據介紹，微蕓科技于2021年成立，是一家專注于第三代化合物半導體的半導體設備制造商。2023年2月，微蕓科技完成數千萬元A輪融資，由諾延資本領投，臨芯資本跟投。

微蕓科技僅用兩年時間就完成了ICP和CCP刻蝕設備的研發(fā)，并且獲得了重復訂單。目前公司在硅、碳化硅、二氧化硅、氮化硅、砷化鎵、磷化銦等多種材料的刻蝕上都有比較成熟的整套工藝和設備方案。并預計將在2024年第一季度完成針對氮化鎵材料的原子層刻蝕設備研發(fā)。

ICP等離子刻蝕設備（source:微蕓科技）

來源：據諾延資、集邦化合物半導體整理

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