source：長飛先進

據(jù)介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預(yù)計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長飛先進官微此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長飛先進武漢基地外，還有2個碳化硅芯片/模塊項目披露了最新進展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個項目投資10-15億元，分兩期實施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source:光谷融媒體中心

據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。

該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設(shè)。今年6月，項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。
按照原計劃，項目將于2025年1月設(shè)備搬入，2025年7月量產(chǎn)通線，2026年年底達到滿產(chǎn)。截止目前項目最新動態(tài)顯示，項目提前了2個月的進度。

值得一提的是，長飛先進武漢碳化硅基地加速建設(shè)的同時，其在蕪湖的第三代半導(dǎo)體項目也迎來了新進展。

10月29日，據(jù)蕪湖市生態(tài)局披露的建設(shè)項目環(huán)評審批公告顯示，安徽長飛先進將對其位于蕪湖市弋江區(qū)的第三代半導(dǎo)體項目進行改造，具體內(nèi)容為：

對現(xiàn)有研發(fā)方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導(dǎo)體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導(dǎo)體芯片進行研發(fā)工藝的改進，提高研發(fā)產(chǎn)品的質(zhì)量，優(yōu)化研發(fā)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，研發(fā)產(chǎn)能保持不變。

據(jù)悉，該項目由長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負責(zé)。項目于2017年6月動工建設(shè)，2021年完成自主驗收，公司后續(xù)在2022年對項目進行了擴產(chǎn)。（來源：湖北日報、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：長飛先進

據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

日前，長飛先進的晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實現(xiàn)封頂。

據(jù)介紹，10月開始，長飛先進武漢基地將迎來首批設(shè)備搬入，并于2025年6月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。

長飛先進專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前，長飛先進產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場景。（來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：長飛先進

作為長飛先進本次合作方，懷柔實驗室是國家級新型科研事業(yè)單位，是能源領(lǐng)域重要科技力量，面向清潔低碳安全高效能源體系構(gòu)建和“碳達峰、碳中和”戰(zhàn)略目標，開展戰(zhàn)略性、前瞻性、基礎(chǔ)性科學(xué)技術(shù)研究，加速關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新突破和重大科研成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用。

長飛先進與懷柔實驗室合作，將共同探索、推動碳化硅功率器件在風(fēng)電、光伏、儲能、電力電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域的研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化進程，推動能源綠色低碳轉(zhuǎn)型。

長飛先進加快碳化硅合作

圍繞碳化硅功率器件，除與懷柔實驗室合作外，長飛先進此前還與國內(nèi)汽車廠商奇瑞達成戰(zhàn)略合作。

去年10月，長飛先進與奇瑞汽車舉辦了“汽車芯片聯(lián)合實驗室”戰(zhàn)略合作簽約儀式。雙方將在車規(guī)級芯片及其汽車應(yīng)用技術(shù)、市場開發(fā)等領(lǐng)域展開廣泛合作，助力國產(chǎn)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

與奇瑞汽車合作，長飛先進進一步拓展其碳化硅業(yè)務(wù)在新能源汽車領(lǐng)域布局。在碳化硅加速“上車”趨勢下，長飛先進和奇瑞汽車合作，能夠根據(jù)市場和客戶的需求，不斷調(diào)整車用碳化硅芯片的技術(shù)開發(fā)、迭代和演進，產(chǎn)出更具競爭力的碳化硅芯片產(chǎn)品以及相關(guān)車型。

目前，長飛先進產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的碳化硅MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景，其中1200V 15mΩ碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場景。

而與懷柔實驗室合作，長飛先進有望借助該科研機構(gòu)在碳化硅技術(shù)方面的研究進展，進一步提升自身的碳化硅技術(shù)研發(fā)水平，并推動其碳化硅業(yè)務(wù)向更多領(lǐng)域滲透。

