source：鎵仁半導(dǎo)體

11月29日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年10月，鎵仁半導(dǎo)體在氧化鎵晶體的直拉法生長(zhǎng)與電學(xué)性能調(diào)控方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，成功生長(zhǎng)出2英寸N型氧化鎵單晶并制備出2英寸晶圓級(jí)N型(010)晶面氧化鎵單晶襯底，襯底平均電阻率＜30mΩ·cm，電阻率均勻性＜5%。

據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體致力于直拉法氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)的研發(fā)，于今年相繼完成2英寸UID和半絕緣直拉晶體的技術(shù)突破，并成功解決了（010）晶面襯底加工技術(shù)難題，成為目前唯一的2英寸（010）晶面襯底產(chǎn)品供應(yīng)商。

在2英寸UID和半絕緣直拉法晶錠的中試階段，鎵仁半導(dǎo)體通過(guò)工藝革新，提高放肩和等徑生長(zhǎng)的穩(wěn)定性，于近期實(shí)現(xiàn)一次成晶的技術(shù)，從而克服Sn摻高揮發(fā)的缺陷，成功制備出導(dǎo)電型氧化鎵單晶。

資料顯示，在氧化鎵單晶襯底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表現(xiàn)而備受青睞。（010）晶面熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；（010）晶面外延容許生長(zhǎng)速率最快，符合產(chǎn)業(yè)化需求；并且基于（010）晶面制備的器件性能相較于其它晶面更為優(yōu)異。

國(guó)內(nèi)廠商方面，9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。

國(guó)外廠商方面，10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學(xué)近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標(biāo)。FOX采用了無(wú)貴金屬單晶生長(zhǎng)技術(shù)，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當(dāng)?shù)摩?氧化鎵襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導(dǎo)體自主研發(fā)并對(duì)外銷(xiāo)售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化鎵專(zhuān)用長(zhǎng)晶爐已進(jìn)線，而且在現(xiàn)有基礎(chǔ)上對(duì)工藝進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化。

鎵仁半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)夏寧表示，垂直布里奇曼法是全球公認(rèn)的氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)，而鎵仁半導(dǎo)體是目前國(guó)內(nèi)唯一能提供此類(lèi)設(shè)備的供應(yīng)商。

官網(wǎng)資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，目前坐落于杭州市蕭山區(qū)機(jī)器人小鎮(zhèn)，是一家專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體材料（氧化鎵等第四代半導(dǎo)體）研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。

鎵仁半導(dǎo)體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等。產(chǎn)品主要應(yīng)用于面向國(guó)家電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，9月20日，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布其首臺(tái)氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求，還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù)。

今年以來(lái)，鎵仁半導(dǎo)體持續(xù)在氧化鎵技術(shù)方面取得突破。4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷；7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底；9月上旬，鎵仁半導(dǎo)體宣布成功研制超薄6英寸氧化鎵襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長(zhǎng)6英寸氧化鎵單晶

據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，2024年10月，鎵仁半導(dǎo)體利用自主研發(fā)的第二代鑄造法技術(shù)，成功生長(zhǎng)出超厚6英寸氧化鎵單晶，晶錠厚度可達(dá)20mm以上。

source：鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)悉，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，可有效降低氧化鎵單晶襯底成本。

鎵仁半導(dǎo)體指出，公司采用鑄造法生成的產(chǎn)品，在同等直徑下，單晶晶錠厚度是導(dǎo)模法（EFG）晶錠厚度的2-3倍。單個(gè)晶錠出片量可以達(dá)到原有的3-4倍，單片成本較原來(lái)可降低70%以上。與此同時(shí)，提高氧化鎵單晶晶錠厚度，更有利于制備各種晶向以及斜切角度的大尺寸襯底。

據(jù)了解，因可以實(shí)現(xiàn)大的晶體尺寸、低的缺陷密度、大的生長(zhǎng)速度以及高的晶體質(zhì)量，導(dǎo)模法（EFG）常被業(yè)界采用制備氧化鎵。日本公司NCT采用導(dǎo)模法結(jié)合氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)已實(shí)現(xiàn)2英寸、4英寸襯底和外延的批量化供應(yīng)。

而鎵仁半導(dǎo)體則采用了鑄造法，并于2023年8月制備出了4英寸氧化鎵單晶。集邦化合物半導(dǎo)體了解到，該鑄造法有兩個(gè)優(yōu)勢(shì)：一是采用了熔體法新路線，生長(zhǎng)過(guò)程可控性增加，減少了貴金屬使用，降低了成本；二是生成的氧化鎵為柱狀晶，應(yīng)用場(chǎng)景增多。

此外，制造氧化鎵單晶的方法還有垂直布里奇曼法（VB）。2023年底，NCT通過(guò)垂直布里奇曼法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶；今年10月，鎵仁半導(dǎo)體采用垂直布里奇曼法成功生長(zhǎng)出2英寸氧化鎵單晶。

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

昨（29）日，富加鎵業(yè)宣布，公司研制了MBE外延片，并與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目器件團(tuán)隊(duì)合作，制備出了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件。

富加鎵業(yè)表示，應(yīng)用公司分子束外延技術(shù)（MBE）制備的氧化鎵外延片產(chǎn)品，采用非故意摻雜層與Sn摻雜層復(fù)合的雙層外延結(jié)構(gòu)，襯底材料為半絕緣型（010）Fe摻雜氧化鎵，主要應(yīng)用于橫向功率器件。常規(guī)產(chǎn)品摻雜層載流子濃度為1-4E17cm-3，遷移率＞80cm2/V·s，表面粗糙度＜2 nm。

