圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年以來，除士蘭微外，還有長光華芯、三安光電、格芯、X-fab等多家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商獲得了不同金額的政府補助。

其中，長光華芯在9月9日發(fā)布公告稱，公司及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元，其中與收益相關(guān)的政府補助1117.40萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補助10萬元。

三安光電在10月7日發(fā)布公告稱，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達披露標準的政府補助款約1040萬元。

12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（約7000萬人民幣）的聯(lián)邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

隨后在12月5日，據(jù)外媒報道，美國《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補助，其中將向比利時X-fab公司運營的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元（約3.65億人民幣）補助。

對于企業(yè)而言，獲得政府補助有多個方面的積極意義。補助資金可以作為企業(yè)的收入來源，增加利潤，帶來財務(wù)層面的積極影響；同時，補助資金可以用于市場拓展活動，幫助企業(yè)提升品牌知名度和市場份額，也可以用于支持新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)，推動技術(shù)創(chuàng)新，增強市場競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

股東信息顯示，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司由盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱：盛美上海）全資持股。

官網(wǎng)資料顯示，盛美上海成立于2005年，是一家半導(dǎo)體設(shè)備制造商，主要產(chǎn)品有單晶圓及槽式濕法清洗設(shè)備、電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備、前道涂膠顯影設(shè)備及PECVD設(shè)備等。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年下半年已有多家碳化硅器件、設(shè)備相關(guān)廠商通過成立新公司，進一步拓展業(yè)務(wù)布局。

其中，時代電氣旗下中車時代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車時代半導(dǎo)體有限公司，注冊資本3.1億人民幣，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

揚杰科技于11月1日全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。

中微公司等于11月22日成立了超微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，注冊資本4250萬人民幣，經(jīng)營范圍為半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售、電子專用設(shè)備銷售、專用設(shè)備修理。

宏微科技等于11月26日成立了上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設(shè)備銷售、電力電子元器件銷售等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

公開資料顯示，吉盛微前身是盛吉盛精密技術(shù)（寧波）有限公司碳化硅事業(yè)部。吉盛微致力于SiC材料、SiC基聚焦環(huán)、簇射極板及晶圓舟等碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵設(shè)備的零部件和耗材的研發(fā)、生產(chǎn)制造，在產(chǎn)業(yè)鏈上位于中、上游，目前已經(jīng)完成了刻蝕、擴散、外延、快速熱處理等多個工藝的零部件、耗材開發(fā)。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2023年2月，在上海舉行的2023武漢招商引資推介大會上，吉盛微武漢碳化硅項目簽約落地武漢經(jīng)開區(qū)，總投資約15億元。2023年3月，吉盛微（武漢）新材料科技有限公司在武漢經(jīng)開區(qū)注冊成立。同年12月，吉盛微武漢碳化硅制造基地在武漢經(jīng)開綜合保稅區(qū)正式投產(chǎn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，2024以來，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈已有近50家企業(yè)獲得融資，遍及材料、器件、設(shè)備等各個細分賽道，將共同推動碳化硅產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更大的發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：上海驕成

資料顯示，驕成超聲成立于2007年，聚焦超聲波技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用，面向半導(dǎo)體、新能源、醫(yī)療醫(yī)美等多個行業(yè)提供整體解決方案。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，驕成超聲主要產(chǎn)品包括超聲波鍵合機、超聲波掃描顯微鏡（SAM/SAT）、Pin針超聲波焊接機、半導(dǎo)體端子超聲波焊接機等。其中超聲波鍵合機、Pin針焊接機和端子焊接機是半導(dǎo)體封測工序的關(guān)鍵設(shè)備，超聲波掃描顯微鏡（C-SAM/SAT）則廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓、芯片、2.5D/3D封裝、IGBT模塊/SiC器件、基板（陶瓷DBC/金屬板AMB）等產(chǎn)品的檢測。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，檢測技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和升級，新的檢測方法和設(shè)備的出現(xiàn)，使得檢測更加高效、準確。近期，碳化硅產(chǎn)品檢測細分領(lǐng)域熱度持續(xù)上漲，廠商動作頻頻。

