據(jù)悉，晶升裝備基于高溫高真空晶體生長設(shè)備的技術(shù)同源性，致力于新產(chǎn)品、新技術(shù)及新工藝的研究與開發(fā)，并聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍(lán)寶石單晶爐等定制化的晶體生長設(shè)備。

目前，晶升裝備已得到了眾多主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。其中，半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括滬硅產(chǎn)業(yè)（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）和神工股份等，碳化硅單晶爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括三安光電、東尼電子及浙江晶越等。

業(yè)績方面，2019年-2022年上半年，晶升裝備營業(yè)收入分別為2,295.03萬元、12,233.17萬元、19,492.37萬元和6,505.58萬元，銷售規(guī)模整體呈增長趨勢。

值得一提的是，2018年以來，隨著下游新能源汽車、光伏、工控、射頻通信等領(lǐng)域市場的快速發(fā)展，國內(nèi)碳化硅行業(yè)開始步入快速發(fā)展階段。

在此背景下，晶升裝備自2018年起率先投入4-6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶爐研發(fā)，2019年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)產(chǎn)品銷售，產(chǎn)品于2020年開始批量化投入下游碳化硅功率器件（導(dǎo)電型襯底）應(yīng)用領(lǐng)域驗(yàn)證及應(yīng)用；2020年又完成6英寸半絕緣型碳化硅單晶爐研發(fā)、改進(jìn)、定型，同年其半絕緣型碳化硅單晶爐實(shí)現(xiàn)向天岳先進(jìn)的首臺(tái)供應(yīng)及產(chǎn)品驗(yàn)證。

而來自碳化硅單晶爐的營收也在節(jié)節(jié)攀升，目前已經(jīng)成為晶升裝備最大的收入來源。

據(jù)了解，晶升裝備生產(chǎn)的碳化硅單晶爐主要應(yīng)用于6英寸碳化硅單晶襯底，包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型碳化硅晶體生長及襯底制備。

本次登陸科創(chuàng)板，晶升裝備擬募資47,620.39萬元，投向以下項(xiàng)目：

其中，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”將建設(shè)集經(jīng)營辦公和新產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)于一體的綜合性總部大樓與廠房，計(jì)劃涵蓋的主要研發(fā)內(nèi)容有：

1.半導(dǎo)體硅NPS晶體單晶爐研發(fā)：針對(duì)14-28nm工藝存儲(chǔ)用拋光片單晶爐進(jìn)行研發(fā)，開發(fā)適合NPS單晶生長的熱場及工藝，升級(jí)控制硬件及策略，提高NPS晶體產(chǎn)出良率。

2.6-8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)：推動(dòng)碳化硅單晶爐向6-8英寸拓展，在現(xiàn)有感應(yīng)加熱PVT碳化硅單晶爐的基礎(chǔ)上，深入挖掘各項(xiàng)設(shè)備性能參數(shù)，從設(shè)計(jì)、制造、安裝、調(diào)試、維護(hù)等方面著手，提高操作便利性、減小機(jī)差，提高工藝可復(fù)制性，使設(shè)備能夠穩(wěn)定產(chǎn)出適合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶錠。

3.溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統(tǒng)：針對(duì)當(dāng)前PVT法溫度梯度可控性差的問題，進(jìn)一步開發(fā)包括電阻式加熱、液相法等其他碳化硅長晶技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的可控的單晶爐加熱。

產(chǎn)能提升方面，晶升裝備指出，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)各類晶體生長設(shè)備年產(chǎn)量400余臺(tái)；而“半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后可生產(chǎn)各類晶體生長設(shè)備700余臺(tái)/年。（化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理）

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其中，碳化硅設(shè)備作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的重要一環(huán)，也正在飛速發(fā)展。近日，多家企業(yè)宣布在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域獲得新進(jìn)展。

晶盛機(jī)電：發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備

2月4日，晶盛機(jī)電宣布成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備，標(biāo)志著晶盛機(jī)電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破。

