi)新能源汽車頭部廠商理想汽車以及全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體達(dá)成合作。早在2022年8月，理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地正式啟動建設(shè)，該生產(chǎn)基地由理想汽車與湖南三安共同出資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體公司打造。

據(jù)悉，該基地在2024年正式投產(chǎn)后預(yù)計(jì)產(chǎn)能將逐步提升并最終達(dá)到240萬只SiC半橋功率模塊的年生產(chǎn)能力。這些SiC功率模塊產(chǎn)品，將有助于理想汽車提升技術(shù)和產(chǎn)品競爭力，同時通過較高產(chǎn)能確保理想新能源汽車量產(chǎn)供應(yīng)。

而在2023年6月，湖南三安又與意法半導(dǎo)體合作，擬在重慶共同建立一個新的8英寸SiC器件合資制造工廠。成立這座工廠的目的，湖南三安與意法半導(dǎo)體都給出了明確解釋。

湖南三安表示，本次合資工廠的建立，將推動SiC器件在市場上廣泛應(yīng)用，助推新能源汽車行業(yè)快速發(fā)展。意法半導(dǎo)體則表示，中國汽車和工業(yè)領(lǐng)域正朝著電氣化方向快速發(fā)展，對意法半導(dǎo)體而言，與中國本土廠商合建這座工廠，將幫助其更好地滿足中國客戶不斷增長的需求。簡而言之，此次與湖南三安合作，有利于意法半導(dǎo)體在中國市場拓展車用業(yè)務(wù)。通過這兩次重磅合作不難發(fā)現(xiàn)，湖南三安正在持續(xù)加大SiC車用導(dǎo)入力度。

此外，近年來，湖南三安還與陽光電源在光伏等多個領(lǐng)域展開深入合作，并進(jìn)行定制化產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)。目前，在光伏領(lǐng)域，湖南三安的合作伙伴包括陽光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威、上能等，未來，大概率將會有更多廠商成為湖南三安SiC產(chǎn)品用戶。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應(yīng)用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計(jì)出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

當(dāng)前，新能源汽車已成為SiC主要應(yīng)用市場之一，也是SiC產(chǎn)業(yè)近年來的核心增長引擎。同時，憑借器件優(yōu)勢給光伏逆變器帶來的整機(jī)性能和成本優(yōu)勢，SiC功率器件在光伏領(lǐng)域?qū)⒌玫礁鼜V泛認(rèn)可和應(yīng)用?；诖耍先灿型^續(xù)加大車用、光伏領(lǐng)域投入力度，穩(wěn)固業(yè)務(wù)基本盤。

湖南三安拓展數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域

作為一家數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施解決方案提供商，維諦技術(shù)業(yè)務(wù)版圖包括數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)、商業(yè)和工業(yè)三大塊。此次與維諦技術(shù)合作，湖南三安的觸角將進(jìn)一步延伸。

據(jù)悉，數(shù)據(jù)中心是全球協(xié)作的特定設(shè)備網(wǎng)絡(luò)，用來在網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施上傳遞、加速、展示、計(jì)算、存儲數(shù)據(jù)信息。當(dāng)前，以數(shù)據(jù)中心為代表的數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用場景不斷擴(kuò)大，全球數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機(jī)遇。

與傳統(tǒng)的硅功率器件和其他方案相比，SiC技術(shù)可極大提升數(shù)據(jù)中心的能源效率，在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施市場應(yīng)用潛力較大，有望吸引各大SiC廠商切入數(shù)據(jù)中心賽道，湖南三安已成為其中之一。

維諦技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域擁有超過70年的發(fā)展歷史，將利用其在數(shù)據(jù)中心和通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的廣泛布局，為湖南三安SiC產(chǎn)品提供更多市場渠道和應(yīng)用場景。

雙方合作并不僅限于產(chǎn)品供應(yīng)，還包括共同研發(fā)、市場推廣和技術(shù)交流等多個層面，這有助于湖南三安對數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)有更加全面和深入的了解，并攜手維諦技術(shù)研發(fā)更具針對性的技術(shù)和產(chǎn)品。

在SiC產(chǎn)能規(guī)模、技術(shù)水平方面的沉淀，疊加車用、光伏領(lǐng)域應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，在與維諦技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略合作后，湖南三安有望加快數(shù)據(jù)中心市場應(yīng)用進(jìn)程。

小結(jié)

整體來看，在當(dāng)前SiC最大應(yīng)用市場新能源汽車領(lǐng)域，湖南三安已經(jīng)成為實(shí)力玩家之一，在此基礎(chǔ)上，逐步向其他場景滲透順理成章。通過一系列合作，湖南三安持續(xù)完善SiC多場景應(yīng)用布局，未來，在新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、軌道交通等SiC熱門應(yīng)用賽道，都將有湖南三安的足跡。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：湖南三安