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目合作器件團(tuán)隊(duì)對(duì)該進(jìn)行了初步流片驗(yàn)證，后續(xù)富加鎵業(yè)將根據(jù)器件反饋結(jié)果，對(duì)外研產(chǎn)品進(jìn)行新一輪迭代。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法，確保晶體生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過(guò)該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過(guò)工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級(jí)，以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。

除了在設(shè)備領(lǐng)域有動(dòng)作，鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進(jìn)展。

今年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。

6月底，鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議，雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合，用碳化硅出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足，同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。

7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。

8月，鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。

9月上旬，鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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鎵仁半導(dǎo)體表示，本輪融資資金的注入，不僅是對(duì)公司技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)前景的高度認(rèn)可，更為公司的未來(lái)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的資金保障。

同時(shí)，隨著與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂，公司將進(jìn)一步深化與金融機(jī)構(gòu)的合作，共同探索科技與金融深度融合的新模式、新路徑，為公司的持續(xù)快速發(fā)展注入新的活力。

據(jù)悉，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。

技術(shù)進(jìn)展方面，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。

2024年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。

2024年7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。（來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體）

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據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的廠商。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。

技術(shù)進(jìn)展方面，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。

2024年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。

融資方面，今年4月，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資，本輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，禹泉資本、毅嶺資本跟投，融資資金將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化鎵的鍵合，用SiC出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足，同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。

據(jù)了解，本次合作是將第三代半導(dǎo)體材料與第四代半導(dǎo)體材料進(jìn)行融合研發(fā)的戰(zhàn)略合作。

官網(wǎng)資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專(zhuān)注于超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的廠商。

技術(shù)研發(fā)方面，鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，擁有國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利十余項(xiàng)，突破了美國(guó)、德國(guó)、日本等西方國(guó)家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。

產(chǎn)品方面，鎵仁半導(dǎo)體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等，主要應(yīng)用于面向國(guó)家電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。目前，鎵仁半導(dǎo)體已掌握從設(shè)備開(kāi)發(fā)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、晶體生長(zhǎng)、晶體加工等全鏈條的核心技術(shù)，可提供完全具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵襯底。

今年4月9日，鎵仁半導(dǎo)體宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。鎵仁半導(dǎo)體指出，在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)：（010）襯底熱導(dǎo)率較高，有利于提升功率器件性能；（010）襯底還具有較快的外延生長(zhǎng)速率。

邁姆思則于2022年在蘇州工業(yè)園區(qū)建立公司總部作為生產(chǎn)中心，用于大規(guī)模量產(chǎn)SOI晶圓和開(kāi)發(fā)新的晶圓材料。邁姆思在國(guó)外已經(jīng)研究開(kāi)發(fā)SOI晶圓材料超過(guò)15年，并在技術(shù)上取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在SOI加工領(lǐng)域高級(jí)工藝技術(shù)的空白。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn)，使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導(dǎo)通電阻、器件尺寸和更高的轉(zhuǎn)換效率，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件，在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。此外，與目前火熱的碳化硅相比，氧化鎵的大硅片相對(duì)容易制造，有利于降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)量，市場(chǎng)潛力大。

鎵仁半導(dǎo)體指出，在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。

值得一提的是，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導(dǎo)體也借此成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

如今鎵仁半導(dǎo)體再次推出新產(chǎn)品——2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，對(duì)國(guó)內(nèi)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫國(guó)際壟斷起正面作用。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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6英寸非故意摻雜（上）與導(dǎo)電型（下）氧化鎵單晶（source：鎵仁半導(dǎo)體）

鎵仁半導(dǎo)體表示，基于上述成果，其也成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體是一家專(zhuān)注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。
鎵仁半導(dǎo)體指出，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：第一，鑄造法成本低，由于貴金屬I(mǎi)r的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；第二，鑄造法簡(jiǎn)單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；第三，鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，中國(guó)和美國(guó)專(zhuān)利已授權(quán)，為突破國(guó)外技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

公開(kāi)資料顯示，氧化鎵是一種超寬禁帶材料，超越了目前已經(jīng)商用器件的禁帶寬度，達(dá)到了4.2電子伏特以上，也有人稱(chēng)之為第四代半導(dǎo)體材料。相比于以碳化硅，氧化鎵的制造成本較低。
就氧化鎵襯底方面來(lái)看，日本的NCT目前占據(jù)領(lǐng)先地位。但隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)制備氧化鎵襯底的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能提升，總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢(shì)，后續(xù)有望獲取更多氧化鎵市場(chǎng)。

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據(jù)悉，氧化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物。作為第四代半導(dǎo)體的代表，氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大（4.8 eV）、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高（8MV/cm）、導(dǎo)通特性幾乎是碳化硅的10倍、材料生長(zhǎng)成本低于第三代半導(dǎo)體等優(yōu)勢(shì)，未來(lái)有望在通信、雷達(dá)、航空航天、高鐵動(dòng)車(chē)、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。

目前，各國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)正爭(zhēng)先恐后布局氧化鎵。其中，中國(guó)已經(jīng)成長(zhǎng)為一股不可忽視的力量。

據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，根據(jù)AnA Patent對(duì)韓國(guó)、中國(guó)、美國(guó)、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國(guó)家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專(zhuān)利分析，截至2021年9月共有1011件專(zhuān)利，其中中國(guó)擁有328件，日本擁有專(zhuān)利313件，兩國(guó)專(zhuān)利數(shù)量占總數(shù)的50%以上；而2021年9月至2022年11月新增的460件專(zhuān)利中，也大部分來(lái)自中國(guó)（240件）和日本（87件）。

今年以來(lái)，中國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域也不斷取得突破：

2月，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

同月，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平；

3月，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。

此次獲得融資的鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。據(jù)了解，鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）

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