11月20日，據(jù)中導(dǎo)光電官微消息，中導(dǎo)光電近期成功獲得國內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅晶圓缺陷檢測設(shè)備訂單。

近日企查查披露信息顯示，創(chuàng)銳光譜已完成近億元Pre-A輪融資，由光速光合領(lǐng)投，老股東君聯(lián)資本跟投，融資資金將主要用于技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴容。創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體光譜檢測設(shè)備，產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體晶圓檢測設(shè)備等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：港交所

據(jù)了解，天域半導(dǎo)體成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。2010年，天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所，成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。

融資方面，天眼查顯示，從2021年7月至今，天域半導(dǎo)體共完成四輪融資，每次均收獲重量級投資方。其中，2021年7月獲華為哈勃投資天使輪融資；2022年6月獲比亞迪、上汽集團入股。目前，天域半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本、晨道資本、東莞大中和申能欣銳等。

在業(yè)務(wù)方面，天域半導(dǎo)體指出，2024年公司開始量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片，并與海外領(lǐng)先的整合器件制造商(IDM)汽車客戶就8英寸碳化硅外延片達成戰(zhàn)略合作。source：天域半導(dǎo)體產(chǎn)能方面，截止到2024年10月31日，天域半導(dǎo)體6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為42萬片。

據(jù)悉，天域半導(dǎo)體現(xiàn)有的東莞生產(chǎn)基地，主要專注于生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。公司還購置了位于東莞市生態(tài)園生產(chǎn)工廠的一塊土地，并已開始在該地塊上興建新生產(chǎn)基地，未來將包括辦公區(qū)、工廠、研發(fā)樓、宿舍及其他配套設(shè)施。天域半導(dǎo)體預(yù)計其正在擴產(chǎn)的新生態(tài)園生產(chǎn)基地將于2025年內(nèi)增加約38萬片碳化硅外延片的年度計劃產(chǎn)能，使公司的年度計劃總產(chǎn)能達至約800,000片碳化硅外延片。

此外，天域半導(dǎo)體還表示，根據(jù)實際需求，其初步計劃在東南亞擴大產(chǎn)能，以更好地服務(wù)公司的海外客戶。營收方面，天域半導(dǎo)體的收入由2021年的人民幣月1.55億元增長至2022年的人民幣4.37億元元，并進一步增長至2023年的人民幣11.71億元。

此外，公司的毛利由2021年的人民幣2420萬元增長至2022年的人民幣8750萬元，并進一步增長至2023年的人民幣2.17億元，復(fù)合年增長率為199.2%。

本次申請港股上市，天域半導(dǎo)體計劃將IPO募集所得資金凈額將有以下用途：

1.一部分預(yù)計將于未來五年內(nèi)用于擴張公司的整體產(chǎn)能，從而提升天域半導(dǎo)體的市場份額及產(chǎn)品競爭力，包括：采購設(shè)備，擴張產(chǎn)線；完成基地建設(shè)；招聘人才。

2.一部分預(yù)計將于未來五年內(nèi)用于提升公司的自主研發(fā)及創(chuàng)新能力，以提高產(chǎn)品質(zhì)量及縮短新產(chǎn)品的開發(fā)周期，從而更迅速地回應(yīng)市場需求。

3.一部分預(yù)計將用于戰(zhàn)略投資及/或收購，以擴大客戶群豐富公司的產(chǎn)品組合及補充公司的技術(shù)，從而實現(xiàn)天域半導(dǎo)體的長遠發(fā)展策略。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，2024年以來碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域共產(chǎn)生15起收并購動態(tài)，其中包括涉資數(shù)十億元的大動作。這一系列收并購事件，都有什么特點，又有哪些共性，這些案例都對相關(guān)企業(yè)產(chǎn)生了什么樣的影響，筆者將在下文逐一解讀。

碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域收并購事件一覽

從交易金額來看，在這15起并購案當中，已披露的最大交易額為58.97億元，出現(xiàn)在新芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州72.33%股權(quán)事件中。交易完成后，芯聯(lián)越州將成為芯聯(lián)集成全資子公司。

分廠商地域分布來看，國內(nèi)企業(yè)主導(dǎo)的收并購案例較少，包括思瑞浦收購創(chuàng)芯微85.26%股份、中瓷電子收購國聯(lián)萬眾5.3971%股份、芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州72.33%股份以及友阿股份收購尚陽通控股權(quán)。

上述4起交易完成后，被收購方都將成為收購方的全資或控股子公司。其中，思瑞浦、中瓷電子、芯聯(lián)集成主導(dǎo)的并購，交易雙方同為產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)，而友阿股份收購尚陽通控股權(quán)，更多的是百貨企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域的一次跨界布局。

剩下的11起并購案主角均為國際廠商，其中包括PI、Kymera、格芯、Guerrilla、Nisene、MACOM、安森美均為美國企業(yè)，X-FAB、愛思強為德國企業(yè)，BluGlass為澳大利亞廠商，瑞薩電子則為日本企業(yè)。

相比于國內(nèi)廠商基本圍繞公司股權(quán)進行收并購，國際廠商的收并購大多數(shù)都是聚焦技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、市場拓展或者產(chǎn)能提升中的某一個方面。

從產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看，這些收并購案例分布在材料、器件、設(shè)備等各個領(lǐng)域。其中，材料環(huán)節(jié)包括Kymera收購Fiven，設(shè)備領(lǐng)域僅有愛思強收購生產(chǎn)基地，其他大部分動態(tài)的主角都是器件相關(guān)廠商，或與器件企業(yè)直接面對終端應(yīng)用，市場需求變化更加活躍有關(guān)。

碳化硅產(chǎn)業(yè)收并購水花尚小

整體來看，這15起并購案當中，僅僅只涉及碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)的案例相對較少，包括Kymera收購碳化硅材料廠商Fiven、印度Polymatech收購美國公司Nisene、芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余股權(quán)、友阿股份籌劃收購尚陽通控股權(quán)、安森美收購Qorvo的SiC JFET技術(shù)業(yè)務(wù)。

這幾起圍繞碳化硅的收購，芯聯(lián)集成是為了實現(xiàn)對芯聯(lián)越州的全資控股，友阿股份也是為了控股尚陽通，其他案例都是收購方為了擴充產(chǎn)品線或拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域而進行的并購，且相關(guān)廠商的業(yè)務(wù)整合并沒有在產(chǎn)業(yè)內(nèi)激起多大水花，對市場競爭格局影響較小。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，未來幾年碳化硅整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約668億人民幣）。

當前，伴隨著新能源汽車、光儲充等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅加速滲透，市場能見度較高，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商均積極把握市場發(fā)展的機遇，尋求進一步拓展業(yè)務(wù)。

在終端應(yīng)用需求增長的驅(qū)動下，全球碳化硅功率器件大廠紛紛在各地投資建廠，帶動襯底/外延企業(yè)配套進行產(chǎn)能擴充以及設(shè)備廠商出貨量增長。在此背景下，2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈整體仍然維持上行趨勢，產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力尚不明顯，整合洗牌的力度較小。

雖然目前碳化硅玩家收并購動作并不多，但隨著競爭日趨激烈，特別是已有廠商曝出了破產(chǎn)清算的消息，產(chǎn)業(yè)或?qū)⒃诓痪玫膶聿饺胂磁坪椭亟M階段。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)已步入整合期