碳化硅廠商產(chǎn)學(xué)研合作進展

目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)學(xué)研合作已蔚然成風(fēng)，僅在近期，就有清純半導(dǎo)體與悉智科技達成戰(zhàn)略合作、恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于碳化硅的牽引逆變器等案例，除了廠商之間的攜手合作，碳化硅相關(guān)廠商與科研機構(gòu)之間的合作也有利好消息傳出。

2023年以來，除長飛先進與懷柔實驗室簽約外，清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子于2023年3月在蘇州吳江區(qū)正式簽約，共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，旨在推動碳化硅技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運用，加速第三代半導(dǎo)體碳化硅在新能源車產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開發(fā)。

安森德半導(dǎo)體與南方科技大學(xué)合作共建的“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”于今年3月1日在南科大微電子學(xué)院正式揭牌。

作為一家專注于模擬芯片和系統(tǒng)級芯片設(shè)計的公司，安森德半導(dǎo)體產(chǎn)品覆蓋功率器件、模擬芯片和SiP系統(tǒng)級芯片三大類產(chǎn)品線。從產(chǎn)品端看，安森德半導(dǎo)體旗下已有1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

此外，賓夕法尼亞州立大學(xué)在今年4月宣布，其已和摩根先進材料公司簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進碳化硅的研發(fā)。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟（SCIA）的創(chuàng)始成員，并向賓夕法尼亞州立大學(xué)提供碳化硅開發(fā)所需的石墨材料和解決方案，供內(nèi)部和外部合作伙伴使用。

據(jù)了解，碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟（SCIA）是一個由行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、學(xué)術(shù)機構(gòu)和政府支持組成的聯(lián)盟，致力于開發(fā)碳化硅晶體技術(shù)和培養(yǎng)相關(guān)勞動人才。

至信微電子與清華大學(xué)合作、安森德半導(dǎo)體與南方科技大學(xué)合作、摩根公司與賓夕法尼亞州立大學(xué)合作，都有利于企業(yè)借助高校優(yōu)質(zhì)的研究資源，推動自身在技術(shù)和項目等方面更進一步。

小結(jié)

從業(yè)務(wù)拓展的角度來看，碳化硅相關(guān)廠商攜手合作已成為大趨勢，合作對象則包括企業(yè)、研究機構(gòu)、高校等各類主體。隨著市場競爭日趨激烈，廠商更有可能通過技術(shù)升級提升競爭力，與科研院所的合作力度有望加大。

從合作內(nèi)容來看，長飛先進、至信微電子、安森德半導(dǎo)體等國內(nèi)廠商與科研院所合作，大多聚焦碳化硅功率器件環(huán)節(jié)。目前，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)進展較快，而在器件方面，意法半導(dǎo)體、英飛凌等國際廠商仍占據(jù)主導(dǎo)地位，為加速國產(chǎn)替代，相關(guān)廠商希望攜手科研院所實現(xiàn)突圍。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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長飛先進武漢基地正式封頂

6月19日，據(jù)長飛先進官微消息顯示，年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進武漢基地日前正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂。

source：長飛先進

據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。

接下來，項目將進入塔樓內(nèi)部裝修及裙樓主體結(jié)構(gòu)施工階段，預(yù)計明年7月量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。

長飛先進專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前，長飛先進產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場景。

晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項目將于2026年投產(chǎn)

6月17日，據(jù)溫嶺發(fā)布官微消息顯示，晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項目用地近日成功出讓。項目總用地面積達14755平方米，由溫嶺新城開發(fā)區(qū)下屬國有企業(yè)負責(zé)廠房建設(shè)。

據(jù)悉，去年5月，晶能微電子與溫嶺新城開發(fā)區(qū)成功簽約車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地項目，項目共分兩期實施建設(shè)。其中，一期擴建項目于2023年12月28日開工，主要建設(shè)一條車規(guī)級Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線，目前已進入設(shè)備進場及調(diào)試階段，將于本月正式投產(chǎn)。投產(chǎn)后，預(yù)計每年可生產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品。

