source：芯粵能

芯粵能表示，本次融資募集的資金將加快公司在碳化硅芯片制造領域的產(chǎn)能建設，推動公司國內(nèi)外市場的開拓及發(fā)展。

官微資料顯示，芯粵能成立于2021年，是一家面向車規(guī)級和工控領域的碳化硅芯片生產(chǎn)制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET等功率器件，主要應用于新能源汽車主驅、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領域。

芯粵能車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線已進入量產(chǎn)階段

自2021年成立以來，芯粵能碳化硅業(yè)務進展較快。據(jù)芯粵能官微披露，其碳化硅相關項目于2021年落戶廣州南沙區(qū)，總投資75億元人民幣，分別建設年產(chǎn)24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓芯片生產(chǎn)線，是專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的碳化硅芯片制造項目，已于2023年3月15日實現(xiàn)正式通線。

至2023年6月，芯粵能碳化硅晶圓芯片生產(chǎn)線已進入量產(chǎn)階段，包括1200V、16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級碳化硅芯片產(chǎn)品，并陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。

近幾年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，新能源汽車市場是核心驅動力。目前，碳化硅功率器件市場份額主要由國際巨頭占據(jù)，但包括芯粵能在內(nèi)的本土廠商正在努力縮小差距，分食市場大蛋糕，并獲得了資本市場的支持。

本土碳化硅芯片廠融資熱

2024年以來，國內(nèi)碳化硅設備賽道融資火熱，芯片細分領域融資熱度也在上漲，除芯粵能外，至信微電子、中車時代半導體、北一半導體、中瑞宏芯等廠商也相繼完成新一輪融資。

其中，至信微電子在今年1月和4月分別完成A+輪和A++輪融資，中車時代半導體在3月和4月各完成一輪戰(zhàn)略融資，北一半導體在5月完成B+輪融資，中瑞宏芯則在7月完成B輪融資。

業(yè)務進展方面，至信微電子早在2018年即成功推出1200V 10/20A SiC SBD；2023年6月，至信微電子發(fā)布了主要應用于電動汽車主驅模塊的1200V 16mΩ SiC MOSFET；2024年1月，至信微電子進一步發(fā)布1200V/7mΩ等SiC芯片。

北一半導體在2018年成立SiC芯片開發(fā)項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領域獲得批量訂單；2022年，北一半導體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設計。

中瑞宏芯擁有碳化硅JBS與MOS電流電壓系列產(chǎn)品，其中650V 20A SiC JBS、1200V 22mΩ SiC MOSFET、1200V 40/17/13mΩ SiC MOSFET、1200V 80mΩ SiC MOSFET等系列產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101認證與新能源汽車OBC頭部客戶測試，基于第三代工藝平臺導通電阻小于2.7的160mΩ MOSFET產(chǎn)品已量產(chǎn)。

從業(yè)務進展情況來看，上述各碳化硅芯片廠商主要功率器件產(chǎn)品電壓等級均為1200V，能夠滿足當前新能源汽車主流的800V高壓平臺需求，有利于導入新能源汽車主驅應用，并取得了一定成果。

其中，截至2023年底，中瑞宏芯SiC JBS累計出貨超200萬顆，SiC MOSFET累計出貨達100萬顆。這在一定程度上顯示了國產(chǎn)碳化硅功率器件產(chǎn)品正在從國際巨頭手中搶奪市場需求。

隨著本土碳化硅芯片廠商陸續(xù)完成新一輪融資，有望加速產(chǎn)品研發(fā)及市場拓展進程，進而加快碳化硅功率器件產(chǎn)品國產(chǎn)替代腳步。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡

在這兩個項目當中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領域。

據(jù)此前報道，這是國內(nèi)唯一一個專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的SiC芯片制造項目。

從該項目進度來看，2023年1月，廣東省能源局發(fā)布芯粵能“面向車規(guī)級和工控領域的碳化硅芯片制造項目”節(jié)能報告的審查意見，原則同意該項目節(jié)能報告。

2023年3月底，芯粵能一期項目已經(jīng)試投產(chǎn)，計劃2024年12月底達產(chǎn)。在一期達產(chǎn)的同時，芯粵能將啟動二期項目，預計2026年達產(chǎn)。芯粵能預計項目一期達產(chǎn)后年產(chǎn)值40億元，二期達產(chǎn)后合計年產(chǎn)值將達100億元。

2023年6月，芯粵能表示其車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，包括1200V 16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級SiC芯片產(chǎn)品，各方面測試數(shù)據(jù)良好，陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。芯粵能稱已簽約COT客戶10余家，并即將完成4家客戶規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)。

近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個工廠正在擴產(chǎn)爬坡，預計今年年底實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。

在芯粵能SiC芯片制造項目當中，無塵車間于2022年11月正式啟用，目前已經(jīng)實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片產(chǎn)能，車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣，即將完成車規(guī)認證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國大部分SiC芯片設計企業(yè)。

晶旭半導體二期項目預計8月主體落成

近日，據(jù)上杭融媒消息，晶旭半導體二期項目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進行地基施工中。該項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。

據(jù)項目負責人介紹，晶旭半導體二期項目于2023年12月份開建，目前已經(jīng)完成了整個樁基地下工程部分，正在做樁基測試部分。預計在4月底5月初完成主體生產(chǎn)廠房封頂，8月份整個項目的主體工程落成。

該負責人表示，晶旭半導體二期項目主要生產(chǎn)氧化鎵基（超光鏡）材料濾波器芯片，首批產(chǎn)線規(guī)劃實現(xiàn)400KK的年產(chǎn)能。

據(jù)了解，作為一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術、以IDM模式運行的廠商，晶旭半導體核心技術是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產(chǎn)權，已取得多項技術創(chuàng)新。

值得一提的是，今年2月初，晶旭半導體完成億級人民幣戰(zhàn)略融資，由睿悅控股集團獨家投資，助力其實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。