據(jù)悉，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應(yīng)用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計(jì)出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆，意味著湖南三安SiC SBD系列產(chǎn)品受到較多客戶青睞，對其拓展國內(nèi)、國際市場是一大利好消息，有望為該公司SiC器件業(yè)務(wù)帶來更多簽單機(jī)會。

據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目致力于建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，項(xiàng)目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機(jī)車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月，湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期開建，總投資為80億元，全面達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)50萬片6英寸SiC晶圓的年產(chǎn)能。湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程目前已進(jìn)入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。

在緊盯SiC產(chǎn)能的同時，湖南三安也瞄準(zhǔn)了海外市場。1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。

Luminus在美洲地區(qū)擁有銷售團(tuán)隊(duì)，包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等，并且在SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場已有布局。與Luminus合作，湖南三安SiC、GaN產(chǎn)品能夠更加順利地打入美洲市場。

值得一提的是，2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式躋身國內(nèi)8英寸SiC襯底廠商行列。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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湖南三安借力Luminus快速打入美洲市場

目前，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)分為兩部分，一是提供SiC二極管和MOSFET等交鑰匙解決方案，二是為半導(dǎo)體客戶提供代工服務(wù)，產(chǎn)品覆蓋SiC襯底、外延和裸die等。

Luminus總部位于美國，在LED封裝等光電領(lǐng)域擁有較高的市場地位，到目前為止仍處于全球LED封裝市場的前列。隨著功率半導(dǎo)體市場的快速發(fā)展，Lumninus的業(yè)務(wù)范圍也逐漸延伸至SiC和GaN功率半導(dǎo)體材料、晶圓代工和元件等高成長性市場。

值得注意的是，三安光電在2013年收購了Luminus 100%的股權(quán)，后者現(xiàn)與湖南三安一樣同屬三安光電的全資子公司。因此，本次雙方的合作既順理成章，也是水到渠成。

目前，SiC產(chǎn)業(yè)仍處于供不應(yīng)求的階段，在產(chǎn)能緊缺的背景下，結(jié)合前幾年全球供應(yīng)鏈中斷等帶來的一系列供貨、交貨、物流等問題，各地客戶在選擇供應(yīng)商方面都更傾向與本地廠商合作，如此便可享受便捷的服務(wù)和技術(shù)支持，還能夠縮短交貨周期。

而Luminus在美洲地區(qū)擁有經(jīng)驗(yàn)豐富的銷售團(tuán)隊(duì)，包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等，多年來積累了豐厚的銷售經(jīng)驗(yàn)，并且在SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場已有布局。對于湖南三安SiC & GaN產(chǎn)品打入美洲市場而言，與Luminus合作是一個快速且高效的途徑。

除了利用Luminus的銷售渠道拉近與美洲地區(qū)客戶的距離之外，湖南三安自身也有一些優(yōu)勢。據(jù)Luminus介紹，湖南三安大部分產(chǎn)品的交期可縮短至8周。因此，雙方認(rèn)為，此次合作有望為功率半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的客戶解決交貨期長的問題。

圖源：湖南三安半導(dǎo)體

產(chǎn)能方面，到2025年初，湖南三安半導(dǎo)體工廠規(guī)劃產(chǎn)能將翻倍。另據(jù)2023年12月消息，2023年上半年末，湖南三安的6英寸SiC產(chǎn)能為1.5萬片/月，預(yù)計(jì)2023年末至2024年初，產(chǎn)能規(guī)劃擴(kuò)產(chǎn)至1.8萬-2萬片/月。未來，湖南三安將繼續(xù)推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程。

國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體加速滲透全球市場

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國內(nèi)廠商在技術(shù)、產(chǎn)能和市場開發(fā)方面正在全力追趕國際廠商。以SiC為例，經(jīng)過幾年的努力，業(yè)界認(rèn)為國內(nèi)SiC襯底等材料技術(shù)與國際廠商之間的差距已經(jīng)大幅縮小，而且國產(chǎn)材料在全球市場的滲透率正在提升，這些從近年來的合作可見一斑。

譬如，英飛凌與天岳先進(jìn)、天科合達(dá)都簽訂了SiC襯底長期供貨協(xié)議，涉及6英寸和8英寸；中電化合物也與韓國Power Master公司簽署了長期供應(yīng)SiC材料（含8英寸）的協(xié)議···這些側(cè)面反映了國產(chǎn)企業(yè)材料技術(shù)水平、產(chǎn)品質(zhì)量、供貨能力等方面都已獲得認(rèn)可。

