據(jù)三安半導體官微消息，7月24日，三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。這標志著三安碳化硅（SiC）項目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局，實現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎。
source：三安半導體
據(jù)介紹，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。
M6B作為湖南三安布局SiC產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)，其投產(chǎn)情況備受關(guān)注。預計到今年12月，M6B將實現(xiàn)點亮通線，8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn)，湖南三安半導體正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商。
值得一提的是，除了湖南，重慶三安半導體SiC襯底工廠也于近日完成了主設備的入場，這表示重慶三安襯底工廠的通線一同步入了倒計時階段。
source：西永微電園
據(jù)重慶三安基建負責人透露，項目主廠房已于去年12月完成結(jié)構(gòu)封頂，今年5月完成外墻裝飾，6月完成室外道路接駁，目前整體建設進度已完成95%以上，正處于設備進場安裝調(diào)試的關(guān)鍵階段，預計8月底將實現(xiàn)襯底廠的點亮通線。
資料顯示，重慶三安意法SiC項目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達產(chǎn)后將建成全國首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線，具備年產(chǎn)48萬片8英寸SiC襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力，預計營收將達170億人民幣。
隨著湖南與重慶兩地工廠的設備搬入完成，后續(xù)待兩地正式通線之后，三安半導體不僅將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直制造整合商，其SiC產(chǎn)能也有望實現(xiàn)大幅提升，企業(yè)市場競爭力將進一步增強。（集邦化合物半導體Rick整理）
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