反觀氮化鎵領(lǐng)域，收并購事件發(fā)生頻率更高，2024年的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收并購案例大部分都涉及氮化鎵相關(guān)業(yè)務(wù)，主導(dǎo)方包括BluGlass、思瑞浦、PI、瑞薩電子、格芯、MACOM等，而部分被并購企業(yè)在業(yè)內(nèi)擁有更大的影響力，包括Transphorm、Odyssey等。氮化鎵領(lǐng)域，行業(yè)洗牌的力度顯然更大，即使是頭部企業(yè)，也避免不了被并購的命運。

得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性，氮化鎵技術(shù)近年來迅速滲透進入消費電子市場，具體而言，氮化鎵已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用，并正在向可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源產(chǎn)品延伸。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，預(yù)估2030年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模有望上升至43.76億美元（約318.75億人民幣）。

目前，碳化硅的應(yīng)用探索正在朝高壓、大功率方向發(fā)展，氮化鎵作為碳化硅的有力競爭者，在低壓、低功率快充市場被大規(guī)模采用后，未來發(fā)展目標也瞄準了高壓、高功率應(yīng)用市場。

但與在消費電子市場的快速發(fā)展相比，氮化鎵在高壓高功率市場的應(yīng)用進展較緩，不如預(yù)期，這就導(dǎo)致部分廠商經(jīng)營狀況不佳。其中，美國一家同樣押注垂直GaN技術(shù)的企業(yè)NexGen Power Systems已在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉。

成本、供應(yīng)鏈成熟度等問題在一定程度上制約了氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模在短期內(nèi)的爆發(fā)。盡管部分廠商嘗試降低氮化鎵功率器件的制造成本，但整體成本仍然較高；氮化鎵的供應(yīng)鏈生態(tài)和產(chǎn)能、技術(shù)仍不夠成熟，面對新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等應(yīng)用場景，氮化鎵的供應(yīng)鏈成熟度和技術(shù)可靠性仍有待提升。

氮化鎵市場體量較小，而短期內(nèi)的發(fā)展阻力卻較大，有限的資源將更多流向重磅玩家，產(chǎn)業(yè)并購整合的趨勢將進一步明朗。

總結(jié)

2024年碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)的十多起收并購進展，盡管影響力大小不一，但對企業(yè)和行業(yè)發(fā)展都有一定的促進作用。

其中，思瑞浦、PI、Kymera、瑞薩電子、格芯、Guerrilla、Polymatech、MACOM、安森美通過并購整合，進一步拓寬了自身的技術(shù)路線布局或產(chǎn)品線，有利于拓展新的應(yīng)用場景或市場，也在一定程度上推動了相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

中瓷電子與芯聯(lián)集成都通過股權(quán)收購，使得被收購對象成為了旗下全資子公司，通過全資控股，雙方將在內(nèi)部管理、工藝平臺、供應(yīng)鏈等方面實現(xiàn)更深層次的整合，有望更好地實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。

BluGlass與愛思強都通過并購進一步強化了生產(chǎn)制造能力，為未來將出現(xiàn)的市場需求提前做好產(chǎn)能準備。

作為一家碳化硅晶圓代工廠，X-FAB通過收購M-MOS獲得了芯片設(shè)計能力，實現(xiàn)了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，這也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大趨勢。目前，部分碳化硅襯底廠商業(yè)務(wù)布局正在向器件、設(shè)備等領(lǐng)域延伸，而部分設(shè)備廠商則通過自研設(shè)備殺入襯底賽道，未來，擁有IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局優(yōu)勢的玩家更有可能立于不敗之地。

而友阿股份對尚陽通的并購，是企業(yè)跨界布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的又一個案例。當前，碳化硅產(chǎn)業(yè)盡管競爭越來越激烈，但仍然足夠吸引新玩家入局，企業(yè)跨界布局的腳步從未停歇，收并購的好戲也將持續(xù)上演。

