湖南維尚科技功率半導體相關(guān)項目完成簽約

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 07 月 23 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)

據(jù)株洲日報官微消息,7月17日,湖南省高校科技成果轉(zhuǎn)化工作推進大會暨“雙高”對接活動在株洲舉行。會上舉行了全省“雙高”對接項目簽約儀式,清華大學謝志鵬教授團隊與湖南維尚科技有限公司簽訂“功率半導體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制”項目合作協(xié)議。此次雙方項目合作將開展功率半導體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制與先進科技成果轉(zhuǎn)化。

source:株洲日報

據(jù)悉,氮化硅陶瓷的理論熱導率可達到200W/|(m·K)以上,而其熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)相差無幾,氮化硅陶瓷基板被認為是大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路封裝基板材料的優(yōu)先選擇。

而燒結(jié)工藝是氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一,氮化硅基板燒結(jié)受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響,過程極其復雜,極易出現(xiàn)外觀均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問題,需要系統(tǒng)開展燒結(jié)工藝研究,針對國產(chǎn)原料及相應配方制定與之匹配的燒結(jié)工藝,燒結(jié)設(shè)備。

目前,氮化硅材料廣泛應用于新能源汽車、半導體、光伏、醫(yī)療器材、太陽能電池、手機底板、航空航天等領(lǐng)域,是這些領(lǐng)域的關(guān)鍵材料,也是第三代半導體碳化硅芯片最匹配的封裝材料。今年以來,氮化硅材料熱度持續(xù)上漲,已有多個項目簽約落地。

3月27日,浙江省嘉興國家高新區(qū)(高照街道)一季度重大項目集中簽約儀式舉行。其中,總投資約52億元的瓷新半導體材料總部項目計劃建設(shè)年產(chǎn)3000萬片的氮化硅基板及3000萬片氮化硅覆銅板,項目投產(chǎn)后將有效填補國內(nèi)高端氮化硅陶瓷材料產(chǎn)業(yè)空白,助推汽車功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

而在5月31日,總投資10億元的氮化硅材料項目簽約落地浙江嘉興桐鄉(xiāng)。該項目主要生產(chǎn)氮化硅高純粉體及其制品,其中一期項目計劃投資5億元。(來源:株洲日報,集邦化合物半導體整理)

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