據(jù)介紹，晶盛機(jī)電用時(shí)兩年開展6英寸雙片式SiC外延設(shè)備的研發(fā)、測試與驗(yàn)證，在外延產(chǎn)能、運(yùn)營成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢。與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營成本降幅可達(dá)30%以上，將對(duì)新能源產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。

Source：晶盛機(jī)電

高測股份：已推出8英寸碳化硅襯底金剛線切片機(jī)樣機(jī)

1月30日，高測股份發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表時(shí)表示，碳化硅襯底除了切割以外，后道還涉及到磨拋工藝，所以在切片環(huán)節(jié)對(duì)TTV和WARP（翹曲度）、BOW（彎曲度）的精度控制要求更高，相比于光伏金剛線切片機(jī)，碳化硅切片機(jī)在局部具有一些獨(dú)特性的設(shè)計(jì)與控制。

其還指出，目前碳化硅行業(yè)仍以砂漿切割為主。傳統(tǒng)砂漿切割的優(yōu)勢在于導(dǎo)入生產(chǎn)較早，工藝成熟度較高，弊端在于效率低、處理成本較高，導(dǎo)致綜合生產(chǎn)成本沒有優(yōu)勢。相較于砂漿切割，金剛線切割效率高、成本低，固定資產(chǎn)投資額更低，可以更好地滿足客戶的需求，公司認(rèn)為未來金剛線切割技術(shù)替代砂漿切割技術(shù)是一個(gè)確定趨勢。

目前，高測股份推出的適用于6英寸碳化硅襯底切割的碳化硅金剛線切片機(jī)和碳化硅專用金剛線已形成批量銷售，同時(shí)，公司已推出適用于8英寸碳化硅襯底切割的碳化硅金剛線切片機(jī)樣機(jī)，并將于近期送客戶端試用。

隨著碳化硅金剛線切割帶來的技術(shù)成本優(yōu)勢的逐步顯現(xiàn)、示范效應(yīng)的逐步放大，以及碳化硅金剛線切割降本增效技術(shù)的不斷進(jìn)步，高測股份預(yù)計(jì)未來兩三年內(nèi)金剛線切割的滲透率會(huì)快速提高。

光力科技：公司半導(dǎo)體切割劃片機(jī)可切割碳化硅

2月1日，光力科技在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問時(shí)表示，碳化硅在新能源、電力電子等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，公司高度注重產(chǎn)品在碳化硅領(lǐng)域的應(yīng)用。

據(jù)悉，光力科技的半導(dǎo)體切割劃片機(jī)產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于硅基集成電路、分立器件、光電器件、傳感器等多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，可適用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷、水晶、石英、玻璃等材料的劃切加工工藝。據(jù)光力科技介紹，目前已有多家客戶批量使用公司的劃片機(jī)進(jìn)行碳化硅晶圓的切割。

宇環(huán)數(shù)控：碳化硅設(shè)備處于研發(fā)階段

宇環(huán)數(shù)控主要從事數(shù)控磨削設(shè)備及智能裝備的研產(chǎn)銷，主要產(chǎn)品為數(shù)控磨床、數(shù)控研磨拋光機(jī)、智能裝備系列、配件及其他。作為數(shù)控磨削設(shè)備的專業(yè)提供商，宇環(huán)數(shù)控有可用于以碳化硅為代表的半導(dǎo)體材料加工的磨削和研磨拋光設(shè)備，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體材料的磨削和拋光等工序。

進(jìn)展方面，2月8日，宇環(huán)數(shù)控在發(fā)布的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中指出，應(yīng)用于碳化硅不同加工工序的磨拋設(shè)備要求有較大差異，根據(jù)應(yīng)用要求和技術(shù)開發(fā)進(jìn)展，公司碳化硅設(shè)備處于研發(fā)或技術(shù)指標(biāo)驗(yàn)證階段，產(chǎn)品尚未取得客戶訂單。（化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理）

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