2024年以來，SiC產(chǎn)業(yè)延續(xù)了2023年的火熱態(tài)勢，企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產(chǎn)能建設(shè)等方面忙得不亦樂乎，各大廠商頻頻有利好消息傳出。
在投資擴(kuò)產(chǎn)大旗下，2024年以來已有超30個項目披露了新進(jìn)展，或簽約、或開工、或封頂、或投產(chǎn)，各個項目都在積極推進(jìn)當(dāng)中，不斷為SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。
這數(shù)十個項目中，不乏投資上百億的大手筆，彰顯了相關(guān)企業(yè)對于自身以及整個SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的信心。
新項目占據(jù)半壁江山
在新能源汽車、光儲充等市場需求推動下，SiC功率器件用量持續(xù)走高，前景光明。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。
盡管SiC功率器件市場規(guī)模將持續(xù)增長，但其仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)，擴(kuò)產(chǎn)順理成章，在市場大蛋糕吸引下，眾多SiC相關(guān)廠商紛紛加入投資擴(kuò)產(chǎn)行列。2024年以來，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，有十多個SiC相關(guān)項目簽約落地或進(jìn)行環(huán)評公示，這些項目都在進(jìn)行開工前準(zhǔn)備工作。
從投資規(guī)模來看，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目、賽達(dá)半導(dǎo)體SiC外延項目、連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目、摩珂達(dá)SiC項目、江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項目總投資額均在10億元（含）以上。其中，摩珂達(dá)SiC項目將投資超50億元，成為規(guī)模方面的領(lǐng)頭羊。
從產(chǎn)能來看，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套，賽達(dá)半導(dǎo)體SiC外延項目2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年，普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片，東尼電子擴(kuò)建SiC項目將年產(chǎn)20萬片SiC襯底，江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項目（一期）將年產(chǎn)40萬片SiC襯底，這些項目在產(chǎn)能方面成為佼佼者。
從內(nèi)容來看，這些新落地項目覆蓋SiC產(chǎn)業(yè)鏈大部分環(huán)節(jié)，部分新項目聚焦襯底/外延環(huán)節(jié)，這是SiC功率器件生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，也是能夠快速有效實現(xiàn)降本增效的部分，包括天睿半導(dǎo)體項目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目等。
其中，天睿半導(dǎo)體項目將新建8英寸SiC和GaN晶圓廠，并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。
部分新項目致力于生產(chǎn)SiC功率器件/模塊，包括臻驅(qū)半導(dǎo)體SiC功率模塊項目、揚杰科技SiC模塊封裝項目、愛矽科技車規(guī)級SiC模塊封裝產(chǎn)品項目等。其中，揚杰科技是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。
這些新項目當(dāng)中，連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目是少有的SiC設(shè)備相關(guān)項目。該項目擬投資不超過10.5億元，規(guī)劃建設(shè)SiC長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
在SiC設(shè)備方面，連城數(shù)控于2020年底開始對SiC晶體生長爐進(jìn)行研發(fā)立項，2021年9月開始對SiC等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項。2023年上半年，連城數(shù)控取得了多項技術(shù)研發(fā)成果，如創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法SiC長晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺訂單、SiC立式感應(yīng)合成爐科研成果通過專家團(tuán)鑒定等。
巨頭云集，項目建設(shè)熱火朝天
2024年以來，已開工、正在積極建設(shè)中的項目同樣數(shù)量眾多、各具特色。其中，三責(zé)新材南通二期高精度高純度半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件項目于3月15日開工，作為九峰山實驗室重大配套工程的武漢新城化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項目則于5月6日開工。
同時，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、湖南三安半導(dǎo)體基地項目二期、重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目、天科合達(dá)SiC項目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項目建設(shè)取得新進(jìn)展。
