鴻鎵科技攜手日本電信集團(tuán)子公司NTT-AT，將GaN快充導(dǎo)入日本市場(chǎng)販?zhǔn)?，為中?guó)臺(tái)灣地區(qū)第一家GaN廠商與日本大廠合作; 雙方持續(xù)擴(kuò)大合作領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)新款100W GaN快充，估計(jì)2024年問(wèn)世。未來(lái)將會(huì)與手機(jī)大廠一同開(kāi)發(fā)，將GaN功率元件導(dǎo)入旗下品牌快充、積極跨進(jìn)國(guó)際市場(chǎng)。

在半導(dǎo)體技術(shù)部分，鴻鎵亦積極搶進(jìn)。隨著AI、電動(dòng)車、低軌衛(wèi)星應(yīng)用，半導(dǎo)體元件全面導(dǎo)入10nm以下先進(jìn)制程，然而在封裝過(guò)程中，將遇到嚴(yán)重靜電效應(yīng)，生產(chǎn)良率降低等問(wèn)題。鴻鎵科技推出全新領(lǐng)先全球耐高溫300°C、具高耐磨特性的抗靜電技術(shù)，不僅可應(yīng)用于GaN封裝制程良率提升，同時(shí)為先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵抗靜電鍍膜于半導(dǎo)體封裝模具及治具，實(shí)現(xiàn)可平面、立體鍍膜成果（圖來(lái)源：鴻鎵科技）

鴻鎵科技指出，公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力半導(dǎo)體新材料研發(fā)。最新一代抗靜電技術(shù)，可于金屬材料表面形成一層致密、耐高溫的抗靜電層，于表面生成高耐磨且壽命長(zhǎng)的納米級(jí)鍍膜，精準(zhǔn)控制表面電阻值在10?到10? Ω區(qū)間，有效防止靜電的累積。該技術(shù)不僅在生產(chǎn)過(guò)程中提供可靠的防御，還能確保半導(dǎo)體設(shè)備在使用中不會(huì)受到靜電的影響，提高產(chǎn)品可靠度，以及延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

鴻鎵進(jìn)一步分析，此抗靜電技術(shù)除特性優(yōu)于現(xiàn)有抗靜電技術(shù)外，且不受尺寸限制，因此成本相較于現(xiàn)有抗靜電鍍膜技術(shù)具競(jìng)爭(zhēng)力，并可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的各制程，包括制造、封裝和測(cè)試等環(huán)節(jié); 目前已送樣封測(cè)大廠測(cè)試中，預(yù)估今年在先進(jìn)鍍膜業(yè)績(jī)，便會(huì)迅速看到成長(zhǎng)。

來(lái)源：臺(tái)灣中時(shí)新聞網(wǎng)

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