二期項目主要用于開展MEMS、IC等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，同時將一期產(chǎn)線整體遷入新建廠房。項目計劃于今年三季度開工建設(shè)，并于2026年投產(chǎn)。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于新能源領(lǐng)域的芯片設(shè)計與模塊創(chuàng)新,為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供功率產(chǎn)品和服務(wù)。

近年來，晶能微電子持續(xù)強化功率半導(dǎo)體封測業(yè)務(wù)布局。去年8月，據(jù)晶能微電子官微消息，其擬與錢江摩托簽署協(xié)議，投資1.23億元收購后者持有的益中封裝100%股權(quán)。益中封裝主要做單管先進封裝，年產(chǎn)能3.6億只。收購?fù)瓿珊?，晶能微電子產(chǎn)品版圖實現(xiàn)對殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，該項目位于湖北省武漢市，總建筑面積約25.15萬平米，建成后預(yù)計年產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓36萬片、功率器件模塊6100萬個，將覆蓋新能源汽車、光儲充、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。

作為該項目主導(dǎo)方，長飛先進去年5月明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。項目方面，長飛先進去年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。一個月后，長飛先進半導(dǎo)體武漢基地開工。該項目總投資預(yù)計200億元，一期投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等，一期項目預(yù)計2025年建設(shè)完成。

產(chǎn)品方面，長飛先進擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計及工藝平臺，15mΩ產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。此外，長飛先進基于該平臺的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達80%。

合作方面，據(jù)透露，長飛先進正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實驗室，計劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

作為SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造廠商，長飛先進具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力，可年產(chǎn)6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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長飛先進武漢基地項目預(yù)計明年7月投產(chǎn)

近日，據(jù)“湖北新聞”透露，長飛先進武漢基地項目預(yù)計今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達產(chǎn)后預(yù)計可年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬個功率器件模塊。

該項目進度方面，2023年8月，長飛先進半導(dǎo)體與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。一個月后，長飛先進半導(dǎo)體武漢基地開工。當(dāng)時消息，該項目總投資預(yù)計200億元，一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。一期項目預(yù)計2025年建設(shè)完成。

值得一提的是，2023年5月，長飛先進半導(dǎo)體明確提出“All?in?SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面發(fā)力SiC賽道。當(dāng)年7月，長飛先進半導(dǎo)體SiC戰(zhàn)略項目（KO）A樣品達到預(yù)期設(shè)計目標，標志著長飛先進半導(dǎo)體擁有車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力。

據(jù)了解，長飛先進擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計及工藝平臺，15mohm產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。除此之外，長飛先進基于該平臺的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達80%。

2023年12月，長飛先進首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進入試產(chǎn)階段，標志著長飛先進已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。

此外，據(jù)長飛先進SiC產(chǎn)品部總經(jīng)理胡學(xué)清此前透露，長飛先進正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實驗室，計劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

嘉盛半導(dǎo)體蘇州封測新基地計劃年底竣工

近日，據(jù)“蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布”消息，嘉盛先創(chuàng)科技（蘇州）有限公司（以下簡稱嘉盛先創(chuàng)科技）新建集成電路封裝測試生產(chǎn)項目廠房、辦公樓等于近期完成主體封頂，二次結(jié)構(gòu)施工及外圍護施工等工作正加快推進。

據(jù)悉，該項目占地面積100畝，規(guī)劃廠房面積約14萬平方米，主要專注于SiC、GaN、汽車電子等先進封裝。該基地分兩期投資建設(shè)，其中一期于2022年8月開工，計劃于今年年底竣工，2025年初試運營，將成為嘉盛半導(dǎo)體蘇州封測新基地。

