氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導率、高擊穿電壓、化學穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領域具有廣闊的應用前景。
目前，功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境，并正在逐步向各類應用... [詳內(nèi)文]
機器人，氮化鎵下一個風口？ |
| 作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN |
