研發(fā)方面，鍇威特表示，公司截止三季度的研發(fā)費用投入總計達2,768萬元，同比增長了70.26%，研發(fā)投入占前三季度內(nèi)營收的16.95%，同比增加7.68個百分點，研發(fā)投入增長系公司加大了功率IC和SiC MOSFET等新品研發(fā)投入。其中，在SiC功率器件方面，公司將在現(xiàn)有設(shè)計及工藝平臺基礎(chǔ)上，圍繞新能源汽車、光伏發(fā)電應(yīng)用領(lǐng)域等，展開產(chǎn)品系列化研發(fā)及可靠性改善提升的研究，不斷豐富產(chǎn)品系列。

技術(shù)方面，鍇威特表示，公司在超高壓平面MOSFET、高壓超結(jié)MOSFET、SiC MOSFET等方面已取得深厚技術(shù)積累，超高壓平面MOSFET最高耐壓已達1700V，同時具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計能力，產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段，可用于新能源汽車領(lǐng)域。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

產(chǎn)品方面，鍇威特表示，公司SiC功率器件已順利實現(xiàn)產(chǎn)品布局，進入產(chǎn)業(yè)化階段，針對SiC功率器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計和生產(chǎn)工藝進行不斷探索和研發(fā)投入，已推出650V-1700V SiC MOSFET產(chǎn)品系列。未來，公司還將進一步促進第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)落地與技術(shù)升級。

資料顯示，鍇威特成立于2015年，專注于智能功率半導(dǎo)體器件與功率集成芯片設(shè)計、研發(fā)和銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制及高可靠領(lǐng)域，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復(fù)高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。

2023年8月18日，鍇威特在上海證券交易所科創(chuàng)板正式掛牌上市。

鍇威特2023年第三季度報告顯示，公司2023年第三季度營收約3005.32萬元，同比減少46.40%，主要系本報告期下游市場需求下滑所致；歸屬于上市公司股東的凈利潤約-752.22萬元，同比減少168.84%，主要系公司銷量有所下降、研發(fā)費用增長所致。

目前，盡管鍇威特業(yè)績表現(xiàn)不佳，但隨著其SiC功率器件進入產(chǎn)業(yè)化階段，疊加新能源汽車、光伏能源、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展帶動SiC功率器件需求上漲，鍇威特有望迎來業(yè)績拐點。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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同花順

根據(jù)招股說明書，鍇威特本次擬登陸上交所科創(chuàng)板，擬公開發(fā)行股票數(shù)量不超過1,842.1053萬股（不含采用超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量），且不低于發(fā)行后總股本的25%。

鍇威特本次擬募集資金約5.3億元，用于智能功率半導(dǎo)體研發(fā)升級項目、SiC功率器件研發(fā)升級項目、功率半導(dǎo)體研發(fā)工程中心升級項目、補充營運資金。

鍇威特

其中，智能功率半導(dǎo)體研發(fā)升級項目主要涉及公司的主營產(chǎn)品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）等系列產(chǎn)品的技術(shù)升級、工藝制程優(yōu)化及部分新品類的研發(fā)及規(guī)?；慨a(chǎn)。

功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超結(jié)MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品；功率IC包括高壓高速柵極驅(qū)動IC、高功率密度電源管理IC產(chǎn)品。

該項目實施旨在繼續(xù)加強公司在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)積淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產(chǎn)品的領(lǐng)先優(yōu)勢，挖掘高性能智能功率半導(dǎo)體的發(fā)展?jié)摿?，打造全系列產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新平臺，致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。

SiC功率器件研發(fā)升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工藝優(yōu)化、器件升級及SiC功率模塊的規(guī)模化量產(chǎn)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。

與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。

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鍇威特成立于2015年，專注于智能功率半導(dǎo)體器件與功率集成芯片。

鍇威特是上市公司甘化科工的參股公司。據(jù)甘化科工在2021年年報，鍇威特在2021年共實現(xiàn)營業(yè)收入2.10億元，同比2020年的1.32億增長了59.29%；凈利潤為4,356.17萬元，同比成功扭虧。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司2019年、2020年、2021年營收分別為1.07億元、1.37億元、2.10億元;同期對應(yīng)的歸母凈利潤分別為933.81萬元、-1966.86萬元、4847.72萬元。

2017年至今，鍇威特完成了多輪融資，投資方包括大唐電信、國經(jīng)資本、光榮資產(chǎn)、招商資本、邦盛資本、禾望電氣、悅豐金創(chuàng)、張家港金茂創(chuàng)投。

據(jù)介紹，公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制及高可靠領(lǐng)域，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復(fù)高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。

SiC方面，鍇威特自2018年下半年開始研發(fā)SiC功率器件，積極布局第三代半導(dǎo)體，掌握了“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術(shù)”等核心技術(shù)，形成了“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等發(fā)明專利儲備。

目前鍇威特SiC功率器件產(chǎn)品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD，目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四個電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列，SiC SBD已形成600V-1200V電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列。公司是國內(nèi)為數(shù)不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計能力的企業(yè)之一，產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）

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