資料顯示，嘉盛半導(dǎo)體成立于1972年，總部位于馬來西亞，是一家半導(dǎo)體封裝與測試供應(yīng)商。嘉盛半導(dǎo)體（蘇州）有限公司成立于2002年3月，量產(chǎn)生產(chǎn)開始于2004年，廠房面積56000平方米。2022年2月，嘉盛先創(chuàng)科技在蘇相合作區(qū)注冊成立，注冊資本8000萬美元。嘉盛半導(dǎo)體（蘇州）有限公司和嘉盛先創(chuàng)科技均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全資控股。

摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目簽約

3月27日，浙江省嘉興國家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行?；顒蝇F(xiàn)場，2個總投資超50億元的瓷新半導(dǎo)體材料總部項目、摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目完成簽約。

值得一提的是，不久前，嘉興國家高新區(qū)還簽約另一個SiC項目。今年2月消息，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目簽約。該項目由晶能微電子與星驅(qū)技術(shù)團隊共同出資設(shè)立，重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。

該項目總投資約10億元，投資建設(shè)年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套，投產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值約12.5億元。

據(jù)晶能微電子CEO潘運濱透露，該項目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設(shè)晶圓和模塊生產(chǎn)線基礎(chǔ)上，聯(lián)合合作伙伴，針對新的市場需求和產(chǎn)品類型做的新一輪擴產(chǎn)投資。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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未來，雙方將充分發(fā)揮各自領(lǐng)域的技術(shù)和資源優(yōu)勢，在車規(guī)級芯片及其汽車應(yīng)用技術(shù)、市場開發(fā)等領(lǐng)域展開廣泛合作，助力國產(chǎn)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司成立于2018年1月，專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

奇瑞汽車芯片技術(shù)院負責(zé)人郭宇輝表示：“為了更好地滿足未來新能源汽車的需求，以及確保我們 具備面向新型功率控制系統(tǒng)的應(yīng)用開發(fā)、創(chuàng)新及評價能力，車企和芯片廠商必須加強合作，集合雙方力量推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展?！?/p>

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

長飛先進總裁陳重國指出：“碳化硅在新能源汽車主驅(qū)逆變器中的應(yīng)用目前還未實現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn)，需要芯片廠商與車企深度結(jié)合，根據(jù)客戶需求不斷調(diào)整碳化硅芯片的技術(shù)開發(fā)、迭代及演進?！?/p>

今年已有不少車企通過投資或者與SiC企業(yè)合作的方式涉足SiC領(lǐng)域。但新能源車普遍存在著續(xù)航短、充能時間長、電車驅(qū)動效率低等問題，不過隨著相關(guān)技術(shù)不斷發(fā)展以及“雙碳”的大背景下，新能源車依舊是未來汽車的發(fā)展方向。SiC作為新一代半導(dǎo)體材料，在高壓高功率領(lǐng)域相對于Si有著更出彩的表現(xiàn)和上限，能彌補電車不足。

然而受制于SiC的制作難度較大，SiC企業(yè)的產(chǎn)量很難滿足車企的需求。

據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

新能源車向著高壓發(fā)展的趨勢和不斷擴大的SiC功率元件市場，都推動著車企涉足SiC功率元件領(lǐng)域。

車企想要進入SiC元件領(lǐng)域，目前有三種方式：自研、合作、投資。相比于投入大、周期長、回報率不確定的自研模式來說，合作與投資模式風(fēng)險較小且門檻較低。車企想要掌握SiC相應(yīng)的技術(shù)，最優(yōu)選擇是和SiC企業(yè)進行合作。車企以及SiC企業(yè)成立實驗室或者共同出資成立新公司的方式進行合作，對雙方來說風(fēng)險較小而收益高。

未來，雙方將充分發(fā)揮各自領(lǐng)域的技術(shù)和資源優(yōu)勢，在車規(guī)級芯片及其汽車應(yīng)用技術(shù)、市場開發(fā)等領(lǐng)域展開廣泛合作，助力國產(chǎn)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

車企與SiC企業(yè)合作將成為車企涉足SiC功率元件領(lǐng)域的主流方式。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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資料顯示，長飛先進成立于2018年，是一個專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有產(chǎn)線設(shè)備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力

