公開資料顯示,Clas-SiC于2017年6月成立,是一家致力于碳化硅(SiC)功率半導體制造的開放式晶圓代工廠。該公司提供加速工藝研發(fā)和器件快速上市服務,并支持工藝和器件開發(fā)、取樣、直徑150 mm晶圓的中批量生產(chǎn)。
據(jù)外媒報道,Clas-SiC正在與幾家公司討論以技術合作伙伴的身份在印度建立一座或多座SiC功率半導體晶圓廠。
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據(jù)了解,該提案中涉及金額為7億美元,Zoho的預算約為2億美元(折合人民幣約14.5億元),并希望州和印度當局再提供5億美元或6億美元(折合人民幣約36.2億元~43.5億元)資助,以建造200mm晶圓廠。
Zoho Corp.的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Sridhar Vembu在近日參加活動期間表示:“我們已經(jīng)申請了許可證,正在等待政府批準。一旦獲得批準,我們將發(fā)布正式公告?!?/p>
當被問及Clas-SiC將向Zoho提供制造工藝技術時,Clas-SiC首席財務官Scott Forrest表示:“我們正在與幾家公司討論在印度開展SiC制造業(yè)務。但由于討論的機密性,無法確認任何公司的名字?!?/p>
除了Clas-SiC,其他向印度政府申請生產(chǎn)SiC許可證的公司包括總部位于欽奈的Archean Chemical Industries的子公司SiCSem,以及總部位于美國的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics。(文:集邦化合物半導體Morty編譯)
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]]>Zoho成立于1996年,目前總部位于印度泰米爾納德邦,為150個國家的企業(yè)提供軟件和相關服務。
此次Zoho考慮生產(chǎn)化合物半導體,并尋求印度政府的激勵措施,印度電子信息技術部負責推動印度芯片計劃的小組正審查該提案。
資料顯示,化合物半導體是指由兩種或兩種以上不同元素的原子組成的半導體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)半導體相比,化合物半導體通常具有更高的電子遷移率、更寬的能帶隙以及更好的熱穩(wěn)定性和輻射耐受性等特性,適用于對高速度、高頻率、高溫環(huán)境和高效率有特殊要求的應用場合?;衔锇雽w材料種類繁多,碳化硅與氮化鎵是代表產(chǎn)品,目前二者在消費電子與電動汽車的應用備受關注。
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近年印度積極推動芯片組裝和本地化生產(chǎn),旨在成為全球半導體市場的重要參與者。業(yè)界指出,印度芯片計劃旨在通過加大投資、尋求國際合作、建設基礎設施和培養(yǎng)人才等方式,提升該國在全球半導體產(chǎn)業(yè)中的地位和競爭力。
今年2月印度批準了一項總投資達1.26萬億盧比(152億美元)的半導體制造投資計劃,涉及晶圓廠與芯片封裝領域,其中包括塔塔集團與力積電合作的印度首家晶圓廠。據(jù)悉,該晶圓廠預計每月可生產(chǎn)5萬片晶圓,涵蓋28nm、40nm、55nm、90nm、110nm多種成熟節(jié)點,目標是每年為各種細分市場生產(chǎn)30億顆芯片,包括高功率計算機、電動汽車、電信和電力電子產(chǎn)品。(來源:全球半導體觀察)
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