鴻海入局氧化鎵
近期媒體報(bào)道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能。
本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結(jié)果展示出優(yōu)異的電性表現(xiàn)，這一突破性技術(shù)除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性，并顯著降低電阻。
論文詳細(xì)闡述了這種新型Ga2O3 PN二極體的制作過程和性能特征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，該元件具有4.2 V的開啟電壓和900 V的擊穿電壓，展現(xiàn)出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。
資料顯示，氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料代表，具備禁帶寬度大、臨界擊穿場強(qiáng)高、導(dǎo)通特性好（幾乎是碳化硅的10倍）、材料生長成本低等優(yōu)勢，這些特性使得氧化鎵特別適用于電動汽車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等高功率應(yīng)用場景。
鴻海認(rèn)為，氧化鎵將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化硅競爭。展望未來，鴻海研究院表示，隨著氧化鎵技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領(lǐng)域中有更廣泛應(yīng)用。
氧化鎵技術(shù)不斷突破
資料顯示，當(dāng)前日本、美國與中國對氧化鎵領(lǐng)域的研究較為積極。
日本相關(guān)廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了4英寸與6英寸氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，2023年底，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。
美國Kyma科技公司在氧化鎵基片、外延晶片和器件的生產(chǎn)上具有優(yōu)勢，并且與美國國防部達(dá)成緊密的合作關(guān)系。
我國同樣也在加速布局氧化鎵，并取得了一系列重要研究成果。
去年2月，中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶，技術(shù)達(dá)到了國際一線水平。
去年10月，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司實(shí)現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。
今年3月，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。同年7月，鎵仁半導(dǎo)體制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。
今年4月，媒體報(bào)道廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得重要進(jìn)展。
在β-Ga2O3薄膜生長方面，研究團(tuán)隊(duì)利用分子束外延技術(shù)（MBE）實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長，并通過改變反應(yīng)物前驅(qū)體和精密控制生長參數(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了β-Ga2O3外延薄膜的均勻生長和優(yōu)良的晶體質(zhì)量，有力地推動了β-Ga2O3薄膜的高質(zhì)量異質(zhì)外延的發(fā)展。同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)還通過對MBE外延生長過程中的β-Ga2O3薄膜生長機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)探究，揭示了其成核、生長的差異性，并建立了相對應(yīng)的外延生長機(jī)理模型圖。據(jù)悉，β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡單二元組成，帶隙可調(diào)，制備工藝簡單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。
另外，該研究團(tuán)隊(duì)在MBE異質(zhì)外延β-Ga2O3生長機(jī)制的基礎(chǔ)上，結(jié)合半導(dǎo)體光電響應(yīng)原理，探究了異質(zhì)外延β-Ga2O3薄膜日盲光電探測器的性能指標(biāo)。研究團(tuán)隊(duì)利用臭氧作為前驅(qū)體所制備的金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)日盲光電探測器表現(xiàn)出7.5 pA的暗電流、1.31×107的光暗電流比、1.31×1015 Jones的比檢測率和 53 A/W的光響應(yīng)度，表現(xiàn)出相當(dāng)優(yōu)異的對日盲紫外光的探測性能。
氧化鎵材料MBE異質(zhì)外延生長機(jī)理研究和材料表征分析圖
圖片來源：電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院官網(wǎng)
來源：全球半導(dǎo)體觀察
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]]>鴻騰表示，公司海外擴(kuò)張計(jì)劃主要優(yōu)先考慮核心客戶的需求，以及“3+3”策略發(fā)展電動車、聲學(xué)及人工智能物聯(lián)網(wǎng)（5G AIoT）領(lǐng)域。其中，1.5億美元用于印度子公司，5000萬美元用于越南子公司，另有2億美元?jiǎng)t為年初宣布的德國車用線束廠并購案做準(zhǔn)備。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
此前，在股東會上，鴻海董事長劉揚(yáng)偉表示公司未來三年將聚焦電動車、低軌衛(wèi)星、半導(dǎo)體三大領(lǐng)域。
電動車方面，2025年市占率達(dá)5%、產(chǎn)業(yè)營收規(guī)模達(dá)到一萬億元新臺幣、出貨量為每年50-75萬臺。劉揚(yáng)偉稱今年10月18日將舉辦第三屆鴻?？萍既?，除了展示出量產(chǎn)版的model C之外，也會有兩部全新、會讓大家耳目一新的車款亮相。
半導(dǎo)體方面，立下三大目標(biāo)，包含自有車用關(guān)鍵IC量產(chǎn)、自有車用小IC涵蓋90%規(guī)格、車用小IC足量不缺料供應(yīng)等，要成為首家能提供電動車（EV）與信息通信領(lǐng)域（ICT）客戶不缺料半導(dǎo)體方案的系統(tǒng)廠。
其中，車載充電器碳化硅預(yù)計(jì)2023年量產(chǎn)，車用微處理器（MCU）2024年投片，自駕光達(dá)（LiDAR）則預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)，自有車用小IC也會涵蓋90%規(guī)格。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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]]>根據(jù)目前榮創(chuàng)資料顯示，鴻海集團(tuán)通過寶鑫國際投資，擁有榮創(chuàng)兩席法人董事，代表人分別是董事暨總經(jīng)理黃郁良，以及董事張登凱，不過榮創(chuàng)今年公告的改選名單卻顯示，張登凱已改為用自然人身分擔(dān)任董事，至于黃郁良則未在提名名單上，也就是說，鴻海旗下寶鑫國際投資，已退出榮創(chuàng)董事會，改為單純投資持股關(guān)系。
榮創(chuàng)今年提名七席董事，其中原本是四席董事加上三席獨(dú)董，今年提名名單改為三席董事加上四席獨(dú)董，三席現(xiàn)任董事與三席獨(dú)立董事提名續(xù)任，董事包含榮創(chuàng)董事長方榮熙、董事莊宏仁、董事張登凱，獨(dú)立董事則包含留溪鶴、游象燉與杜武青，并新增一任王淑蘭。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
面板大廠群創(chuàng)近期公告董事候選人名單中，鴻海集團(tuán)也未在董事會推派代表名單，此舉外界解讀鴻海是19年來首度撤出群創(chuàng)董事會，鴻海陸續(xù)退出面板、LED布局，市場議論鴻海正在加速調(diào)整轉(zhuǎn)投資布局，強(qiáng)化汰弱留強(qiáng)。
榮創(chuàng)是鴻海集團(tuán)過去LED布局的重要伙伴，鴻海為布局MicroLED，轉(zhuǎn)投資公司夏普2017年便攜手泛鴻海集團(tuán)的群創(chuàng)、榮創(chuàng)等3家公司，收購研發(fā)MicroLED面板的美國新創(chuàng)公司eLux。
除鴻海外，日本LED大廠日亞化也是榮創(chuàng)過去大股東，但日亞化已在2019年解除持股榮創(chuàng)。
榮創(chuàng)為臺灣地區(qū)SMDLED封裝廠，第一季營收8.85億元（新臺幣，下同），季減6.8%、年減42.3%，毛利率19.4%，季增1.5%、年增7.54%，營益率4.07%，季減0.61%，年增2.01%，稅后純益4756萬元，季增21.9%、年增48.6%，每股純益0.33元。（來源：鉅亨網(wǎng)）
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