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據(jù)悉，瞻芯電子在國(guó)內(nèi)較早自主開(kāi)發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)，并持續(xù)進(jìn)行升級(jí)迭代。

依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，瞻芯電子開(kāi)發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于2023年8月獲得了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測(cè)試，開(kāi)啟了量產(chǎn)交付。

瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓（Vgs）為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

而在近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）測(cè)試認(rèn)證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)已正式量產(chǎn)。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現(xiàn)有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品，主要用于車載電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，已獲得多家車載電驅(qū)動(dòng)客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)。

其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。核心指標(biāo)方面，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同時(shí)，第三代產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。

在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證，獲得車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動(dòng)態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖源：瞻芯電子

此外，公司英文名稱、法定代表人、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼、經(jīng)營(yíng)地址及郵寄地址、聯(lián)系方式均不變。瞻芯電子表示，此次變更不會(huì)影響公司日常運(yùn)營(yíng)，原簽訂的合同繼續(xù)有效，業(yè)務(wù)主體、法律關(guān)系和原有服務(wù)承諾不變。

官網(wǎng)介紹，瞻芯電子成立于2017年，是中國(guó)第一家自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司。公司致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

另一方面，汽車市場(chǎng)作為未來(lái)發(fā)展主軸，正逐漸成為SiC應(yīng)用領(lǐng)域的重中之重。而瞻芯電子對(duì)此早有布局。

產(chǎn)品及應(yīng)用方面，瞻芯電子已成功量產(chǎn)了122款產(chǎn)品，其中包含28款車規(guī)級(jí)產(chǎn)品，涵蓋了SiC MOSFET、SiC SBD、SiC Module和柵極驅(qū)動(dòng)芯片。據(jù)悉，瞻芯電子SiC MOSFET產(chǎn)品于2021年第四季度開(kāi)始大批量“上車”應(yīng)用。

產(chǎn)能方面，2022年瞻芯電子建于浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠順利交付投產(chǎn)，這也意味著瞻芯電子正式實(shí)現(xiàn)由Fabless邁向IDM的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。

根據(jù)企查查官網(wǎng)信息，瞻芯電子現(xiàn)已完成七輪融資，投資機(jī)構(gòu)中也出現(xiàn)了諸多車企的影子。

其中，上汽集團(tuán)、小鵬汽車、北汽藍(lán)谷等整車廠商通過(guò)直接或者間接方式參與了瞻芯電子的融資，星航資本（小鵬汽車發(fā)起的私募基金）則參與了Pre-B輪融資。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）

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瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

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同時(shí)，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強(qiáng)魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測(cè)試、浪涌測(cè)試中等評(píng)估中表現(xiàn)優(yōu)良。

此外，瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級(jí)包括650V/750V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。（文：瞻芯電子）

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2022年12月 ，瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本（上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái)）在管基金聯(lián)合領(lǐng)投，星航資本持續(xù)加注，同時(shí)獲得陽(yáng)光電源、愛(ài)士惟、錦浪科技、浙江創(chuàng)智、華強(qiáng)創(chuàng)投等戰(zhàn)略機(jī)構(gòu)鼎力加入。融資資金用于瞻芯電子義烏SiC晶圓廠的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)、運(yùn)營(yíng)以及研發(fā)的持續(xù)投入。

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瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并圍繞碳化硅功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。

此外，瞻芯電子還是中國(guó)第一家自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，建成了一座按車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC晶圓廠，將持續(xù)創(chuàng)新，放眼世界，致力于打造中國(guó)領(lǐng)先、國(guó)際一流的碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）

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