8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目合作協(xié)議。
長飛先進第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等... [詳內文]
超200億元！這個第三代半導體功率器件項目落地武漢 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 功率 |