其中，湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程在今年1月已進(jìn)入廠房裝修后期階段，總投資為80億元，全面達(dá)產(chǎn)后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能；2月初，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項目B1棟封頂，規(guī)劃總投資70億元，規(guī)劃年產(chǎn)能為8英寸SiC襯底48萬片；作為今年以來少有的傳出新進(jìn)展的國際廠商項目，耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。
這些正在積極推進(jìn)的項目，大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面，天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目投資額達(dá)80億元，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸SiC外延片，總產(chǎn)能達(dá)150萬片/年，第一期預(yù)計在今年4月開始投產(chǎn)?；诖隧椖?，天域半導(dǎo)體有望成為國內(nèi)較早實現(xiàn)8英寸量產(chǎn)的企業(yè)之一。
器件方面，長飛先進(jìn)武漢基地項目預(yù)計今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)。該項目總投資預(yù)計200億元，一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。
2024年內(nèi)，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、嘉興斯達(dá)SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目、天科合達(dá)SiC項目二期等有望竣工投產(chǎn)，為SiC材料及器件領(lǐng)域發(fā)展注入新動力。
產(chǎn)能可觀，多個項目進(jìn)入量產(chǎn)前夜
在2023年的緊張建設(shè)后，部分項目在2024年迎來了驗收或投產(chǎn)的高光時刻，包括重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地、同光股份SiC襯底和粉體項目、斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目、智新科技SiC模塊項目二期等。
其中，重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地于2月27日正式啟用。該項目總投資32.7億元，重點布局6英寸SiC單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。
今年3月，同光股份旗下的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收。該項目自2017年啟動規(guī)劃，歷時七年，于2024年3月順利完成驗收，意味著該項目全面投入生產(chǎn)已無障礙。
與此同時，斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目正處于試生產(chǎn)階段，該項目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)240萬套SiC半橋模塊的生產(chǎn)能力。在SiC產(chǎn)品加速上車趨勢下，該項目有望成為斯科半導(dǎo)體業(yè)績增長新引擎。
總結(jié)
SiC材料的供應(yīng)緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發(fā)展的主要因素之一，國內(nèi)外SiC相關(guān)廠商順勢開啟了洶涌的擴(kuò)產(chǎn)潮，并延續(xù)到了2024年，賽達(dá)半導(dǎo)體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠商圍繞襯底外延材料，紛紛開啟了年產(chǎn)能達(dá)數(shù)十萬片的大項目，將有助于緩解材料供不應(yīng)求的現(xiàn)狀。
而在大手筆的產(chǎn)能擴(kuò)張背后亦蘊藏著價格下跌和產(chǎn)能過剩風(fēng)險，正在或計劃擴(kuò)產(chǎn)的廠商們必須重視相關(guān)潛在風(fēng)險并積極調(diào)整應(yīng)對。在此情況下，在SiC襯底外延材料市場供應(yīng)趨于穩(wěn)定后，相關(guān)廠商將更多注意力轉(zhuǎn)移到器件、設(shè)備和終端應(yīng)用等方面，一定程度上將是更加明智的選擇，更有利于提升競爭力。
2024年以來，晶能微電子、臻驅(qū)半導(dǎo)體、揚杰科技、摩珂達(dá)、愛矽科技新簽約SiC功率器件/模塊項目，連城數(shù)控則新簽約SiC設(shè)備項目，都有望在對應(yīng)的細(xì)分賽道分一杯羹。
車用場景目前仍然是SiC最大應(yīng)用市場，圍繞車規(guī)級SiC產(chǎn)品，揚杰科技、泰科天潤、斯科半導(dǎo)體、智新科技、重慶三安等企業(yè)相關(guān)項目均取得了積極進(jìn)展，有望加快車規(guī)級SiC產(chǎn)品國產(chǎn)替代進(jìn)程。
2024年取得新進(jìn)展的項目當(dāng)中，部分為在已有項目基礎(chǔ)上進(jìn)行的擴(kuò)建，也有部分項目主體在2024年首次規(guī)劃SiC相關(guān)項目，彰顯了SiC產(chǎn)業(yè)是一片投資興業(yè)的熱土，未來大概率將有更多廠商投建項目，也將有更多項目落地實施。
整體來看，SiC產(chǎn)業(yè)目前是一個快速成長的市場，各大廠商都意識到了規(guī)模的重要性，圍繞SiC全產(chǎn)業(yè)鏈開啟了宏偉的增資擴(kuò)產(chǎn)計劃，可以預(yù)見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC產(chǎn)業(yè)的競爭將日益激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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