長飛先進可年產(chǎn)6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。我們致力于提供高品質(zhì)的服務(wù)，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。

此前7月，長飛先進正式宣布完成超38億元A輪股權(quán)融資，融資規(guī)模創(chuàng)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體私募股權(quán)融資規(guī)模歷史之最，并刷新2023年以來半導(dǎo)體私募股權(quán)融資市場單筆最大融資規(guī)模記錄。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

長飛先進本次A輪融資新增投資方包括光谷金控、富浙、中平資本、中建材新材料產(chǎn)業(yè)基金、中金資本旗下基金（中金上汽、中金瑞為、中金知行、中金啟合）、海通并購基金、國元金控集團旗下基金（國元股權(quán)、國元基金、國元創(chuàng)新）、魯信創(chuàng)投、東風(fēng)資產(chǎn)、建信信托、十月資本、華安嘉業(yè)、中互智云、寶樾啟承、云岫資本等。

一代材料一代應(yīng)用，SiC自身的材料特性決定了其在高壓高功率領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢，SiC功率器件相對Si基器件效率更高、尺寸更小，在新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域快速滲透，有助于“雙碳”目標的實現(xiàn)，也是高速成長的藍海市場。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的重要代表細分領(lǐng)域之一，未來在新能源汽車等行業(yè)具有廣闊且高成長性的發(fā)展應(yīng)用潛力。長飛先進稱，將錨定公司戰(zhàn)略持續(xù)加強產(chǎn)品研發(fā)、提升制造工藝、擴充產(chǎn)能規(guī)模、強化客戶開發(fā)、優(yōu)化人才團隊，不斷夯實行業(yè)領(lǐng)先地位。

同時，長飛先進當(dāng)時表示，已啟動位于“武漢·中國光谷”的第二基地建設(shè)，項目一期投資規(guī)模超60億元，項目總投資預(yù)計超過200億元。項目一期將于2025年建設(shè)完成，屆時將成為國內(nèi)碳化硅產(chǎn)能最大(年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓)、封裝產(chǎn)線齊全、以及包含外延生長和前沿創(chuàng)新中心的一體化新高地。

（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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項目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資60億元，其中包括約人民幣36億元的股權(quán)融資及約人民幣24 億元的銀行貸款。

項目將建設(shè)第三代半導(dǎo)體外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線。建設(shè)完畢后將形成年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬個功率器件模塊的能力。同時，項目將建設(shè)第三代半導(dǎo)體科技創(chuàng)新中心，用于跟進第三代半導(dǎo)體國際前沿技術(shù)并開發(fā)第三代半導(dǎo)體器件先進工藝。

圖片來源：長飛先進

另值得注意的是，長飛先進與長飛光纖、月海二號、光谷產(chǎn)業(yè)基金、太赫茲投資中心、太赫茲投資基金、中建材新材料基金、嘉興國玶、長飛科創(chuàng)基金、富浙富創(chuàng)、富浙資通、中金上汽、上海申和、杭州大和、月海一號、嘉興臨瀾、中金瑞為、皖能海通、魯信創(chuàng)投、方正和生、東風(fēng)資產(chǎn)、山東高新創(chuàng)投等簽署A輪增資協(xié)議及A輪股東協(xié)議，參與對長飛先進的增資。

長飛光纖與長飛先進股東蕪湖海沃簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，擬出資人民幣15,444.16萬元購買其所持長飛先進所有股份；與長飛先進股東蕪湖澤灣貳號簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，擬出資人民幣6,435.07萬元購買其所持長飛先進所有股份。

本次交易完成后，長飛光纖直接持有的長飛先進股權(quán)將下降至22.9008%，且無法任命超過半數(shù)的董事會成員，長飛先進將不再納入上市公司合并報表范圍，成為長飛光纖的合營公司。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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