天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱時代電氣）公開一項“一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車”專利，申請公布號CN117220562A，申請日期為2023年8月30日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車，高壓SiC電機控制器中，上蓋板和下蓋板分別連接箱體頂部和底部，下蓋板內(nèi)設(shè)有支撐電容，支撐電容延伸至箱體內(nèi)；濾波器設(shè)置在箱體側(cè)部，分別與高壓線束和支撐電容連接；SiC模塊設(shè)置在箱體底部，分別與支撐電容和三相連接組件Ⅰ的輸入端連接，三相連接組件Ⅰ的輸出端與三相連接組件Ⅱ的輸入端連接，三相連接組件Ⅱ的輸出端與電機連接；驅(qū)動板設(shè)置在SiC模塊上部，SiC模塊與驅(qū)動板連接；控制板設(shè)置在驅(qū)動板上部，控制板與驅(qū)動板之間設(shè)有屏蔽板，控制板與驅(qū)動板進(jìn)行線束連接。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)緊湊、裝配簡單、體積小巧且密封性能好等優(yōu)點。
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值得一提的是，時代電氣去年還取得多項SiC相關(guān)專利，包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”。
其中，“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”專利授權(quán)公告號CN112701151B，授權(quán)公告日為2022年5月6日。
該專利摘要顯示，本公開提供一種SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。該方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉積生長掩膜層；刻蝕所述掩膜層，在所述掩膜層上形成第一刻蝕槽；再次刻蝕所述掩膜層，在所述第一刻蝕槽內(nèi)形成第二刻蝕槽；通過第一刻蝕槽和第二刻蝕槽構(gòu)成的離子注入窗口，注入第一高能離子，形成階梯狀形貌的阱區(qū)；注入第二高能離子，形成源區(qū)。本公開通過階梯狀形貌的離子注入窗口，來實現(xiàn)自對準(zhǔn)工藝，可以非常精確的實現(xiàn)對溝道長度和位置的控制，工藝簡單穩(wěn)定。同時，形成階梯狀形貌的P阱區(qū)，擴展了兩個P阱區(qū)之間的JFET區(qū)，增大了JFET區(qū)電流橫向輸出路徑，進(jìn)一步提升器件大電流密度輸出能力。
此外，“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”專利授權(quán)公告號CN112713199B，授權(quán)公告日為2022年10月11日。
該專利摘要顯示，本公開提供一種碳化硅肖特基二極管及其制備方法。該二極管包括：第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底、位于所述襯底上方的第一導(dǎo)電類型漂移層、位于所述漂移層上方的第二導(dǎo)電類型阻擋層和位于所述阻擋層上方的第一導(dǎo)電類型過渡層，所述過渡層包括用于設(shè)置所述肖特基二極管的結(jié)勢壘區(qū)和位于所述結(jié)勢壘區(qū)兩側(cè)的結(jié)終端保護(hù)區(qū)。本公開通過在SiC JBS漂移層上形成導(dǎo)電類型相反的碳化硅阻擋層，在不增加正向?qū)娮璧那疤嵯?，解決了SiC JBS反向漏電過大的問題，特別是反向偏壓低電壓時，肖特基反向漏電隨電壓增長而快速增大的問題。
目前，時代電氣正在大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時代電氣在去年4月發(fā)布的公告，時代電氣控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資46160萬元人民幣（最終投資金額以實際投資金額為準(zhǔn)）實施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目，通過本項目實施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實現(xiàn)應(yīng)用示范。
而在今年7月，時代電氣在互動平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。同時，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗證階段，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。（來源：天眼查，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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