根據(jù)合作條款,安世半導(dǎo)體將開發(fā)、制造和供應(yīng)由KOSTAL設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動(dòng)汽車(EV)、車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC)QDPAK封裝的碳化硅(SiC)MOSFET器件。
據(jù)悉,安世半導(dǎo)體為聞泰科技子公司,其產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET、氮化鎵(GaN) E-mode和D-mode器件,以及成熟的硅基產(chǎn)品組合。
值的一提的是,除了上述合作外,安世半導(dǎo)體此前就在德國(guó)有所布局——今年6月,安世半導(dǎo)體宣布,計(jì)劃投資2億美元(約14億人民幣)開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體,并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
source:安世半導(dǎo)體
為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求,從今年6月開始,安世半導(dǎo)體三種工藝(SiC、GaN和Si)器件都將在德國(guó)開發(fā)和生產(chǎn)。
同月,安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出,下一個(gè)里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線,這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)在德國(guó)漢堡工廠建成。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
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