與材料環(huán)節(jié)有所不同，國產(chǎn)SiC芯片環(huán)節(jié)目前還有較大的提升空間。據(jù)業(yè)內(nèi)專家介紹，當(dāng)前，國內(nèi)SiC二極管已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一定規(guī)模的生產(chǎn)，但SiC MOSFET則剛剛進(jìn)入產(chǎn)業(yè)，處于量產(chǎn)的初期階段，工業(yè)級產(chǎn)品占主體，車規(guī)級產(chǎn)品通過驗(yàn)證的仍占少數(shù)，總體而言與國際廠商仍有較大差距，這也是目前及未來國產(chǎn)企業(yè)努力的方向。

可喜的是，近年來SiC芯片領(lǐng)域的好消息越來越多。一方面，更多國產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)認(rèn)證，如湖南三安、飛锃半導(dǎo)體、芯塔電子、瞻芯電子等；另一方面，國產(chǎn)SiC芯片也在加速滲透全球市場。

湖南三安本次通過Luminus進(jìn)軍美洲市場，從產(chǎn)品推廣的角度上看，這在一定程度上有望推動國產(chǎn)SiC產(chǎn)品打開在國際市場的知名度。不止湖南三安，國內(nèi)許多產(chǎn)業(yè)鏈廠商均在積極布局全球市場，由此可以期待，國產(chǎn)SiC芯片未來可望加快走向全球市場。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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2023年開年以來，湖南三安的業(yè)務(wù)延續(xù)高速發(fā)展的趨勢。據(jù)長沙高新區(qū)消息，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園1月銷售額近1億元，2月銷售額預(yù)計(jì)超過1億元，預(yù)計(jì)后續(xù)的銷售額也將逐月穩(wěn)步提升。訂單方面，產(chǎn)業(yè)園目前已獲得客戶訂單金額 5.59億元，訂單量處于飽和狀態(tài)，呈現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺的態(tài)勢。

圖片來源：拍戲網(wǎng)正版圖庫

作為國內(nèi)首條、全球第三條SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目于2021年6月正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，產(chǎn)線覆蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造、封裝測試等主要環(huán)節(jié)，建成后可實(shí)現(xiàn)6英寸SiC晶圓月產(chǎn)能30,000片，面向新能源汽車、高鐵機(jī)車、航空航天和5G通訊等應(yīng)用領(lǐng)域。

據(jù)園區(qū)負(fù)責(zé)人介紹，截至1月31日，園區(qū)內(nèi)各條產(chǎn)線均已復(fù)工滿產(chǎn)。目前，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園一期的主生產(chǎn)設(shè)備大部分已進(jìn)入運(yùn)行狀態(tài)，還有一部分設(shè)備正陸續(xù)到廠安裝，調(diào)試工作也在緊密推進(jìn)中。二期項(xiàng)目也已于2022年7月正式開工建設(shè)，去年1-9月期間，項(xiàng)目二期完成年度投資96.9%。

從宏觀環(huán)境來看，國內(nèi)外市場正在進(jìn)一步復(fù)蘇，新能源汽車、光伏儲能等市場也將保持快速發(fā)展的趨勢，有望進(jìn)一步帶動相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)iC、GaN產(chǎn)品的需求。從第三代半導(dǎo)體行業(yè)本身的發(fā)展來看，需求持續(xù)呈現(xiàn)旺盛之勢，這一點(diǎn)從開年來產(chǎn)業(yè)鏈廠商的訂單情況可見一斑，湖南三安1-2月的銷售情況也成為了佐證。

未來，隨著產(chǎn)能的逐步釋放，湖南三安的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售占比有望穩(wěn)步提升，為三安光電貢獻(xiàn)顯著的營收。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny整理）

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昨（9）日，三安光電發(fā)布公告宣布，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得2億元補(bǔ)貼款。

公告顯示，根據(jù)公司與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》，長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意按合同約定，撥付湖南三安設(shè)備購置產(chǎn)業(yè)扶持資金2億元。湖南三安已于2021年6月8日收到該筆款項(xiàng)。

三安光電表示，根據(jù)相關(guān)規(guī)定，湖南三安收到的該筆設(shè)備購置產(chǎn)業(yè)扶持資金在收到時確認(rèn)為遞延收益，并在相關(guān)資產(chǎn)使用壽命內(nèi)平均分?jǐn)傆?jì)入損益。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

福日電子今年累計(jì)獲政府補(bǔ)助1988.66萬元

8日，福日電子發(fā)布公告宣布，近日，公司收到福州高新園區(qū)企業(yè)扶持金970萬元。截至本公告披露日，2021年公司及所屬公司累計(jì)收到政府補(bǔ)助共計(jì)1988.66萬元。

福日電子表示，公司根據(jù)《企業(yè)會計(jì)準(zhǔn)則第16號-政府補(bǔ)助》的有關(guān)規(guī)定，上述補(bǔ)助與公司日常經(jīng)營活動相關(guān),將對公司2021年度利潤產(chǎn)生積極影響。（LEDinside整理）

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