展望2025年，碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)在收并購方面注定將不會風(fēng)平浪靜。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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資料顯示，創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體光譜檢測設(shè)備，主營業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體工業(yè)檢測和科學(xué)研究兩大領(lǐng)域。其中，工業(yè)檢測級產(chǎn)品主要包括第三代半導(dǎo)體晶圓檢測設(shè)備、光伏面板光學(xué)檢測設(shè)備以及LED和激光芯片檢測設(shè)備等系列產(chǎn)品。

在碳化硅晶圓缺陷檢測方面，創(chuàng)銳光譜開發(fā)了襯底/外延位錯缺陷無損檢測、點缺陷檢測、高速載流子壽命檢測等多種專用設(shè)備，解決了碳化硅襯底位錯缺陷無損檢測的難題。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，2024年以來，已有謙視智能、蓋澤科技、優(yōu)睿譜、驛天諾、矽視科技、國科測試、睿勵科學(xué)儀器、忱芯科技、創(chuàng)銳光譜9家碳化硅量檢測設(shè)備相關(guān)廠商完成新一輪融資。

當前，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷擴產(chǎn)潮，碳化硅材料、器件相關(guān)項目建設(shè)正在如火如荼的進行中。隨著材料、器件規(guī)劃產(chǎn)能的不斷提升，在產(chǎn)線上發(fā)揮重要作用的量檢測設(shè)備相關(guān)需求水漲船高，背后的各大廠商將持續(xù)獲得紅利，進而獲得更多資本加持。

在設(shè)備國產(chǎn)替代的趨勢下，未來包括量檢測設(shè)備廠商在內(nèi)的國產(chǎn)碳化硅設(shè)備廠商有望傳出更多完成新一輪融資的利好消息。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：青禾晶元

據(jù)了解，目前，可用于MOSFET制造的無缺陷襯底（即“高質(zhì)量”襯底）的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長和提純過程中產(chǎn)生的低等級襯底（即“低質(zhì)量”襯底）通常被作為陪片甚至廢料處理，導(dǎo)致高質(zhì)量SiC襯底的生產(chǎn)成本較高，通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。

為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復(fù)合襯底，通過表面活化鍵合技術(shù)和離子注入剝離技術(shù)，將高質(zhì)量SiC薄層鍵合轉(zhuǎn)移到低質(zhì)量單晶SiC襯底上，實現(xiàn)了低質(zhì)量單晶SiC襯底有效使用，每個高質(zhì)量SiC晶圓可重復(fù)使用超過30次（即每個高質(zhì)量晶圓可以產(chǎn)生超過30個薄層），預(yù)計成本降低40%。

據(jù)觀察，復(fù)合襯底已成為碳化硅乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大技術(shù)突破方向，已吸引部分廠商涉足，除青禾晶元外，達波科技近期也披露了碳化硅復(fù)合襯底相關(guān)進展。

達波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復(fù)合襯底生產(chǎn)線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。

據(jù)悉，碳化硅基壓電復(fù)合襯底是一種由碳化硅和其他材料復(fù)合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點。這種材料在多個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別是在電子、光電和機械行業(yè)中。

在電子行業(yè)，碳化硅基壓電復(fù)合襯底被廣泛應(yīng)用于制造高功率LED和功率器件，其優(yōu)異的導(dǎo)熱性能可以有效降低設(shè)備的溫度，提高設(shè)備的壽命和可靠性；在光電行業(yè)中，碳化硅基壓電復(fù)合襯底用于制造太陽能電池板和激光器，其高硬度和高熱導(dǎo)率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：長飛先進

據(jù)介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預(yù)計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長飛先進官微此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長飛先進武漢基地外，還有2個碳化硅芯片/模塊項目披露了最新進展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個項目投資10-15億元，分兩期實施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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環(huán)球晶圓表示，補助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計劃。美國商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項專案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項補助。

此外，作為獎勵條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國臺灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過一線大廠認證。針對碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國臺灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿載后，出于對美國德州電費和土地成本的考量，公司不排除在德州進行長晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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