昨日（12/19）,美國分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設(shè)備供應(yīng)商Riber宣布，MBE 8000平臺(tái)已獲得美國外延生產(chǎn)商的最終認(rèn)證通過。
圖片來源：Riber
據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有的外延設(shè)備，MBE 8000設(shè)備性能突出，生產(chǎn)效率翻倍，產(chǎn)能可提升50%。另值得關(guān)注的是，由于元件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)幾何、過程控制等相同，MBE 8000操作簡易，且能夠確保在最短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)工藝轉(zhuǎn)移。
此外，在VCSEL型結(jié)構(gòu)及0.8-8μm大小的顆粒上經(jīng)過30次以上的測量，MBE 8000的缺陷密度均小于50個(gè)顆粒/㎡。而本次獲得外延生廠商的最終認(rèn)證，也證明了這款設(shè)備在工藝、耐用性、穩(wěn)定性、人類工程學(xué)及控制等方面皆有不錯(cuò)的表現(xiàn)。
因其技術(shù)的靈活性，MBE 8000設(shè)備可匹配VCSEL、晶體管、感測器等對(duì)均勻性、再現(xiàn)性及穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用場景的需求。
另外，Riber日前還表示，其亞洲工業(yè)應(yīng)用客戶訂購了兩臺(tái)MBE 6000s多片機(jī)。這款設(shè)備將主要用于生產(chǎn)移動(dòng)通訊用的HEMT外延片，射頻及光通訊設(shè)備用的銻基光電器件等。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny編譯）
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